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公开(公告)号：CN119486349A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411662166.X
申请日：2024-11-20
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: H10F77/14 , H10F77/30 , H10F30/222 , H10F71/00
Abstract: 本申请提供一种量子点器件以及量子点器件的制备方法，所述量子点器件包括：电子运输层和强n型层；其中，所述电子运输层和强n型层之间还包括：粘附层，所述粘附层用于增强所述电子运输层和强n型层之间的粘附性。本申请的量子点器件的制备方法，通过旋涂一层粘附层能带来以下的有效效果：1.在电子运输层C60表面形成一层羟基(粘附层为聚乙氧基乙烯亚胺溶液)有利于氧化锡层的生长。由于粘附层本身的性质，可以提升整个薄膜的机械强度和拉伸性能，薄膜的黏附性也得到了增加。有利于器件后期的制备和生产。
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公开(公告)号：CN119215707A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411383408.1
申请日：2024-09-30
Applicant: 温州量点智感科技有限公司 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本申请公开了一种适用于多种气体检测的自动配气系统及其配气方法，属于动态配气技术领域。本申请自动配气系统结构简单，通过控制四通阀和各个气路的通断配合就能实现多种待测气体的快速切换；基于现制现用的思想，实现了臭氧等易分解气体或易挥发气体的配气测试，还在配气测试过程中增加了环境基线的恢复过程，可以使测试腔中的气体在传感器测试前后均处于初始状态；同时通过四通阀结合预混流程控制，使得气体在进入测试腔进行传感器测试前就在混合腔中预混，该预混过程进一步杜绝了气体切换前后管路中气体的相互污染，也让气体混合更均匀，减少误差，由此使得传感器测试更加准确。
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公开(公告)号：CN118251098A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410367042.2
申请日：2024-03-28
Applicant: 黄冈师范学院 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种制备二维/三维异质结构钙钛矿层的方法，包括如下步骤：将2‑苯乙胺溶液和氢碘酸溶液按照一定比例搅拌混合，旋蒸至溶剂挥发得到苯乙基碘化胺粉末；将所述苯乙基碘化胺粉末和碘化铅粉末按照一定比例溶解在N,N‑二甲基甲酰胺中得到二维钙钛矿前驱体溶液；将所述钙钛矿前驱体溶液动态覆盖于三维钙钛矿层的表面得到钙钛矿薄膜；将所述钙钛矿薄膜退火形成二维/三维异质结构钙钛矿层。本发明制备二维/三维异质结构钙钛矿层的方法，避免了传统二维钙钛矿修饰层制备过程中对下层三维钙钛矿表面的损伤，无需对二维钙钛矿修饰层溶液复杂的控制过程，大大降低了生产技术难度，大幅度提高了产品容差，有效提高了产品良率。
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公开(公告)号：CN113161725B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202110266697.7
申请日：2021-03-11
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种金属腔体毫米波天线，其包括，金属盖板，金属盖板上开有四个辐射口；金属腔体，用于接收电磁波产生谐振；四个金属块体，均匀地置于金属腔内，与腔体底面相连接，与上方四个辐射口共用同一个腔体，形成四个辐射单元，每个金属块的上表面有沿X轴方向的电流，形成一个面电流辐射结构；通过在腔体上方添加金属盖板，每个金属块平行于Y轴的两边与辐射口形成辐射双缝，等效为两个磁流辐射结构。四个辐射单元共用同一个腔体和一个馈电耦合缝隙，使天线结构得到简化；天线的厚度小于一个波长，具有低剖面的特性；整个天线为纯金属结构，避免了介质损耗问题，本发明天线具有低剖面、高增益、低损耗和高效率的特性。
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公开(公告)号：CN116217213B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202310137794.5
申请日：2023-02-20
Applicant: 武汉纺织大学 , 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: C04B35/195 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种超低介电常数的硅基微波介质陶瓷，上述硅基微波介质陶瓷以化学式为xBaO‑yMgO‑zAl2O3‑kSiO2的化合物制得，其主晶相的化学表达式为BaMg2Al6Si9O30。采用上述方法制备硅基微波介质陶瓷，克服了现有技术中需在高烧结温度下制备低热膨胀系数介质材料的缺陷，且制得的硅基微波介质陶瓷同时兼具超低的介电常数、优异的品质因数和近零的谐振频率温度系数与线性热膨胀系数的特性，具有主相成分稳定、批次稳定性较好、原料价格低廉且适合大规模生产的优点，是一种极具应用前景的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113725599B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202111038764.6
