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公开(公告)号：CN119449182A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411562373.8
申请日：2024-11-04
Applicant: NANO科技(北京)有限公司
IPC: H04B10/572 , H04Q11/00 , H04J14/02 , H04B10/80
Abstract: 本发明的实施例提供了一种光探测芯片及其多波长光信号的波长筛选方法，属于光芯片技术领域。该光探测芯片包括光耦合单元，将输入的多波长光信号耦合入单模波导中；光滤波放大单元，包括第一滤波器和光放大器，第一滤波器从多波长光信号中筛选出第一光信号并反射其余光信号后将第一光信号输入光放大器；噪声过滤单元，通过滤波筛选过滤第一光信号中来自光放大器的发射噪声；光偏振分束单元，接收经过噪声过滤单元过滤噪声后的第一光信号并进行偏振分束输出至少两束偏振光；光探测单元，接收至少两束偏振光经耦合转换后输出对应第一光信号的电信号。本发明的光探测芯片在波长筛选的同时过滤光放大器发射噪声满足三模共存光信号高灵敏度时分接收。
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公开(公告)号：CN115524972B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202211246600.7
申请日：2022-10-12
Applicant: NANO科技(北京)有限公司
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开一种波分复用器的自适应控制方法，包括：按照自低级次至高级次的顺序对各级中的MZI单元执行循环步进；其中，执行步进的过程为当PS电压与MPD电流的变化方向相同时，则令当前PS电压减少一个步长，否则增加一个步长。不需要在电路中使用扰动(Dither)信号、检波器等元件，本发明反馈调节方式简单、可靠，可实现波分复用器信道相对于光源波长的全时自动校正；解决了由于工艺误差导致的波分复用器波长漂移预期值以及工作过程中光源波长偏移和波分复用器信道波长偏移问题。
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公开(公告)号：CN117059693B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202311170856.9
申请日：2023-09-12
Applicant: NANO科技(北京)有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种雪崩光电二极管阵列，包括：基底以及生长于基底上且呈矩阵排列的至少一个雪崩光电二极管元胞结构；雪崩光电二极管元胞结构包括：吸收区、雪崩区、行信号引出线、行信号处理集成电路、列信号引出线以及列信号处理集成电路。吸收区和雪崩区横向分布，同时雪崩区内的载流子雪崩为垂直运输，且吸收区与雪崩区的漂移区连通，利于光生载流子的运输和倍增；吸收区上加入第三电极金属区，精准控制吸收区内部电场，可抑制暗电流或暗计数，并扩展传感器的探测波段；吸收区的四周布置雪崩区，可通过对雪崩区的信号统计，进一步确定光子在吸收区内的入射位置，提高位置探测精度。
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公开(公告)号：CN113889546B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202110668085.0
申请日：2021-06-16
Applicant: NANO科技(北京)有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种雪崩光电二极管及其制备方法，雪崩光电二极管包括：顶接触层、吸收层、电荷控制层、雪崩倍增层及衬底；衬底包括：顶层衬底、中层衬底及底层衬底；顶层衬底包括：顶层中心区、第一环绕区、第二环绕区；中层衬底包括：中层中心区、中层环绕区。本发明提出一种SACM结构的APD的设计及其制造方法，特别是针对Ge/Si的APD，本发明的益处在于省去了一步较为耗时的外延工艺流程，因此可以有效缩短工艺周期，减小外延工艺带来的参数不确定性；减小对外延工具及气体原料的耗费，但同时可以保证APD具有较低的暗电流和较高的倍增系数。
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公开(公告)号：CN116338952B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310558474.7
申请日：2023-05-18
Applicant: 希烽光电科技(南京)有限公司 , NANO科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于旋转介质腔的光隔离器的构造方法，包括如下步骤：S1、选定光隔离器放置的片上波导区域；S2、在S1的选定片上波导区域内构造旋转介质腔；S3、将旋转介质腔尽可能靠近波导并置于真空室内，在结合处密封处理，片上波导连通；S4、片上波导和旋转介质腔的耦合结构构成了光隔离器。优点，本发明的光隔离器由旋转的介质腔和波导的耦合结构组成，为光隔离器的设计提供了一种新的设计思路。该方案与其它传统光隔离器实现方案相比，无需引入磁场和磁性材料，也不依靠非线性效应和折射率调制，不仅可以满足任意信号功率的要求，器件性能优化方向更为明确，而且同时适用于集成波导系统和光纤系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118658897A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410732898.5
