像素结构、阵列基板
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112327550B

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202011049894.5

    申请日:2020-09-29

    摘要: 本发明提供像素结构及阵列基板,像素分为3个子像素,即主区子像素、中区子像素和次区子像素,主区子像素、中区子像素和次区子像素分别通过不同的薄膜晶体管连接到同一条数据线上,进而进行控制液晶电容的充放电,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的栅极连接到同一条栅极线Gn上,Gn输出高低电平。第三薄膜晶体管位于下一栅极线Gn+1上,控制次区子像素的电压。第五薄膜晶体管的栅极与栅极线Gn相连,控制中区子像素的电压。中区子像素中共享电极(Sharebarcom)的电压为直流电压,可以方便调节,有助于改变液晶的导向,改善视角。阵列基板采用列反转模式加交叉充放电架构,进而形成点反转模式,可以有效减小显示面板的闪烁,以及减小功耗。

    像素结构、阵列基板
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112327550A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN202011049894.5

    申请日:2020-09-29

    摘要: 本发明提供像素结构及阵列基板,像素分为3个子像素,即主区子像素、中区子像素和次区子像素,主区子像素、中区子像素和次区子像素分别通过不同的薄膜晶体管连接到同一条数据线上,进而进行控制液晶电容的充放电,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的栅极连接到同一条栅极线Gn上,Gn输出高低电平。第三薄膜晶体管位于下一栅极线Gn+1上,控制次区子像素的电压。第五薄膜晶体管的栅极与栅极线Gn相连,控制中区子像素的电压。中区子像素中共享电极(Sharebarcom)的电压为直流电压,可以方便调节,有助于改变液晶的导向,改善视角。阵列基板采用列反转模式加交叉充放电架构,进而形成点反转模式,可以有效减小显示面板的闪烁,以及减小功耗。

    一种用于中子散射谱仪的导管切换装置

    公开(公告)号:CN109256233B

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN201810835483.5

    申请日:2018-07-26

    IPC分类号: G21K1/02

    摘要: 本发明公开了一种用于中子散射谱仪的导管切换装置,包括支架、同心轴组件及中子导管段,同心轴组件安装于支架,同心轴组件包括若干空心轴,每一空心轴固定有若干中子导管段,每一空心轴上的中子导管段的类型不同,若干空心轴能够相对支架转动,使每一空心轴上的若干中子导管段相对支架旋转组合形成不同功能的中子导管。通过四段不同类型中子导管段的组合,针对不同实验样品测量时对中子束流强度和分辨的需求,优化配置中子导管段组合,使得单独一台中子散射谱仪具备可调整中子强度和分辨率的不同工作模式,解决同一台中子散射谱仪难以兼顾中子强度和分辨的难题。