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公开(公告)号：CN118374846B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410807541.9
申请日：2024-06-21
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种适用于镍金结构工艺的无氰电镀金溶液，该溶液配方包括以下组分：金离子3‑14g/L、络合剂30‑100g/L、无机盐10‑20g/L、表面活性剂10‑30mg/L、晶粒细化剂10‑40mg/L、稳定剂20‑60mg/L、促进剂30‑60mg/L、缓蚀剂0.5‑1.5g/L，pH值为7.5‑9，温度在40‑70℃之间，电流密度在0.1‑1.0A/dm2。该无氰电镀金溶液适用于半导体RDL、UBM、bumping，在镍镀层上面获得的金镀层具有良好的镀层结合力，获得的0.05‑2.0μm的金镀层，外观细腻，粗糙度低于20nm，镀液稳定性良好，并且对光刻胶无明显攻击。
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公开(公告)号：CN118256968B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410659895.3
申请日：2024-05-27
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种无氰电镀金溶液及其应用。本发明的无氰电镀金溶液包括如下质量含量的组分：金离子2‑20 g/L，络合剂20‑150 g/L，缓冲剂3‑80 g/L，表面活性剂5‑500 mg/L，稳定剂2‑100 mg/L，晶粒细化剂1‑30 mg/L，硬化剂0.01‑5 g/L和抗氧剂0.1‑10 g/L，所述金离子来自无氰金盐。本发明的无氰电镀金溶液稳定性好，寿命可达4MTO，对光刻胶友好，适用于多种电镀金工艺，获得的金镀层可以满足0.05‑20μm的金厚需求，退火后的硬度在60‑80 Hv，镀层保形优异，肩部收缩≤0.5μm，粗糙度低于50 nm，具有优异的兼容性和广谱性，能够良好地满足打线、焊接、倒装压合等不同场景的实际应用需求。
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公开(公告)号：CN118326465A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410755237.4
申请日：2024-06-12
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种适用于封装基板的电镀镍钯金表面处理工艺配方，该工艺配方包括电镀镍溶液，电镀钯溶液和电镀金溶液。电镀镍液包括组分：镍盐70‑120g/L、硼酸30‑50g/L、复合光亮剂30‑60mg/L、复合防针孔剂15‑45mg/L、分散剂40‑80mg/L、复合整平剂50‑150mg/L，余量为去离子水。电镀钯液包括组分：钯盐20‑40g/L、复合络合剂80‑120g/L、稳定剂0.2‑0.6g/L、抑制剂10‑40mg/L、表面活性剂10‑30mg/L、导电盐5‑10g/L，余量为去离子水。电镀金液包括组分：金盐10‑20g/L、导电盐10‑20g/L、加速剂60‑120mg/L、络合剂15‑30g/L、光亮剂10‑40mg/L、复合稳定剂10‑30mg/L、整平剂20‑80mg/L，余量为去离子水。该发明可以应用于封装基板的表面处理工艺，不仅可可以提供良好均镀能力，打线稳定牢固，而且镀液稳定不易析出，可承受电流密度大，不长瘤子，可实现高速沉积。
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公开(公告)号：CN117802484B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311401452.6
申请日：2023-10-26
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
IPC分类号： C23C18/44
摘要： 本发明公开了一种无氰化学还原加厚金的工艺配方及化学镀方法，该配液包括以下质量浓度的组分：金盐1‑3g/L、复合加速剂30‑60mg/L、络合剂2‑6g/L、晶核细化剂20‑60mg/L、复合还原剂5‑15g/L、复合稳定剂30‑90mg/L、分散剂0.5‑1g/L。该发明得到的镀金层上金速度快、无色差、环保且稳定，适用范围广，对不规则基材同样具有优异效果。
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公开(公告)号：CN115198257B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210822718.3
申请日：2022-07-12
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
发明人： 姚玉
摘要： 本发明公开了一种晶圆封装的无氰沉金环保型配液及化学镀方法。该配液包括以下质量浓度的组分：金盐2‑15g/L、复合加速剂30‑60mg/L、络合剂5‑20g/L、晶核细化剂20‑60mg/L、还原剂20‑60mg/L、稳定剂30‑90mg/L、复合抑制剂5‑15mg/L、分散剂35‑70mg/L、去极化剂10‑30mg/L。该发明得到的金镀层无色差，致密平整，无脆性折镀及裂纹等现象，金缸稳定性优良达到半年以上不会出现发红等问题，本配方所采用的试剂均属环保型。