申请日：2021-09-06
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 电。该天线结构简单，设计容易，成本低廉，适合本发明专利公开了一种用于毫米波汽车雷 用于毫米波段汽车雷达。达的组合天线，由三层介质材料和四层金属构成。金属层包括辐射层，天线反射层，带状线馈电层和底部地板层。辐射层刻蚀有两个以上等距离排列的相同的网格辐射单元，网格单元的非辐射边由弯曲弧线代替了传统的直线。辐射边由渐变微带线代替了传统的同宽度微带线，单元之间的连接段与网格单元辐射边长宽一致，降低了天线设计难度。在网格单元中间的空白区域添加了贴片单元，并通过微带线与网格非辐射边相连，与单元间连接段组成了串联贴片天线，有效利用了天线面积。由于网格单元中间的区域较小，贴片天线产生的谐振模式频率略高于网格天线，因此两种形式的辐射单元形成了组合天线效果，产生的两组谐振模式辐射拓宽了天线工作带宽。天线采用过孔馈电，馈电点关于线阵中心左右对称，过孔穿过天线反射地层上的通孔与带状线馈电
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公开(公告)号：CN117279459A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311148465.7
申请日：2023-09-07
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: H10K71/00 , H10K39/10 , H10K85/50 , H10K30/80 , H10K71/60 , H10K85/20 , H10K30/81 , H10N10/00 , H10N15/00 , H01L23/38
Abstract: 本发明公开了一种热电器件上原位制备平板太阳能电池的叠层电池制备方法，所述方法包括：在碳电极的一端旋涂一层导电导热胶后热压到热电器件上或将金属电极的一端蒸镀到热电器件上，在所述碳电极或金属电极的另一端依次旋涂第一传输层、钙钛矿层、第二传输层和透明电极层。本发明提供了一种有效的集成热电器件和平板太阳能电池的方法，能够尽可能的避免太阳能电池在连接热电器件过程中被破坏，提高制备叠层电池的良品率。
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公开(公告)号：CN114395801B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210070728.6
申请日：2022-01-21
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸、高质量二维卤化物钙钛矿单晶制备方法，所述二维卤素钙钛矿分子式为A2PbX4或BPbX4，其中A代表苯乙胺离子、苯并咪唑离子、丙胺离子、丁胺离子、戊胺离子中的一种或多种；B代表丙二胺离子、丁二胺离子、戊二胺离子、对苯二甲胺离子中的一种或多种，X代表氯离子、溴离子、碘离子中的一种或多种。利用籽晶诱导的挥发溶剂法，通过在籽晶加入初期进行加热溶解，可在室温或恒温挥发下获得大尺寸、高质量的二维钙钛矿单晶。该方法中溶液可重复利用，设备以及能耗要求低，可低成本获得大尺寸、高质量的二维钙钛矿单晶。
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公开(公告)号：CN114852971A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210414953.7
申请日：2022-04-15
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: C01B19/04 , H01L31/0352 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C09K11/88
Abstract: 本发明涉及一种单分散碲化汞胶体量子点及其合成方法与应用，属于低维半导体材料及红外探测技术领域。合成方法为：将卤化汞加入到油胺中，得到卤化汞的油胺溶液；再向该溶液中加入烷基硫醇；然后快速注入高浓度碲源，使碲源与卤化汞反应成核；再缓慢滴加低浓度碲源，以促进胶体量子点进一步生长，得到单分散碲化汞胶体量子点；所述碲源为三正辛基碲膦。本发明制备方法采用TOPTe源实现单分散HgTe胶体量子点的合成，技术可靠性高。本发明制备得到的HgTe胶体量子点尺寸可调，形貌可控，并且具有良好的单分散性、高度结晶性、良好的光电特性以及表面配体的可加工性等特点。
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公开(公告)号：CN114164399A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111314386.X
申请日：2021-11-08
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种提高一维链状晶体结构硒化锑薄膜空穴浓度的方法，其中，该方法包括：将掺杂剂和硒化锑以粉末形式充分混合，形成混合粉末，所述掺杂剂包括第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物；将所述混合粉末进行烧结再研磨，得到掺杂粉末；将所述掺杂粉末作为蒸发源，通过气相转移沉积法得到掺杂硒化锑薄膜，所述掺杂硒化锑薄膜中的锑元素被所述掺杂剂中的第Ⅳ主族元素替换。选用第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物作为掺杂剂对硒化锑进行掺杂，实验研究表明，使用该掺杂剂能够将硒化锑薄膜的空穴载流子浓度提升至1×1016cm‑3以上。
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