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公开(公告)号：CN114682420B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202111659759.7
申请日：2021-12-30
申请人： 细美事有限公司
IPC分类号： B05B15/555 , B05B13/02 , B05B1/26 , B05B9/03 , H01L21/67
摘要： 提供一种用于处理衬底的装置。在示例性实施例中，用于处理衬底的装置包括配置成具有上部敞开的处理空间的杯状体、配置成在处理空间中支撑衬底的支撑单元、配置成具有用于向由支撑单元支撑的衬底供应处理液的处理液供应喷嘴的液体供应单元、和位于处理空间的外部且具有供喷嘴在对处理空间中的衬底进行处理前后待机的待机空间且具有用于清洗位于待机空间中的喷嘴的清洗件的喷嘴待机埠，其中喷嘴待机埠包括设置成使得喷嘴的喷嘴尖端可插入的插入孔、和配置成向插入到插入孔中的喷嘴尖端喷洒清洗液的喷洒件，其中清洗液的撞击点与喷嘴尖端的中心间隔开预定距离。
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公开(公告)号：CN112420554B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202010860335.6
申请日：2020-08-24
申请人： 细美事有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及用于处理基板的装置和方法。一种用于处理基板的装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有工艺空间；支承单元，其在所述工艺空间中支承所述基板；加热构件，其加热支承于所述支承单元上的所述基板；和排放单元，其抽排所述工艺空间。所述排放单元包括排放管和热量保持单元，所述热量保持单元具有保持从所述工艺空间释放的热量的保持空间。所述保持空间围绕所述排放管中邻近所述工艺腔室的邻近区域。
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公开(公告)号：CN112151348B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202010607960.X
申请日：2020-06-29
申请人： 细美事有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明涉及用于处理基板的装置和方法。一种基板处理装置包括：腔室，该腔室中具有工艺空间；基板支承单元，其在工艺空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应至工艺空间；和等离子体生成单元，其从气体生成等离子体。其中，基板支承单元包括：基板支承部件，其支承基板；聚焦环，其围绕基板支承部件；绝缘体，其位于聚焦环的下方，且具有形成在其中的凹槽；电极，其设置在形成于绝缘体中的凹槽中；以及阻抗控制器，阻抗控制器与电极连接，且调节电极的阻抗，并且阻抗控制器包括：共振控制电路，其调节施加到电极的电流的最大值；以及阻抗控制电路，其控制基板的边缘区域的等离子体离子的入射角。
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公开(公告)号：CN109712909B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201811244242.X
申请日：2018-10-24
申请人： 细美事有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 公开了一种用于处理基板的装置，该装置包括：腔室，其具有设置在其中以处理基板的处理空间并具有用于引入或取回基板的入口；内衬，其设置在处理空间中、设置成与腔室的内侧壁相邻，并且具有形成于面对入口的位置处的、用于引入或取回基板的开口；用于在处理空间中支承基板的支承单元；用于向处理空间供应工艺气体的气体供应单元；用于从工艺气体产生等离子体的等离子体源；和用于打开或关闭入口的门组件。该门组件包括门以及用于驱动门的门驱动单元，该门包括：门单元，其设置在腔室外部以在用于打开入口的打开位置和用于关闭入口的关闭位置之间为移动性的；和插入单元，其从门单元向处理空间延伸并在关闭位置处插入到内衬的开口中。
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公开(公告)号：CN118457051A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410065864.5
申请日：2024-01-17
申请人： 细美事有限公司
IPC分类号： B41J2/165 , H01L21/67 , B41J2/01 , B41J29/393
摘要： 本申请提供了一种喷嘴检查方法、喷嘴检查设备及衬底处理装置，该喷嘴检查方法包括：形成用于检查的图案的操作，形成用于检查的图案的操作包括：第一化学溶液排出操作，在衬底和第一喷嘴之间的距离是第一距离的第一状态中，将化学溶液排出到衬底上；以及第二化学溶液排出操作，在所述衬底和所述第一喷嘴之间的距离是不同于所述第一距离的第二距离的第二状态中，将化学溶液排出到衬底上；以及检查操作，检查所述用于检查的图案，以确定第一喷嘴是否有缺陷。
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公开(公告)号：CN118282187A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311783323.8
申请日：2023-12-22
摘要： 提供了一种缓冲电路和等离子体发生器。所述缓冲电路可以包括：第一缓冲二极管，连接到与DC‑DC转换器连接的第一节点；缓冲电容器，连接在所述第一缓冲二极管和与所述DC‑DC转换器连接的第二节点之间；缓冲电压源，连接到所述第一节点；缓冲电感器，连接到所述第一缓冲二极管和所述缓冲电容器之间的第三节点；以及第二缓冲二极管，连接在所述缓冲电感器和所述缓冲电压源之间。
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公开(公告)号：CN118280879A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311819500.3
申请日：2023-12-27
申请人： 细美事有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明构思提供了一种基板处理设备，其比传统的基板处理设备更快到底冷却具有加热器的支撑板。所述基板处理设备包括：壳体，在其中提供处理空间；以及支撑单元，其配置成在所述处理空间处支撑基板。所述支撑单元包括：加热器构件，其设置在所述支撑板处以加热所述基板；以及冷却单元，其配置成冷却所述加热器构件。所述冷却单元包括：第一气体供应喷嘴，其位于所述加热器构件的边缘下方，用于在所述加热器构件的底表面的中心方向上供应冷却气体；以及第二气体供应喷嘴，其位于所述加热器构件的中心下方，用于在所述加热器构件的所述底表面的边缘方向上供应所述冷却气体。
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公开(公告)号：CN118263160A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311823416.9
申请日：2023-12-27
申请人： 细美事有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , G01K13/00
摘要： 本发明构思的实施方式提供了一种基板处理设备和基板处理方法，所述基板处理设备和所述基板处理方法用于：如果使用温度分析单元在处理室内测量相对于静电卡盘(ESC)的温度，在处理过程完成的时间点实时获取温度值以应用于处理过程。本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：处理室，其包括壳体和支撑单元，在所述壳体处形成有用于加工处理基板的处理空间，并且所述支撑单元位于所述处理空间处并配置成支撑所述基板；以及温度分析单元，其配置成在被安装在所述支撑单元上时检测所述支撑单元的温度信息，并将检测到的温度信息传输到所述处理室，并且其中所述处理室基于所述温度信息控制所述支撑单元的温度。
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公开(公告)号：CN118263154A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311619966.9
申请日：2023-11-30
申请人： 细美事有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 提供了一种能够防止异物流入的气流控制系统和气流控制方法，所述气流控制系统包括：至少一个格栅面板，安装在洁净室的地板上并且包括多个通孔；半导体制造设备，通过使用支撑件或支腿而与所述格栅面板间隔开间隙空间，并且包括朝向所述格栅面板安装的风扇；以及负压防护器，用于防止由于外部向下气流与内部向下气流之间的压力差而在所述间隙空间中局部形成负压，所述外部向下气流沿着所述半导体制造设备的侧部流动并通过所述格栅面板的所述多个通孔排出到外部，所述内部向下气流通过所述风扇从所述半导体制造设备流向所述格栅面板并通过所述格栅面板的所述多个通孔排出到外部。
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