公开(公告)号：CN108520886B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN201810358848.X

申请日：2018-04-20

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 王之奇 ,  吴明轩

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本申请公开了一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法，其中，该封装结构的基板朝向开口的侧面具有至少一级台阶结构，且台阶结构平行于影像传感芯片的第一表面的台阶面朝向所述影像传感芯片，以使得基板朝向开口且远离影像传感芯片的侧面，起到部分或完全阻挡入射光线照射到靠近垂直于第一表面，且靠近影像传感芯片的台阶面的目的，从而起到降低基板朝向开口的侧面将入射光线反射到影像传感芯片的概率，进而实现了降低由于基板开口侧面对光线的反射，而使得影像传感芯片的像素区域出现光线汇聚的异常现象的可能，降低了由于这些光线汇聚的区域在影像传感芯片输出的图像中形成耀斑现象的概率，提升了影像传感芯片的成像质量。

公开(公告)号：CN108039355B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201810029263.3

申请日：2018-01-12

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 王之奇 ,  谢国梁 ,  胡汉青

IPC分类号： H01L27/146 ,  G06V40/13

摘要： 本发明公开了一种光学指纹芯片的封装结构以及封装方法，本发明技术方案采用一具有空腔的封装电路板绑定光学指纹芯片，所述封装电路板具有互联电路以及与所述互联电路连接的第一连接端以及第二连接端，所述第一连接端用于连接外部电路，所述光学指纹芯片位于所述空腔内，所述光学指纹芯片的焊垫与所述第二连接端连接，因此，所述封装结构相对于现有封装结构的厚度较薄，便于电子设备小型化设计。

公开(公告)号：CN107170769B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201710547345.2

申请日：2017-07-06

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 王之奇 ,  耿志明

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明公开了一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法，该封装结构包括：影像传感芯片，所述影像传感芯片包括相对的第一表面以及第二表面，所述第一表面具有多个用于采集图像信息的像素点以及多个与所述像素点连接的第一焊垫；覆盖所述影像传感芯片的第一表面的基板，所述基板具有布线线路以及与所述布线线路连接的接触端；所述布线线路用于与外部电路电连接；所述影像传感芯片的周缘通过各向异性导电胶与所述基板粘结固定，所述第一焊垫通过所述各向异性导电胶与所述接触端电连接，在垂直于所述基板的方向上，所述各向异性导电胶包围所有所述像素点，与所述像素点不交叠。本发明技术方案在对影像传感芯片进行封装时，工艺简单，降低了制作成本。

公开(公告)号：CN115037270A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210681721.8

申请日：2022-06-16

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 谢国梁

IPC分类号： H03H9/05 ,  H03H9/10 ,  H03H9/64

摘要： 本发明公开了一种芯片封装方法和封装结构，芯片封装方法包括：提供基板；提供待封装芯片，待封装芯片的第一表面形成有功能区以及与功能区耦合的焊垫；将多颗待封装芯片的第二表面与基板的表面粘合；提供功能性基板，在功能性基板的第一表面上形成再布线层；在待封装芯片的第一表面和/或再布线层上形成若干围堰；在焊垫和/或再布线层上形成焊接凸起；对基板进行切割以形成待封装芯片单元；将待封装芯片单元的第一表面与功能性基板的第一表面对位压合，待封装芯片的焊垫与再布线层之间电连接。本发明的芯片封装方法，能够实现对多颗声表面波滤波器进行同时封装，且封装工艺简单，提高了封装性能和封装效率，降低了封装成本。

公开(公告)号：CN114999939A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210644287.6

申请日：2022-06-08

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 谢国梁

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

摘要： 本发明公开了一种芯片封装方法和封装结构，芯片封装方法包括：提供透明基板，在透明基板上形成再布线层；提供待封装芯片，待封装芯片的第一表面形成有感应区以及与感应区耦合的焊垫；在焊垫或再布线层上形成焊接凸点；在透明基板一侧或待封装芯片的第一表面形成围堰；将待封装芯片的第一表面与透明基板的表面对位压合，感应区位于围堰围成的空间内，且焊接凸点、再布线层及焊垫之间形成电连接；填充塑封材料对待封装芯片及透明基板进行塑封；形成与再布线层电连接的外接导电柱，外接导电柱凸伸于塑封材料的外部。本发明的芯片封装方法，能够在封装过程中形成有效保护芯片感应区的密封空腔，提高了封装性能和封装效率，降低了封装成本。

公开(公告)号：CN114914307A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210480633.1

