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公开(公告)号:CN117130095B
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202311108763.3
申请日:2023-08-31
申请人: NANO科技(北京)有限公司
摘要: 本发明公开一种芯片堆叠封装系统,当该光电子芯片需要与上方芯片层和/或下方芯片层进行光连接时,在该光电子芯片器件层上设置光栅耦合器,并对光栅耦合器的结构和参数进行设计。本发明还公开多层芯片的光连接方法。利用光栅耦合器光衍射方向可通过结构和参数的设计灵活改变的特性,以及工作光波长可穿透整个光电子芯片的原理,实现多层光电子芯片间的自由光连接,进而在高度维度上大幅提高光子集成芯片的集成度。
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公开(公告)号:CN118033821A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202410170323.9
申请日:2024-02-06
申请人: NANO科技(北京)有限公司
摘要: 本发明公开一种硅基光波导边缘耦合结构,包括:分束器以及设置于所述分束器输出侧的至少两个硅波导;所述分束器为基于悬臂梁结构的二氧化硅分束器,所述分束器将输入光分路后再耦合进各个所述硅波导中。本申请利用基于悬臂梁结构的二氧化硅分束器实现入射光的分束,将较大光功率的输入光分束为多路较小光功率的光后再耦合进入硅波导中,使得各硅波导可分摊应对输入光,不仅提升对入射光功率的承受上限,而且实现更小的耦合损耗,提高耦合效率。
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公开(公告)号:CN117895999A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202410114273.2
申请日:2024-01-28
申请人: NANO科技(北京)有限公司
IPC分类号: H04B10/077
摘要: 本发明公开一种光发射器件眼图调试方法,包括:计算数字预失真系数;利用数字预失真系数获取预失真处理后的波形,并基于预失真处理后的波形对光发射器件进行眼图测试。本发明还公开一种光发射器件眼图调试系统,包括:数字信号源模块、激光器设备、偏振控制器、光开关、分光器、时钟恢复单元、数字通信分析仪、上位机。通过对参考信号波形进行数字预失真处理的方式修正数字信号源模块的输出波形,以补偿测试链路、光发射器件封装等损耗及非线性效应,进而实现光发射器件眼图性能的快速评估,避免了繁冗的多参数调测过程,节约调试时间,提升测试效率;通用性强,适用于在不同温度条件下,以及采用不同光电芯片封装而成的光发射器件的眼图调试。
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公开(公告)号:CN113540063B
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN202110803591.6
申请日:2021-07-14
申请人: NANO科技(北京)有限公司
IPC分类号: H01L25/16 , G02B6/12 , H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/18
摘要: 本发明提供一种兼容锗硅探测器和薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片,包括:薄膜铌酸锂调制器以及单片集成在硅光集成芯片中的锗硅结构探测器。本发明采用混合集成方式将薄膜铌酸锂调制器集成到硅光集成芯片,完成集成后的集成芯片既拥有高速调制器,也具备高速探测器,可更好的满足未来通信对信号传输速率的要求;保证小型化的前提下大幅提升集成度;大大提高了调制效率和带宽。
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公开(公告)号:CN117130095A
公开(公告)日:2023-11-28
申请号:CN202311108763.3
申请日:2023-08-31
申请人: NANO科技(北京)有限公司
摘要: 本发明公开一种光电子芯片,当该光电子芯片需要与上方芯片层和/或下方芯片层进行光连接时,在该光电子芯片器件层上设置光栅耦合器,并对光栅耦合器的结构和参数进行设计。本发明还公开一种芯片堆叠封装系统及多层芯片的光连接方法。利用光栅耦合器光衍射方向可通过结构和参数的设计灵活改变的特性,以及工作光波长可穿透整个光电子芯片的原理,实现多层光电子芯片间的自由光连接,进而在高度维度上大幅提高光子集成芯片的集成度。
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公开(公告)号:CN117060996A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202311087660.3
