公开(公告)号：CN118280879A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311819500.3

申请日：2023-12-27

申请人： 细美事有限公司

发明人： 安熙满 ,  宋京院 ,  赵旼熙 ,  李周美 ,  金炳辉 ,  朴天雨

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明构思提供了一种基板处理设备，其比传统的基板处理设备更快到底冷却具有加热器的支撑板。所述基板处理设备包括：壳体，在其中提供处理空间；以及支撑单元，其配置成在所述处理空间处支撑基板。所述支撑单元包括：加热器构件，其设置在所述支撑板处以加热所述基板；以及冷却单元，其配置成冷却所述加热器构件。所述冷却单元包括：第一气体供应喷嘴，其位于所述加热器构件的边缘下方，用于在所述加热器构件的底表面的中心方向上供应冷却气体；以及第二气体供应喷嘴，其位于所述加热器构件的中心下方，用于在所述加热器构件的所述底表面的边缘方向上供应所述冷却气体。

公开(公告)号：CN117198917A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202210599753.3

申请日：2022-05-30

申请人： 细美事有限公司

发明人： 李炅珉 ,  金兑根 ,  赵旼熙 ,  姜元荣

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 本发明构思提供了一种基板处理方法。该基板处理方法包括：将溶解液供应到旋转的基板上；以及在供应溶解液后，将包含聚合物的处理液体供应到旋转的基板上以形成液体膜。

公开(公告)号：CN116387180A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211527736.5

申请日：2022-11-29

申请人： 细美事有限公司

发明人： 姜元荣 ,  金兑根 ,  金康卨 ,  李炅珉 ,  赵旼熙

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 本申请提供一种半导体工艺系统及基板处理方法。所述半导体工艺系统包括：台，其在腔室内用于放置基板；以及处理液供给装置，其向所述基板上提供含有溶剂和溶质的处理液，其中，所述处理液供给装置在从所述基板的中心向外周面移动的同时向所述基板上提供所述处理液。

公开(公告)号：CN117917756A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202311259415.6

申请日：2023-09-27

申请人： 细美事有限公司

发明人： 赵旼熙 ,  安熙满 ,  宋京院 ,  李周美 ,  朴天雨 ,  金炳辉

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 根据本发明的一方面的基板处理装置包括：支承板，支承基板，并且设置有用于加热基板的加热器构件；以及冷却单元，用于强制冷却支承板，其中，冷却单元包括：冷却壳体，提供冷却空间；多个气体供给喷嘴，布置在冷却壳体中，并且朝向加热器构件供应冷却气体；以及多个气体供给线，直接连接到气体供给喷嘴，并且将从外部传递的冷却气体供应到气体供给喷嘴。

公开(公告)号：CN116202216A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202210802010.1

申请日：2022-07-07

申请人： 细美事有限公司

发明人： 赵旼熙 ,  姜元荣 ,  宋峻浩

IPC分类号： F24H1/14 ,  F24H9/1818 ,  F24H9/20 ,  F24H15/25

摘要： 本申请提供一种能够稳定且有效地加热处理液的加热装置。加热装置包括：第一单元加热器，包括第一流路；第二单元加热器，包括第二流路；以及第一管状件，连接第一单元加热器和第二单元加热器，其中，处理液流经第一流路、第一管状件和第二流路，并且通过第一单元加热器和第二单元加热器被加热，第一单元加热器包括：第一管道，沿第一方向延伸并且其内部包括沿第一方向形成的第一流路；第一输入端子，形成在第一管道的表面上且沿第一方向延伸；第一输出端子，形成在第一管道的表面上，沿第一方向延伸，并且与第一输入端子隔开；以及彼此隔开的多个第一加热线，形成在第一管道的表面上，并且连接第一输入端子和第一输出端子。