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公开(公告)号：CN115558912A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211395848.X
申请日：2022-11-08
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种环保化学还原金液及其工艺，该环保化学还原金液包括以硫氰酸亚金盐作为金源，以硫氰酸铵与辅助还原剂配合作为复合还原剂；硫氰酸亚金盐在化学还原金液中的浓度为1.5g/L‑2.5g/L；硫氰酸铵在化学还原金液中的浓度为10g/L‑20g/L；以及复合配位剂、pH缓冲剂和辅助剂。采用该化学还原金液使镀层具有比较好的光亮度和均匀性，具有比较好的微观形貌，也解决了换金药水过度腐蚀，产生严重镍腐蚀，这样影响到焊接后零件脱落或焊锡与焊垫界面破裂的现象，使金层与镍层具有比较好的结合能力。
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公开(公告)号：CN115418686A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211386859.1
申请日：2022-11-07
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种玻璃基板的通孔高深度电镀铜液及其电镀铜工艺，电镀铜溶液包括以下质量浓度的组分：硫酸铜60‑100g/L、浓硫酸200g/L、氯离子40‑80mg/L、复合光亮剂30‑90mg/L、复合整平剂20‑90mg/L、界面活性剂15‑45mg/L、桥联剂20‑60mg/L、稳定剂30‑90mg/L。该发明溶液可以快速实现深度20:1基板的玻璃基板通孔填充电镀铜，无折镀，无空洞现象，填充度高达95%以上，并且承受大电流密度使用范围，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN117758244B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202311480990.9
申请日：2023-11-08
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种功率芯片的铝基材化学镀镍钯金液工艺配方，化学镀镍液包括以下质量浓度的组分：镍盐4‑6g/L、复合络合剂8‑12g/L、防弯折剂0.5‑1g/L、稳定剂20‑60mg/L、还原剂5‑15g/L、复合防针孔剂15‑45mg/L、启镀剂40‑80mg/L，余量为去离子水。化学镀钯液包括以下质量浓度的组分：钯盐0.8‑1.2g/L、复合络合剂4‑6g/L、启镀剂0.2‑0.6g/L、复合稳定剂10‑40mg/L、还原剂10‑40g/L、均匀剂30‑60g/L、余量为去离子水。化学镀金液包括金盐1‑2g/L、加速剂60‑120mg/L、络合剂2‑4g/L、光亮剂40‑80mg/L、复合还原剂5‑15g/L、稳定剂10‑30mg/L、余量为去离子水。该发明可以应用于芯片的表面处理工艺，既环保同时又可以弥补国内在芯片镍钯金的不足。
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公开(公告)号：CN118326465B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410755237.4
申请日：2024-06-12
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种适用于封装基板的电镀镍钯金表面处理液，该表面处理液包括电镀镍溶液，电镀钯溶液和电镀金溶液。电镀镍液包括组分：镍盐70‑120g/L、硼酸30‑50g/L、复合光亮剂30‑60mg/L、复合防针孔剂15‑45mg/L、分散剂40‑80mg/L、复合整平剂50‑150mg/L，余量为去离子水。电镀钯液包括组分：钯盐20‑40g/L、复合络合剂80‑120g/L、稳定剂0.2‑0.6g/L、抑制剂10‑40mg/L、表面活性剂10‑30mg/L、导电盐5‑10g/L，余量为去离子水。电镀金液包括组分：金盐10‑20g/L、导电盐10‑20g/L、加速剂60‑120mg/L、络合剂15‑30g/L、光亮剂10‑40mg/L、复合稳定剂10‑30mg/L、整平剂20‑80mg/L，余量为去离子水。该发明可以应用于封装基板的表面处理工艺，不仅可可以提供良好均镀能力，打线稳定牢固，而且镀液稳定不易析出，可承受电流密度大，不长瘤子，可实现高速沉积。
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公开(公告)号：CN118374846A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410807541.9
申请日：2024-06-21
申请人： 深圳创智芯联科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种适用于镍金结构工艺的无氰电镀金溶液，该溶液配方包括以下组分：金离子3‑14g/L、络合剂30‑100g/L、无机盐10‑20g/L、表面活性剂10‑30mg/L、晶粒细化剂10‑40mg/L、稳定剂20‑60mg/L、促进剂30‑60mg/L、缓蚀剂0.5‑1.5g/L，pH值为7.5‑9，温度在40‑70℃之间，电流密度在0.1‑1.0A/dm2。该无氰电镀金溶液适用于半导体RDL、UBM、bumping，在镍镀层上面获得的金镀层具有良好的镀层结合力，获得的0.05‑2.0μm的金镀层，外观细腻，粗糙度低于20nm，镀液稳定性良好，并且对光刻胶无明显攻击。
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