公开(公告)号：CN117790344A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311838643.9

申请日：2023-12-28

申请人： 北京寰宇晶科科技有限公司

发明人： 黑立富 ,  宋建华

IPC分类号： H01L21/607 ,  C04B41/89 ,  C23C16/34 ,  C23C16/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/503 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本申请涉及半导体加工焊接工具技术领域，具体公开了一种具有复合CVD金刚石涂层的陶瓷劈刀及其制备方法。所述陶瓷劈刀，包括劈刀本体、内孔和位于本体一端的焊嘴，所述内孔沿劈刀本体的纵轴方向延伸并终止于焊嘴的内倒角；所述焊嘴的端面沉积有微米金刚石涂层，所述内孔的表面沉积有纳米金刚石涂层；且所述微米金刚石涂层与焊嘴的端面、纳米金刚石涂层与内孔的表面之间均沉积有过渡层。本申请得到的陶瓷劈刀在焊接2000万次左右后第二焊点疲劳拉力值下降至临界值2.7g，比未涂层陶瓷劈刀的寿命高10倍左右。

公开(公告)号：CN116619246B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310911611.0

申请日：2023-07-24

申请人： 北京寰宇晶科科技有限公司

发明人： 黑立富

IPC分类号： B24B53/017 ,  B24D18/00

摘要： 本发明公开了一种具有金刚石柱状晶簇的CMP抛光垫修整器及其制备方法，其中，修整器包括基板及设置于基板上的第一金刚石层，所述第一金刚石层中具有多个山峰状柱状晶簇；各柱状晶簇具有至少9个柱状晶，各柱状晶的顶部构成切割尖点，各切割尖点距基板表面的垂直距离为15‑100μm，各柱状晶簇中最高切割尖点的高度差为5μm以下。第一金刚石层采用化学气相沉积方法分阶段沉积，第一金刚石层上还可设置第二金刚石层。本发明公开的CMP抛光垫修整器减少了金属污染的同时增强了CMP抛光垫修整器的使用寿命。

公开(公告)号：CN116652825B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310911613.X

申请日：2023-07-24

申请人： 北京寰宇晶科科技有限公司

发明人： 黑立富

IPC分类号： B24B53/017 ,  B24D18/00

摘要： 本发明公开了一种金刚石CMP抛光垫修整器及其制备方法，其中，所述修整器包括基板及形成在基板表面上的金刚石层，修整器具有突起结构，突起结构由金刚石层构成；突起结构的高度为10‑90μm，突起结构的分布密度为1‑100个/mm2，突起结构的侧面轮廓面与底面之间的夹角为30°‑60°。其有利于控制突起结构的高度，在保证优良修整能力的同时，还能保证具有足够的使用寿命。

公开(公告)号：CN117790344B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202311838643.9

申请日：2023-12-28

申请人： 北京寰宇晶科科技有限公司

发明人： 黑立富 ,  宋建华

IPC分类号： H01L21/607 ,  C04B41/89 ,  C23C16/34 ,  C23C16/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/503 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本申请涉及半导体加工焊接工具技术领域，具体公开了一种具有复合CVD金刚石涂层的陶瓷劈刀及其制备方法。所述陶瓷劈刀，包括劈刀本体、内孔和位于本体一端的焊嘴，所述内孔沿劈刀本体的纵轴方向延伸并终止于焊嘴的内倒角；所述焊嘴的端面沉积有微米金刚石涂层，所述内孔的表面沉积有纳米金刚石涂层；且所述微米金刚石涂层与焊嘴的端面、纳米金刚石涂层与内孔的表面之间均沉积有过渡层。本申请得到的陶瓷劈刀在焊接2000万次左右后第二焊点疲劳拉力值下降至临界值2.7g，比未涂层陶瓷劈刀的寿命高10倍左右。

公开(公告)号：CN116652825A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310911613.X

申请日：2023-07-24

申请人： 北京寰宇晶科科技有限公司

发明人： 黑立富

IPC分类号： B24B53/017 ,  B24D18/00

摘要： 本发明公开了一种金刚石CMP抛光垫修整器及其制备方法，其中，所述修整器包括基板及形成在基板表面上的金刚石层，修整器具有突起结构，突起结构由金刚石层构成；突起结构的高度为10‑90μm，突起结构的分布密度为1‑100个/mm2，突起结构的侧面轮廓面与底面之间的夹角为30°‑60°。其有利于控制突起结构的高度，在保证优良修整能力的同时，还能保证具有足够的使用寿命。

公开(公告)号：CN116619246A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310911611.0

申请日：2023-07-24

申请人： 北京寰宇晶科科技有限公司

发明人： 黑立富

IPC分类号： B24B53/017 ,  B24D18/00

摘要： 本发明公开了一种具有金刚石柱状晶簇的CMP抛光垫修整器及其制备方法，其中，修整器包括基板及设置于基板上的第一金刚石层，所述第一金刚石层中具有多个山峰状柱状晶簇；各柱状晶簇具有至少9个柱状晶，各柱状晶的顶部构成切割尖点，各切割尖点距基板表面的垂直距离为15‑100μm，各柱状晶簇中最高切割尖点的高度差为5μm以下。第一金刚石层采用化学气相沉积方法分阶段沉积，第一金刚石层上还可设置第二金刚石层。本发明公开的CMP抛光垫修整器减少了金属污染的同时增强了CMP抛光垫修整器的使用寿命。