-
公开(公告)号：CN113388788B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202110505655.4
申请日：2021-05-10
申请人： 东莞材料基因高等理工研究院 , 广东书彦材料基因创新科技有限公司
IPC分类号： C22C38/12 , C22C38/22 , C22C38/14 , C22C38/26 , C22C38/28 , C22C38/24 , B33Y70/00 , C21D1/18 , C21D6/00
摘要： 本发明公开了一种MC和Laves相强化的高导热增材制造模具钢，包括以下按重量百分比计的组分：C0.1～0.2wt％和强碳化物形成元素M0.6～2.3wt％，余量为Fe；其中，强碳化物形成元素M与C的摩尔比为1：1.0～1.55。该材料包括Fe、C和M，C与M形成MC碳化物，Fe和M形成Fe2M‑Laves相；通过调整M/C＝1.0～1.55，使合金中同时析出MC碳化物和Fe2M‑Laves相，最大限度降低合金中固溶元素的含量，所以材料同时具有高的热导率和硬度；同时，通过降低C含量，经过实验证实能减少3D打印时模具钢开裂的情况，使合金具有良好的3D打印工艺性能。
-
公开(公告)号：CN112327550B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202011049894.5
申请日：2020-09-29
申请人： 东莞材料基因高等理工研究院 , 广东书彦材料基因创新科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09G3/36
摘要： 本发明提供像素结构及阵列基板，像素分为3个子像素，即主区子像素、中区子像素和次区子像素,主区子像素、中区子像素和次区子像素分别通过不同的薄膜晶体管连接到同一条数据线上，进而进行控制液晶电容的充放电，第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的栅极连接到同一条栅极线Gn上，Gn输出高低电平。第三薄膜晶体管位于下一栅极线Gn+1上，控制次区子像素的电压。第五薄膜晶体管的栅极与栅极线Gn相连，控制中区子像素的电压。中区子像素中共享电极(Sharebarcom)的电压为直流电压，可以方便调节，有助于改变液晶的导向，改善视角。阵列基板采用列反转模式加交叉充放电架构，进而形成点反转模式，可以有效减小显示面板的闪烁，以及减小功耗。
-
公开(公告)号：CN111074332B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201911414615.8
申请日：2019-12-31
申请人： 东莞材料基因高等理工研究院 , 广东书彦材料基因创新科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种快速消除单晶高温合金中微观偏析的热处理方法，包括：S1采用定向凝固工艺制备单晶高温合金的单晶试棒，所述单晶高温合金中含有高熔点稀有金属；S2采用金相法确定所述单晶高温合金初熔温度；S3均匀化处理：将所述单晶试棒在高出所述初熔温度1‑20℃的温度下保温1‑20h，空冷至室温。本发明采用的均匀化热处理温度高于单晶高温合金的初熔温度，通过热处理温度和保温时间的合理选择和搭配，可以最终消除合金中的枝晶偏析和最初产生的初熔组织，不影响合金的性能，还可以提高合金的长期组织稳定性。
-
公开(公告)号：CN114778578A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210300729.5
申请日：2022-03-24
申请人： 东莞材料基因高等理工研究院 , 广东书彦材料基因创新科技有限公司
IPC分类号： G01N23/207 , G01L5/00 , G01L1/25
摘要： 本发明公开了一种用于金属增材制造过程残余应力检测的中子衍射设备，包括检测机构，检测机构包括中子束生成装置和多个衍射探测装置，中子束生成装置用于发射入射中子束，衍射探测装置位于入射中子束的侧边，入射中子束照射至工件并衍射产生多个与入射中子束相垂直的出射中子束，衍射探测装置接收出射中子束；检测机构设有多个衍射探测阵列装置，通过飞行时间方法每个探测阵列都可以同时采集多个衍射峰的衍射数据，为多峰全谱分析提供数据基础，分析数据还可获得不同晶面的晶格应变、相变、组织结构信息。
-
公开(公告)号：CN112327550A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011049894.5
申请日：2020-09-29
申请人： 东莞材料基因高等理工研究院 , 广东书彦材料基因创新科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09G3/36
摘要： 本发明提供像素结构及阵列基板，像素分为3个子像素，即主区子像素、中区子像素和次区子像素,主区子像素、中区子像素和次区子像素分别通过不同的薄膜晶体管连接到同一条数据线上，进而进行控制液晶电容的充放电，第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的栅极连接到同一条栅极线Gn上，Gn输出高低电平。第三薄膜晶体管位于下一栅极线Gn+1上，控制次区子像素的电压。第五薄膜晶体管的栅极与栅极线Gn相连，控制中区子像素的电压。中区子像素中共享电极(Sharebarcom)的电压为直流电压，可以方便调节，有助于改变液晶的导向，改善视角。阵列基板采用列反转模式加交叉充放电架构，进而形成点反转模式，可以有效减小显示面板的闪烁，以及减小功耗。