公开(公告)号：CN109411389B

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN201810934866.8

申请日：2018-08-16

申请人： 细美事有限公司

发明人： 赵旼熙 ,  刘在赫 ,  吴世勋 ,  金兑根 ,  延蕊林 ,  吴海琳 ,  郑址洙

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 公开涉及一种用于将清洁液供应到基板的装置。清洁液供应单元包括：混合容器，在其内部具有液体混合空间；第一供应构件，其被构造成将第一液体供应到液体混合空间中；第二供应构件，其被构造成将不同于第一液体的第二液体供应到液体混合空间中；以及混合构件，其被构造成将供应到液体混合空间中的第一液体和第二液体进行混合，并且混合构件可包括：循环管线，供在液体混合空间中的液体循环；和压力调节构件，其被构造成向液体提供压力，使得液体混合空间中的液体流入循环管线中，并且被构造成调节压力。

公开(公告)号：CN110120358A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910034834.7

申请日：2019-01-15

申请人： 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

发明人： 朴美贤 ,  吴政玟 ,  金伶厚 ,  李晓山 ,  金兑根 ,  延蕊林 ,  吴海琳 ,  郑址洙 ,  赵旼熙

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 公开了清洁组合物、清洁装置和制造半导体器件的方法，清洁组合物包括：表面活性剂；去离子水；以及有机溶剂，其中，表面活性剂以约0.28M至约0.39M的浓度或约0.01至约0.017的摩尔分数包括在清洁组合物中，其中，有机溶剂以约7.1M至约7.5M的浓度或约0.27至约0.35的摩尔分数包括在清洁组合物中。

公开(公告)号：CN106185854A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610369957.2

申请日：2016-05-30

申请人： 细美事有限公司

发明人： 李昇浩 ,  赵旼熙 ,  姜基文 ,  金兑根

IPC分类号： C01B25/237 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/31111 ,  B01D1/0011 ,  B01D1/0041 ,  B01D1/0082 ,  B01D11/0484 ,  B01D11/0492 ,  C09K13/08 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708 ,  C01B25/237 ,  C01B25/2375 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67023

摘要： 公开了一种从包括硅(Si)、氟化氢(HF)和磷酸的处理液中再生磷酸溶液的方法，所述方法包括：通过向所述处理液供应对应于预设量或更多量的氟化氢而去除硅，通过将所述处理液加热到氟化氢的沸点或更高温度而去除所述氟化氢，和将所述磷酸的温度和浓度调节到预设值。

公开(公告)号：CN116365325A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211699135.2

申请日：2022-12-28

申请人： 细美事有限公司

发明人： 赵旼熙 ,  宋峻浩

IPC分类号： H01R43/048 ,  H01L21/67 ,  H05B3/20 ,  H05B3/54

摘要： 本发明涉及一种用于加热板的电源端子的结合设备，所述结合设备用于结合向基板的电热丝供电的电源端子。所述用于加热板的电源端子的结合设备包括：腔室；平台，所述平台设置在所述腔室的内部空间中，并且所述基板放置在所述平台上；上压制部分，所述上压制部分设置在所述腔室的所述内部空间中以朝向所述平台，被设置为可垂直移动，并且具有被配置为固定所述电源端子的端子固定部分；以及升降驱动器，所述升降驱动器被配置为上下移动所述上压制部分，其中所述端子固定部分还包括被配置为通过磁力保持所述电源端子的磁性保持器。

公开(公告)号：CN116364530A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211621042.8

申请日：2022-12-05

申请人： 细美事有限公司

发明人： 赵旼熙 ,  李炅珉 ,  姜元荣 ,  金康卨 ,  金兑根

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。本发明的示例性实施方案提供了一种基板处理方法，该基板处理方法包括通过连续地执行如下工艺去除在基板上形成的颗粒：将包括聚合物和溶剂的处理液供应到该基板上；通过使该处理液中的溶剂挥发，形成固化的液膜；通过将剥离液供应到该基板上，从该基板去除该固化的液膜；以及将冲洗液供应到该基板上。