申请日:2023-08-28
申请人: NANO科技(北京)有限公司
IPC分类号: H04B10/079 , H04B10/61
摘要: 本发明公开一种相干接收芯片的相位误差评测系统,包括:光源,用于提供相干光;前端光路,用于对相干光进行处理,以输出两束相互间存在时延的相干光。无需改变芯片原始设计结构,且测试链路构成灵活,测试方式简洁;本申请的评测系统,使得相位误差可以在晶圆级或芯片级测试中测量,即在将相干接收芯片封装为相干接收模组前实现提前筛选,可有效降低风险外溢至相干接收模块或相干通信系统的风险。
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公开(公告)号:CN117059693A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202311170856.9
申请日:2023-09-12
申请人: NANO科技(北京)有限公司
IPC分类号: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L27/146
摘要: 本发明公开一种雪崩光电二极管阵列,包括:基底以及生长于基底上且呈矩阵排列的至少一个雪崩光电二极管元胞结构;雪崩光电二极管元胞结构包括:吸收区、雪崩区、行信号引出线、行信号处理集成电路、列信号引出线以及列信号处理集成电路。吸收区和雪崩区横向分布,同时雪崩区内的载流子雪崩为垂直运输,且吸收区与雪崩区的漂移区连通,利于光生载流子的运输和倍增;吸收区上加入第三电极金属区,精准控制吸收区内部电场,可抑制暗电流或暗计数,并扩展传感器的探测波段;吸收区的四周布置雪崩区,可通过对雪崩区的信号统计,进一步确定光子在吸收区内的入射位置,提高位置探测精度。
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公开(公告)号:CN116679504A
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202310684207.4
申请日:2023-06-12
申请人: NANO科技(北京)有限公司
摘要: 本发明公开一种高出射光功率的光学相控阵,采用两级构架完成功率分路,两级构架包括:一级功率分路模块,用于将输入的相干光进行初步功率分路;二级功率分路模块,用于将分路后的相干光做进一步分路,且二级功率分路模块与相位调制模块位于同一芯片上或采用相同的工艺/材料进行制备。用两级构架实现功率分路,先由一级功率分路模块进行初步的功率分路,再由生产制造上与相位调制模块可较好兼容的二级功率分路模块完成进一步的功率分路,相较于现有的方案,相控阵能支持更大的光功率,进而提升激光雷达的最大工作距离与远距离下的扫描测距精度。
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公开(公告)号:CN116679386A
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202310684200.2
申请日:2023-06-12
申请人: NANO科技(北京)有限公司
IPC分类号: G02B6/42
摘要: 本发明公开一种CPO光引擎,包括:上壳体、PCB板以及封盖;PCB板的上表面开设装载槽,且装载槽内设置热沉,热沉的上表面开设用于装载器件的台阶结构以及导热台阶;封盖的内侧面设置与导热台阶接触的内侧散热台阶,封盖的外侧面作为外侧散热台阶与上壳体接触。本申请通过在PCB板上表面开槽并设置热沉,同时通过封盖与上壳体接触散热,对光引擎的封装结构重新布置与设计,从而将封装转变为向上散热,芯片封装区的结构设计不仅可改善芯片散热,降低温升,使得芯片热量快速扩散至顶面,提高散热效率,而且还可保证封装的密封需求,同时减小芯片封装应力,降低封装难度。
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公开(公告)号:CN111240052B
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202010159734.X
申请日:2020-03-10
申请人: NANO科技(北京)有限公司
摘要: 本发明公开了一种共面波导传输线及带有该共面波导传输线的硅基电光调制器。共面波导传输线为蜿蜒形状。硅基电光调制器包括脊型光波导;光分束器,用于将所述脊型光波导中的光分成两束分别进入第一光臂和第二光臂;所述第一光臂和所述第二光臂中的至少一个光臂包括周期性间隔设置的多个有源段和多个无源段;光合束器,用于将所述第一光臂和第二光臂中的光信号合成一束;其中,所述至少一个光臂交替地穿过所述共面波导传输线。本发明的技术方案使得光波导的有源段均匀地分布在共面波导传输线的两侧,从而在抑制了共面波导传输线的不平衡性导致的其他模式的同时,避免光波导的光的传输路径变长减小了电光调制器速度失配,实现了硅基电光调制器的高速率工作。
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