-
公开(公告)号：CN112326540A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011069396.7
申请日：2020-09-30
申请人： 东莞材料基因高等理工研究院 , 广东书彦材料基因创新科技有限公司
摘要： 本发明提供基于BP网络模型的核用锆‑4合金耐腐蚀性能预测方法，包括步骤：获取原始数据样本，提取特征信息，构建BP网络模型，验证BP网络模型。本发明涉及一种电子设备和存储介质，用于执行上述方法。本发明针对不同合金成分对核用锆‑4合金腐蚀性能影响预测问题，以BP网络模型为中心，结合主成分分析技术对输入变量进行降维去噪处理，提取特征信息，有效改善了传统BP网络模型的预测精度和泛化能力，构建了锆‑4合金成分含量与腐蚀性能的非线性映射关系模型，解决了目前通过大量实验法进行腐蚀性能研究而造成的研发周期长、效率低以及成本浪费问题，为新型锆合金研发提供了一种新的技术手段。
-
公开(公告)号：CN112082926A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010783813.8
申请日：2020-08-06
申请人： 东莞材料基因高等理工研究院 , 广东书彦材料基因创新科技有限公司
IPC分类号： G01N17/00 , G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
摘要： 本发明公开了一种用于中子衍射的腐蚀环境试验装置包括：腐蚀液体循环回路，包括依次连接的液体储罐、循环泵、蓄能器、加热器、流量计、温度计、样品加载装置、离子测量仪、酸度测量仪、背压阀、精过滤器以及连接管路；本装置配合中子衍射谱仪使用；样品加载装置包括力学加载部件和样品环境箱。本发明可测量裂纹生长过程中的应力分布情况，达到在原位腐蚀条件下对样品腐蚀裂纹进行内部应力测量，用于裂纹生长机理研究的目的。
-
公开(公告)号：CN111826590A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010513539.2
申请日：2020-06-08
申请人： 东莞材料基因高等理工研究院 , 广东书彦材料基因创新科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种Fe23Zr6和Fe2M-Laves相共强化的FeCrAl不锈钢，由以下成分组成(wt.％)：Cr13～15％、Al4～5％、Mo1.5～3％、Nb0.5～1.5％、Ta0～1％、Zr0.4～1％，余量为Fe和杂质。通过增加Zr的量，配合特定配比的其他合金成分，采用本发明公开的制备方法，可以在基体中形成Fe23Zr6和Fe2M-Laves两种金属间化合物强化相，其中Fe23Zr6相在1200℃下依然存在，能有效抑制超高温下晶粒长大，显著提升合金的高温组织稳定性与力学性能，解决现有技术中FeCrAl在1100℃以上时组织稳定性差、晶粒快速粗化而导致性能严重恶化的问题。
-
公开(公告)号：CN111710942A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010506347.9
申请日：2020-06-05
申请人： 东莞材料基因高等理工研究院 , 广东书彦材料基因创新科技有限公司
IPC分类号： H01P1/20
摘要： 本发明公开了一种TM模介质滤波器，包括壳体、介质谐振器以及盖板，介质谐振器收容于壳体内，壳体设有圆环壁，介质谐振器位于圆环壁上，弹性环与圆环壁及介质谐振器底部过盈配合以限制介质谐振器底部的水平位移，连接座安装于介质谐振器端部，介质谐振器端部收容于下边缘内以限制介质谐振器端部的水平位移，盖板固定于壳体，盖板与连接座的抵触部抵触使形变部变形，连接座抵压介质谐振器使介质谐振器与壳体紧密接触，介质谐振器的上端面受到连接座的约束，下端面受到弹性环的约束，限制水平方向的位移，从而保证滤波器谐振频率稳定性，连接座为形变部件，吸收各零部件随温度变化产生不同变形量而造成的空隙或压力，保证滤波器性能的可靠性。
-
公开(公告)号：CN111077172A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911292550.4
申请日：2019-12-16
申请人： 东莞材料基因高等理工研究院 , 广东书彦材料基因创新科技有限公司
IPC分类号： G01N23/046
摘要： 本发明公开了一种X射线CT成像装置，包括：X射线管、X射线管回转座、椭圆反射镜、局部高精度探测器、以及局部高精度探测器回转座；X射线管可转动连接于X射线管回转座上；局部高精度探测器可转动连接于局部高精度探测器回转座上；椭圆反射镜的镜面朝向于待检测的电路板样品，X射线管设置在椭圆反射镜所在椭圆的一个焦点上，电路板样品、局部高精度探测器依次设置于X射线管发出的射线经椭圆反射镜的镜面反射后所经过的路径上。本发明解决了现有技术中难以对大面积集成电路板进行局部高精度扫描的难题，能够对电路板关键部件的散热结构、芯片焊接等情况进行CT成像，极大地提高了大面积集成电路板的质量检测效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
67 条记录 (耗时 0.071 秒)
