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公开(公告)号：CN108257835A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810122302.4
申请日：2018-02-07
申请人： 东莞市阿甘半导体有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种气体放电管及过压保护装置。其中，该气体放电管包括：密封放电腔体，密封放电腔体内部充有放电气体；至少两个导电电极，至少两个导电电极的放电电极面位于密封放电腔体的内表面和/或内部；密封放电腔体包括至少一个可伸缩部件，至少一个可伸缩部件密封密封放电腔体的部分区域；可伸缩部件用于在至少两个导电电极之间放电使放电气体升温膨胀时，可伸缩部件拉伸或收缩，以增大至少两个导电电极的放电电极面之间的放电间隙，使气体放电管续流遮断。本发明实施例的技术方案可以实现有效的过电压保护，并在过电压消失后，可自行有效地遮断流过气体放电管的续流。
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公开(公告)号：CN106876357A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710059134.4
申请日：2017-01-24
申请人： 东莞市阿甘半导体有限公司
发明人： 付猛
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/36 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/492 , H01L23/3114 , H01L23/36
摘要： 提供了一种用于芯片封装的电极，该电极包括基体，该基体的膨胀系数的范围为0‑12×10‑6/℃并且该基体的材料为：石墨、钨和金属化非导电材料中的一种；或石墨、钨和非导电材料中的一种或一种以上与第一导电材料形成的复合材料。还提供了一种芯片封装结构，包括：芯片；以及一个或多个与该芯片连接的如上面所述的电极。
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公开(公告)号：CN109950888A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201711387651.0
申请日：2017-12-20
申请人： 东莞市阿甘半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种直流电源保护电路及电子设备，该第一保护支路包括串联的半导体放电管和瞬态抑制二极管，第一直流线路接入正极电压，第二直流线路接入负极电压；第一直流线路和第二直流线路之间的正向电压大于第一预设电压时，瞬态抑制二极管和半导体放电管导通，第一预设电压为瞬态抑制二极管的钳位电压和半导体放电管的转折电压的叠加；第一直流线路和第二直流线路之间的反向电压大于第二预设电压时，瞬态抑制二极管和半导体放电管呈两个串联的正向二极管导通。实现了减小直流电源保护电路的残压、减小芯片功耗、面积和降低直流电源保护电路的成本，以及实现了直流电源保护电路的小型化和防反接的多重防护的效果。
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公开(公告)号：CN109755932A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201711077959.5
申请日：2017-11-06
申请人： 东莞市阿甘半导体有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种交流电源浪涌保护装置及电子设备。其中，该交流电源浪涌保护装置包括：第一保护支路，该第一保护支路包括双向半导体放电管和开路失效型器件，双向半导体放电管和开路失效型器件串联连接于第一保护支路中，第一保护支路的第一端与第一交流线路电连接，第二端与第二交流线路电连接；第一保护支路用于在第一交流线路和第二交流线路之间的电压的绝对值大于预设电压时，第一保护支路导通；开路失效型器件用于在第一保护支路导通时，产生的温度大于开路失效型器件内部的熔断温度时开路，以切断第一保护支路。本发明实施例的技术方案可在工频电压异常时，或防护器件短路时，浪涌保护装置可以断路，从而提高浪涌保护装置的可靠性和安全性。
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公开(公告)号：CN108305822A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810063839.8
申请日：2018-01-23
申请人： 东莞市阿甘半导体有限公司
发明人： 付猛
摘要： 本发明公开了一种气体放电管、过电压保护装置及气体放电管的制造方法。该气体放电管包括：绝缘基座、至少一个第一电极和第二电极，第一电极设置于绝缘基座的封接区域，并且每个第一电极贯穿对应的封接区域和绝缘基座；第二电极设置于绝缘基座靠近第一电极的一侧；绝缘基座包括第一封接面，第二电极的主体结构包括第二封接面，第二封接面设置于绝缘基座的一侧，并与第一封接面相对设置，第一封接面和第二封接面封接，主体结构、第一电极与绝缘基座密封形成空腔结构。本发明实施例解决了现有的集成气体放电管的管壁暴露在放电间隙，容易产生阻抗下降，甚至短路失效的问题，实现了提高气体放电管抗雷击的稳定性和延长气体放电管的寿命的效果。