申请日：2024-06-06
Applicant: NANO科技(北京)有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种高速光电二极管，涉及高速光探测器件的技术领域。该高速光电二极管包括第一导电类型的基底；第一导电类型的重掺杂区，形成在第一导电类型的基底上；钝化物沟槽部，形成在第一导电类型的基底中并包围第一导电类型的重掺杂区；锗结构，形成在第一导电类型的重掺杂区的表面上；第二导电类型的重掺杂区，形成在锗结构的顶部上；钝化层，形成在第一导电类型的基底上并且覆盖钝化物沟槽部、锗结构和第二导电类型的重掺杂区；第一电性电极部和第二电性部电极部，分别形成在所述钝化层上，并且第一电性电极部穿过钝化层与第一导电类型的重掺杂区连接；第二电性电极部穿过所述钝化层与所述第二导电类型的重掺杂区连接。
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公开(公告)号：CN113031314B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202110401972.1
申请日：2021-04-14
Applicant: NANO科技(北京)有限公司
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供了一种差分线性热光调制器及热光调制方法，包括两条光路，所述两条光路相位变化的非线性部分相互抵消，使所述两条光路间的相位差随调节电压端口的电压变化呈线性变化。本发明一种差分线性热光调制器及热光调制方法，实现了电压对光路相位差的线性调控，降低功耗。并且减少了电压端口的数目，使控制电路复杂度降低，提高控制精度。同时具有动态范围大、最大功耗小的优点。
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公开(公告)号：CN117130095B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311108763.3
申请日：2023-08-31
Applicant: NANO科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明公开一种芯片堆叠封装系统，当该光电子芯片需要与上方芯片层和/或下方芯片层进行光连接时，在该光电子芯片器件层上设置光栅耦合器，并对光栅耦合器的结构和参数进行设计。本发明还公开多层芯片的光连接方法。利用光栅耦合器光衍射方向可通过结构和参数的设计灵活改变的特性，以及工作光波长可穿透整个光电子芯片的原理，实现多层光电子芯片间的自由光连接，进而在高度维度上大幅提高光子集成芯片的集成度。
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公开(公告)号：CN118033821A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410170323.9
申请日：2024-02-06
Applicant: NANO科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明公开一种硅基光波导边缘耦合结构，包括：分束器以及设置于所述分束器输出侧的至少两个硅波导；所述分束器为基于悬臂梁结构的二氧化硅分束器，所述分束器将输入光分路后再耦合进各个所述硅波导中。本申请利用基于悬臂梁结构的二氧化硅分束器实现入射光的分束，将较大光功率的输入光分束为多路较小光功率的光后再耦合进入硅波导中，使得各硅波导可分摊应对输入光，不仅提升对入射光功率的承受上限，而且实现更小的耦合损耗，提高耦合效率。
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公开(公告)号：CN117895999A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410114273.2
申请日：2024-01-28
Applicant: NANO科技(北京)有限公司
IPC: H04B10/077
Abstract: 本发明公开一种光发射器件眼图调试方法，包括：计算数字预失真系数；利用数字预失真系数获取预失真处理后的波形，并基于预失真处理后的波形对光发射器件进行眼图测试。本发明还公开一种光发射器件眼图调试系统，包括：数字信号源模块、激光器设备、偏振控制器、光开关、分光器、时钟恢复单元、数字通信分析仪、上位机。通过对参考信号波形进行数字预失真处理的方式修正数字信号源模块的输出波形，以补偿测试链路、光发射器件封装等损耗及非线性效应，进而实现光发射器件眼图性能的快速评估，避免了繁冗的多参数调测过程，节约调试时间，提升测试效率；通用性强，适用于在不同温度条件下，以及采用不同光电芯片封装而成的光发射器件的眼图调试。
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