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公开(公告)号:CN119573927A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411725738.4
申请日:2024-11-28
Applicant: 中电科芯片技术(集团)有限公司
Abstract: 本发明属于MEMS压阻式压力传感器技术领域,具体涉及一种原位减小输出漂移的压力传感器芯片及其制备方法,包括硅衬底、第一玻璃和第二玻璃;所述硅衬底正面包括多个敏感电阻和校准电阻,敏感电阻形成第一惠斯通电桥,并位于敏感结构应力集中区,校准电阻形成第二惠斯通电桥,并位于固支结构无应力区;本发明通过掺杂工艺制备而成敏感电阻和校准电阻,敏感电阻和校准电阻形成的第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥的差值就是压力信号,通过上述结构去除了压力传感器芯片在加工和封装过程中残余应力带来的偏移信号,原位减小了输出漂移量,压力传感器的性能得到了保障。
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公开(公告)号:CN119380099A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202411514943.6
申请日:2024-10-29
Applicant: 中电科芯片技术(集团)有限公司
IPC: G06V10/764 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06V10/766 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/084 , G06T7/00 , G06T7/73
Abstract: 本发明涉及一种基于改进YOLOv9的微电子器件表面缺陷检测方法,该方法包括:采集微电子器件表面图像,经缺陷分类、标注后形成微电子器件表面图像样本集,再经数据增强得到扩充数据集,将其划分为训练集、验证集和测试集;在YOLOv9模型的主干网络backbone中引入高效多尺度注意力机制模块,构建基于改进YOLOv9的微电子器件表面缺陷检测模型;利用训练集中训练样本对基于改进YOLOv9的微电子器件表面缺陷检测模型进行训练,得到优化后的微电子器件表面缺陷检测模型;获取待检测的微电子器件图像,将其输入优化后的微电子器件表面缺陷检测模型进行检测,输出检测分类结果。本发明可以解决小样本和小目标下的缺陷检测效果较差的问题,提高微电子器件表面缺陷检测的准确率。
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公开(公告)号:CN119269837A
公开(公告)日:2025-01-07
申请号:CN202411618361.2
申请日:2024-11-13
Applicant: 中电科芯片技术(集团)有限公司
IPC: G01P15/125 , B81B7/02 , B81B7/00 , B81C3/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及半导体芯片制造技术领域,具体涉及一种硅基MEMS三轴加速度传感器及制作方法,包括:第一敏感单元、第二敏感单元、第三敏感单元、器件层、锚点、下盖板以及上盖板;第一敏感单元、第二敏感单元、第三敏感单元均设置在器件层,第二轴敏感单元和第三轴敏感单元镶嵌入第一敏感单元,且三个敏感单元共用同一个锚点;所述第一敏感单元用于检测Z轴加速度,所述第二敏感单元用于检测X轴加速度,所述第三敏感单元用于检测Y轴加速度;采用上盖板和下盖板将对器件层进行封装;本发明采用三个传感单元共用一个锚点,有效减小器件的应力,有效减小电学走线复杂程度。
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公开(公告)号:CN111797963B
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202010664230.3
申请日:2020-07-10
Applicant: 中电科芯片技术(集团)有限公司
IPC: G06K19/077 , G06K17/00 , G01D21/02
Abstract: 本发明涉及一种阻抗型无线无源传感器,属于无线无源传感器技术领域。该传感器包括改进的RFID芯片、敏感头、天线和阅读器;改进的RFID芯片包括电流检测电路、射频前端模块、数字基带模块和存储器模块;电流检测电路包括基准电压源、低摆幅运算放大器、振荡器、分频器和计数器,对接入的阻抗负载的电流变化数据进行运算及处理。本发明传感器可实现RFID与不同阻抗型敏感芯片的灵活匹配组合,从而实现温度、气体浓度等多种外界信息的检测。
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公开(公告)号:CN118292104A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202410422245.7
申请日:2024-04-09
Applicant: 中电科芯片技术(集团)有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明涉及一种均匀集成钨片的闪烁晶体阵列的制备方法,包括以下步骤:预先获得一种定型模具,定型模具具有若干呈阵列排布的竖向的晶体条容置腔,晶体条容置腔上下两端敞口;将定型模具放置在水平的底板上;将晶体条一一插入所有晶体条容置腔中,并采用粘接剂使晶体条固定于对应的晶体条容置腔内,晶体条的四个侧面和上表面均覆有一层反射层;固化成型后,拆除底板和定型模具不需要的部分,使定型模具留下部分作为闪烁晶体阵列的组成部分且材质为钨材,同时预先使晶体条容置腔壁厚为拟集成钨片的厚度。本发明能保证钨片与晶体反射层之间的距离是均匀的,优化晶体和钨片之间的界面耦合,有助于提高闪烁晶体阵列的分辨率和探测性能。