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公开(公告)号：CN108091531A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201810062097.7
申请日：2018-01-22
申请人： 东莞市阿甘半导体有限公司
发明人： 付猛
摘要： 本发明公开一种气体放电管及过电压保护装置，该气体放电管包括至少一绝缘体、至少两个电极组件和至少一电极冷却物，绝缘体设有通孔，至少两个电极组件相对的表面形成放电面，绝缘体和至少两个电极组件共同围合形成一放电内腔，通孔与放电内腔连通，通过将电极冷却物与一电极组件连接，且电极冷却物朝向放电内腔的表面与该电极组件的放电面之间的最短距离为H，H的取值范围为0mm≤H≤1.2mm。当惰性气体进行弧光放电时，电极冷却物对与之连接的电极组件进行冷却，延缓放电面温度上升，防止放电面由于过热而导致电极组件烧毁或短路，提高了安全性。
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公开(公告)号：CN108054216A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201810003238.8
申请日：2018-01-03
申请人： 东莞市阿甘半导体有限公司
发明人： 陈林
IPC分类号： H01L29/861
CPC分类号： H01L29/861
摘要： 本发明公开了一种单向二极管芯片包括：单向二极管芯片主体、正极和负极，正极和负极与单向二极管芯片主体电连接，正极和负极设置在单向二极管芯片主体的同侧。通过本发明的技术方案，将单向二极管芯片主体的正极和负极均设置在二极管芯片主体的同侧，这样在对二极管芯片主体进行封装时，只需一个封装架就可以完成，在电路板上进行焊接时，无需占用电路板太多的空间，有效减少了焊接面积。
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公开(公告)号：CN107464791A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710689849.8
申请日：2017-08-11
申请人： 东莞市阿甘半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/495
CPC分类号： H01L23/3121 , H01L23/49517 , H01L23/49579 , H01L23/49811
摘要： 本发明公开了一种共用电极半导体封装结构，本发明通过利用公共电极端连接芯片层中的半导体芯片，使半导体芯片具有一个共用电极，从而实现了一颗元器件代替多颗元器件的方案，具有降低占板面积，提升贴片效率，降低生产成本，提高产品的集成度的优点。
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公开(公告)号：CN106783784A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710059168.3
申请日：2017-01-24
申请人： 东莞市阿甘半导体有限公司
发明人： 付猛
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/49
摘要： 提供了一种芯片封装电极结构，包括：第一导电层，该第一导电层具有第一热膨胀系数；以及膨胀抑制层，至少部分地覆盖该第一导电层并用于抑制该第一导电层的膨胀，该膨胀抑制层具有第二膨胀系数并且该第二膨胀系数小于该第一热膨胀系数。还提供了一种芯片封装结构，包括：芯片；以及一个或多个与该芯片连接的如上面所述的电极。
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公开(公告)号：CN106783787A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710059273.7
申请日：2017-01-24
申请人： 东莞市阿甘半导体有限公司
发明人： 付猛
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/36 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/492 , H01L23/31 , H01L23/36
摘要： 提供了一种用于芯片封装的电极，该电极包括：第一基体材料，该第一基体材料的热膨胀系数范围为0‑12×10‑6/℃；以及第二基体材料，该第二基体材料为导电材料且该第二基体材料的热导率范围为60‑600W/m﹒k；其中该第一基体材料与该第二基体材料混合形成复合材料，或者该第一基体材料和该第二基体材料中的一者嵌设于另一者的一个或多个部位。还提供了一种芯片封装结构，包括：芯片；以及一个或多个与该芯片连接的如上面所述的电极，其中该第一基体材料和该第二基体材料通过焊接层或导电连接物与芯片连接。
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