申请日：2022-05-05

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 谢国梁 ,  袁文杰

IPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0232

摘要： 本发明公开了一种芯片封装方法和封装结构，封装方法包括提供基板，在基板上形成再分布层；提供待封装芯片，待封装芯片包括相对的第一表面和第二表面，第一表面具有感应区以及与感应区耦合的焊垫，将待封装芯片的第一表面与再分布层对位压合，并使焊垫与再分布层电连接；填充塑封材料对待封装芯片的第二表面、再分布层进行塑封；于塑封材料上形成通孔，通孔暴露再分布层，并于通孔内形成导电柱，导电柱凸于塑封材料表面；剥离基板，并于待封装芯片的第一表面设置功能性玻璃，功能性玻璃覆盖待封装芯片的感应区及再分布层。本发明的芯片封装方法，能够实现将功能性玻璃与待封装芯片直接封装为一体。

公开(公告)号：CN114743955A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210417792.7

申请日：2022-04-20

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 李瀚宇 ,  林焱

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明公开了一种封装结构和封装方法，该封装结构包括：芯片单元，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有感应区域以及与所述感应区域电连接的焊垫；盖板，与所述芯片单元的第一表面相对设置；遮光层，覆盖所述芯片单元的第二表面，所述遮光层选自TiN、Ge、TiW或TaN。本发明的遮光材料选自TiN、Ge、TiW或TaN等，具有更好的稳定性能，且光通量低、耐热冲击。特别的，当遮光材料为TiN时，在暴露焊垫的刻蚀中，可以采用干法刻蚀依次刻蚀TiN和绝缘层，干法刻蚀采用的气体相同，在同一刻蚀流程中即可实现绝缘层和遮光层的去除。

公开(公告)号：CN114639741A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210260164.2

申请日：2022-03-16

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 王鑫琴 ,  沈戌霖 ,  张晓东 ,  汤杰夫

IPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明公开了一种影像传感芯片的封装结构和方法，该方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括阵列分布的多个待封装芯片，每一个所述待封装芯片分别具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有感应区以及焊垫，所述焊垫与所述感应区电耦合；提供一透明盖板，所述透明盖板具有相对的第三表面和第四表面；在透明盖板的第三表面形成滤光涂层；将透明盖板的第四表面和待封装芯片的第一表面相对结合，所述透明盖板覆盖所有的所述待封装芯片；切割所述的晶圆、透明盖板和滤光涂层，形成多个独立的封装结构。本发明采用晶圆级封装方法，技术难度低、成本低，而且未采用蓝玻璃，不会发生因热膨胀系数不一致导致的翘曲的问题。

公开(公告)号：CN114094006A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111544376.5

申请日：2021-12-16

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 王凯厚 ,  杨剑宏 ,  王鑫琴 ,  沈戌霖 ,  王蔚

IPC分类号： H01L41/053 ,  H01L41/113 ,  H01L41/23 ,  H01L41/31

摘要： 本发明提供一种压电微机械超声换能器封装结构及其封装方法，所述压电微机械超声换能器封装结构包括：衬底，所述衬底包括相背的第一表面和第二表面；支撑层，其设置于所述第一表面上，形成有至少一个开口朝向所述第一表面的空腔，所述空腔的侧壁、所述空腔的顶壁与所述第一表面围设形成真空密闭腔；压电薄膜，其设置于所述支撑层上，且至少位于所述空腔上方，并直接受所述空腔的顶壁支承；焊垫，所述焊垫设置于所述支撑层上，且位于所述压电薄膜外侧；金属凸起，其设置于所述第二表面一侧；连接结构，所述连接结构电性连接所述金属凸起和所述焊垫；以及隔离层，所述隔离层设置于所述连接结构和所述支撑层之间，以使所述连接结构和所述支撑层不直接接触。

公开(公告)号：CN113903706A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202111271496.2

申请日：2021-10-29

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 李瀚宇

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

摘要： 本发明提供一种晶圆级硅通孔封装结构制作方法及硅通孔封装结构，所述方法包括步骤：提供一设置有焊垫的晶圆和基板，将晶圆以焊垫朝向基板的方向覆于基板上；在晶圆上形成环形通孔，并使环形通孔外轮廓和焊垫之间至少存在部分重叠；在晶圆表面覆盖绝缘层，并使绝缘层填充于环形通孔；在晶圆位于环形通孔内轮廓之内的区域形成贯通孔，贯通孔暴露焊垫；在绝缘层表面及贯通孔内形成电性连接于焊垫的金属层。通过利用环形通孔，使绝缘层和金属层之间结合面于底部形成内倒角的结构，大幅降低了对封装结构中各层厚度及结构均一性的要求，并且配合使用干膜压合工艺形成绝缘层显著简化了生产工艺流程，无需高端设备及工艺要求，降低了生产成本。