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公开(公告)号:CN113817140B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202111128609.3
申请日:2021-09-26
Applicant: 中电科芯片技术(集团)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种树枝状聚合物,以四(4‑乙炔基苯基)甲烷为核心,以苯基对位上含有带保护基的炔基取代基的四苯基环戊二烯酮为扩链剂,重复进行酮基与炔基的反应、以及炔基保护基的水解脱保护,最后以四苯基环戊二烯酮反应封端。本发明获得的聚合物具有大量苯环结构和孔结构,可以用作三过氧化三丙酮的敏感材料。
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公开(公告)号:CN118156147A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202410298166.X
申请日:2024-03-15
Applicant: 中电科芯片技术(集团)有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种半导体封装用管座及其制备方法,包括:装置体和基体,其特征在于,所述基体和装置体通过一体冲压的方式一体成型;所述装置体包括:台座部以及自台座部上表面突出的柱状部;所述台座部从上至下贯穿所述基体;所述台座部的下表面和基体的下表面处于同一水平面;在俯视中,所述台座部的外周部在所述柱状部的周围露出,所述基体的上面还设置有两个上下贯通的第二通孔;所述两个第二通孔内分别固定设置有第一引线和第二引线;本发明避免了传统半导体封装用管座在制作时由于装置体和基体在焊接过程中造成的位置尺寸误差,而导致激光芯片在装置体上贴装位置存在的误差,提高了半导体激光器件的光学、电学等性能。
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公开(公告)号:CN114324489B
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202111563555.3
申请日:2021-12-20
Applicant: 中电科芯片技术(集团)有限公司
IPC: G01N27/06 , G05B19/042 , H03B5/12
Abstract: 本发明属于计量测量领域,具体涉及一种基于电导率测量的溶液离子浓度测量方法,该方法包括:构建温度‑离子浓度‑电导率表;获取待测溶液的温度;将通电的后的电极插入到待测溶液中,构成电导池,并获取导电池的电导;设置定时时间T,根据设置的定时时间将导电池的电导信号输入到电导‑频率转换电路中,得到待测溶液的电导率;根据获取的待测溶液温度采用温度‑离子浓度‑电导率表对待测溶液的导电率进行温度补偿,得到待测溶液的离子浓度;本发明通过电导—频率转化电路直接与电导电极一起构成振荡器,能够根据待测电极电阻大小实现自动变频,抑制测量过程中的极化效应和电容效应,使得测量结果更精确。
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公开(公告)号:CN109702669B
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN201910123336.X
申请日:2019-02-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 中电科芯片技术(集团)有限公司
IPC: B25B11/00
Abstract: 本发明提供一种传感器测试夹具,包括位于底座上的三个螺纹进给机构;底座上具有设有集成模块的穿孔,螺纹进给机构包括螺杆、支撑座和滑座,螺杆以螺纹连接的方式穿过支撑座后伸入滑座内,螺纹进给机构包括x向螺纹进给机构、y向螺纹进给机构和z向螺纹进给机构,x向螺纹进给机构的滑座上固定有y向螺纹进给机构的支撑座,y向螺纹进给机构的滑座位于x向螺纹进给机构的滑座上,且x向螺纹进给机构的滑座与y向螺纹进给机构的滑座设置有与穿孔正对的通孔,y向螺纹进给机构的滑座上固定有z向螺纹进给机构的支撑座,所述z向螺纹进给机构的滑座在所述通孔内上下滑动。本发明结构简单,且能准
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公开(公告)号:CN109820485B
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN201910226123.X
申请日:2019-03-25
Applicant: 中电科芯片技术(集团)有限公司
IPC: A61B5/00
Abstract: 本发明属于模具技术领域,具体涉及一种植入级传感器监测探头,用于放置温度传感器和压力传感器;所述监测探头包括外壳;所述外壳的前端设置有呈弧面的收口;所述外壳的后端为管口;所述外壳的中部向内设置有矩形凹槽;在矩形凹槽的底部溅射有金属焊盘;在矩形凹槽与外壳后端管口之间为与外壳相同形状的空腔。本发明采用具有生物相容性的PEEK材料制作探头,在满足常规钛合金外壳功能的同时,极大地降低了探头制作工艺难度,该探头采用开模制作,也极大地降低了生产成本。此外,PEEK材料本身绝缘,降低了传感器封装、使用过程中电极、导线短路的风险,提高了植入部分的电气安全系数。
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