-
公开(公告)号：CN117130095B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311108763.3
申请日：2023-08-31
申请人： NANO科技(北京)有限公司
摘要： 本发明公开一种芯片堆叠封装系统，当该光电子芯片需要与上方芯片层和/或下方芯片层进行光连接时，在该光电子芯片器件层上设置光栅耦合器，并对光栅耦合器的结构和参数进行设计。本发明还公开多层芯片的光连接方法。利用光栅耦合器光衍射方向可通过结构和参数的设计灵活改变的特性，以及工作光波长可穿透整个光电子芯片的原理，实现多层光电子芯片间的自由光连接，进而在高度维度上大幅提高光子集成芯片的集成度。
-
公开(公告)号：CN118033821A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410170323.9
申请日：2024-02-06
申请人： NANO科技(北京)有限公司
摘要： 本发明公开一种硅基光波导边缘耦合结构，包括：分束器以及设置于所述分束器输出侧的至少两个硅波导；所述分束器为基于悬臂梁结构的二氧化硅分束器，所述分束器将输入光分路后再耦合进各个所述硅波导中。本申请利用基于悬臂梁结构的二氧化硅分束器实现入射光的分束，将较大光功率的输入光分束为多路较小光功率的光后再耦合进入硅波导中，使得各硅波导可分摊应对输入光，不仅提升对入射光功率的承受上限，而且实现更小的耦合损耗，提高耦合效率。
-
公开(公告)号：CN113540063B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202110803591.6
申请日：2021-07-14
申请人： NANO科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , G02B6/12 , H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种兼容锗硅探测器和薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片，包括：薄膜铌酸锂调制器以及单片集成在硅光集成芯片中的锗硅结构探测器。本发明采用混合集成方式将薄膜铌酸锂调制器集成到硅光集成芯片，完成集成后的集成芯片既拥有高速调制器，也具备高速探测器，可更好的满足未来通信对信号传输速率的要求；保证小型化的前提下大幅提升集成度；大大提高了调制效率和带宽。
-
公开(公告)号：CN117130095A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311108763.3
申请日：2023-08-31
申请人： NANO科技(北京)有限公司
摘要： 本发明公开一种光电子芯片，当该光电子芯片需要与上方芯片层和/或下方芯片层进行光连接时，在该光电子芯片器件层上设置光栅耦合器，并对光栅耦合器的结构和参数进行设计。本发明还公开一种芯片堆叠封装系统及多层芯片的光连接方法。利用光栅耦合器光衍射方向可通过结构和参数的设计灵活改变的特性，以及工作光波长可穿透整个光电子芯片的原理，实现多层光电子芯片间的自由光连接，进而在高度维度上大幅提高光子集成芯片的集成度。
-
公开(公告)号：CN111240052B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010159734.X
申请日：2020-03-10
申请人： NANO科技(北京)有限公司
摘要： 本发明公开了一种共面波导传输线及带有该共面波导传输线的硅基电光调制器。共面波导传输线为蜿蜒形状。硅基电光调制器包括脊型光波导；光分束器，用于将所述脊型光波导中的光分成两束分别进入第一光臂和第二光臂；所述第一光臂和所述第二光臂中的至少一个光臂包括周期性间隔设置的多个有源段和多个无源段；光合束器，用于将所述第一光臂和第二光臂中的光信号合成一束；其中，所述至少一个光臂交替地穿过所述共面波导传输线。本发明的技术方案使得光波导的有源段均匀地分布在共面波导传输线的两侧，从而在抑制了共面波导传输线的不平衡性导致的其他模式的同时，避免光波导的光的传输路径变长减小了电光调制器速度失配，实现了硅基电光调制器的高速率工作。
-
公开(公告)号：CN113540063A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110803591.6
申请日：2021-07-14
申请人： NANO科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , G02B6/12 , H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种兼容锗硅探测器和薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片，包括：薄膜铌酸锂调制器以及单片集成在硅光集成芯片中的锗硅结构探测器。本发明采用混合集成方式将薄膜铌酸锂调制器集成到硅光集成芯片，完成集成后的集成芯片既拥有高速调制器，也具备高速探测器，可更好的满足未来通信对信号传输速率的要求；保证小型化的前提下大幅提升集成度；大大提高了调制效率和带宽。
-
公开(公告)号：CN118707651A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410986783.9
申请日：2024-07-22
申请人： NANO科技(北京)有限公司
摘要： 本发明公开了一种激光器直接耦合的硅光芯片及其制造方法、电子装置，所述硅光芯片包括：衬底、第一介质层结构和模斑转换结构；其中，所述第一介质层结构位于所述衬底上，所述第一介质层结构具有一用于与激光器的出光口端面直接耦合的第一端面，所述第一端面沿第一方向形成为第一柱面透镜形状、沿第二方向形成为第二柱面透镜形状；所述模斑转换结构位于所述第一介质层结构内部。
-
公开(公告)号：CN117976666A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410175148.2
申请日：2021-07-14
申请人： NANO科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , G02B6/12 , H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种将薄膜铌酸锂调制器集成到硅光集成芯片的工艺，所述硅基薄膜铌酸锂调制器包括：硅光波导、薄膜铌酸锂波导和垂直绝热耦合器。其中所述工艺包括以下步骤：以单片集成的方式将锗硅结构探测器集成在硅光集成芯片中；由SOI晶圆的顶层硅刻蚀形成所述硅光波导；将薄膜铌酸锂波导贴合在硅光集成芯片上对应于硅光波导的位置处；通过垂直绝热耦合器将所述硅光波导中的光导入到所述薄膜铌酸锂波导中，以及将所述薄膜铌酸锂波导中的光导回至所述硅光波导中。本发明采用混合集成方式将薄膜铌酸锂调制器集成到硅光集成芯片，完成集成后的集成芯片既拥有高速调制器，也具有高速探测器。
-
公开(公告)号：CN111240052A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010159734.X
申请日：2020-03-10
申请人： NANO科技(北京)有限公司
摘要： 本发明公开了一种共面波导传输线及带有该共面波导传输线的硅基电光调制器。共面波导传输线为蜿蜒形状。硅基电光调制器包括脊型光波导；光分束器，用于将所述脊型光波导中的光分成两束分别进入第一光臂和第二光臂；所述第一光臂和所述第二光臂中的至少一个光臂包括周期性间隔设置的多个有源段和多个无源段；光合束器，用于将所述第一光臂和第二光臂中的光信号合成一束；其中，所述至少一个光臂交替地穿过所述共面波导传输线。本发明的技术方案使得光波导的有源段均匀地分布在共面波导传输线的两侧，从而在抑制了共面波导传输线的不平衡性导致的其他模式的同时，避免光波导的光的传输路径变长减小了电光调制器速度失配，实现了硅基电光调制器的高速率工作。
-
公开(公告)号：CN117976667B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410175149.7
申请日：2021-07-14
申请人： NANO科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , G02B6/12 , H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种适用于硅光集成芯片的硅基薄膜铌酸锂调制器，其中锗硅结构探测器以单片集成的方式集成在硅光集成芯片上。所述硅基薄膜铌酸锂调制器包括：硅光波导；薄膜铌酸锂波导，所述薄膜酸锂波导倒贴在硅光波导的上方；垂直绝热耦合器，所述垂直绝热耦合器将所述硅光波导中的光导入到所述薄膜铌酸锂波导中，以及将所述薄膜铌酸锂波导中的光导回至所述硅光波导中。本发明的薄膜铌酸锂调制器可实现超大电光带宽并且光损耗较低，是较为理想的调制器类型。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
28 条记录 (耗时 0.03 秒)
