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公开(公告)号：CN103606816A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310513456.3
申请日：2013-10-25
申请人： 南京威宁锐克信息技术有限公司
IPC分类号： H01S5/125
摘要： 一种形成边耦合分布反馈（DFB）和重构等效啁啾（REC）等效相移的边耦合半导体激光器及激光器阵列制备方法，边耦合半导体激光器及激光器阵列从下到上结构为：在n型磷化铟衬底材料上外延n型缓冲层、晶格匹配下波导层、多量子阱、光栅材料层、上波导层、欧姆接触层。在外延片表面生长一层二氧化硅和薄金属铬层，用模板光刻技术，将设计好的采样光栅图案转移到薄金属铬层上；将采样光栅图案从光刻胶转移到二氧化硅层并去除残余光刻胶；之后用光刻方式在光刻胶上曝光定义出脊条波导，随后用湿法刻蚀先后去掉未被光刻胶遮盖的铬和二氧化硅，并暴露出脊条波导两侧壁和侧部平面将被大范围刻蚀的半导体表面；形成由三层材料构成的掩膜版。
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公开(公告)号：CN103594924A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310484338.4
申请日：2013-10-16
申请人： 南京威宁锐克信息技术有限公司
IPC分类号： H01S5/125
摘要： 基于重构-等效啁啾的非对称相移布拉格光栅制备半导体激光器的制备方法，半导体激光器的光栅为取样结构，光栅的相移由重构-等效啁啾方法制作，同时光栅的相移位置激光器腔中心的左或右，以光栅的相移位置偏离激光器腔中心的距离占整个激光器腔长的百分比γ来衡量偏移量，则γ在5%～30%变化，偏移方向左右均可以。上述布拉格光栅（即DFB）半导体激光器中的取样布拉格光栅的取样周期小于10微米，大于1微米。相对于传统的中间相移激光器，在保持动态单模工作的情况下，非对称相移结构能提高激光器一端的输出功率，提高单模成品率，从而设计出更高性能、更高良品率的DFB半导体激光器。
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公开(公告)号：CN103311804B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310198495.9
申请日：2013-05-24
申请人： 南京威宁锐克信息技术有限公司
IPC分类号： H01S5/12
摘要： 边耦合半导体激光器的制造方法，在n型磷化铟衬底材料上外延生长n型缓冲层；1）在外延n型缓冲层表面生长一层二氧化硅；2）用全息曝光将光栅制作到半导体表面沉积的二氧化硅中；3）生长二氧化硅绝缘层并在脊条顶部开出窗口并制作电极；其量子阱材是InP/InGaAsP材料或InP/AlGaInA材料体系。激光器激射波长在1250‑1700纳米之间。本发明使用普通全息曝光技术，制作出具有均匀一级光栅的边耦合半导体激光器。成本低且质量高。
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公开(公告)号：CN103913345A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410130591.4
申请日：2014-04-02
申请人： 南京威宁锐克信息技术有限公司 , 南京理工大学紫金学院
摘要： 本发明公开了一种电动缸检测设备，通过电动缸与液压缸对顶的组合装置来检测电动缸的负载精度并进行精度调整，避免工作时误差的影响。此设备将电动缸和液压缸分别固定在整体框架上两根对称分布的立柱中心，在电动缸和液压缸对顶中间安设带有压力传感器、拉力传感器、法兰盘和连接臂的测力装置，连接臂的两端通过螺栓固定在两根定位线性滑轨上，两根定位线性滑轨设在整体框架上两根对称分布的梁内壁，在以便工作时及时读取力的大小和位移。本发明结构可靠度强，精密度高，操作简单，从而构成一种新型电动缸检测设备。
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公开(公告)号：CN103956652A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410173909.7
申请日：2014-04-25
申请人： 南京威宁锐克信息技术有限公司
CPC分类号： H01S5/06258 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/0612 , H01S5/1209 , H01S5/1215 , H01S5/124 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S5/5027
摘要： 一种集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器，DFB半导体激光器可调谐方案通过重构-等效啁啾技术制作，多个DFB半导体激光器共用一个调制器，并且可以通过增加激光器数目或有源无源集成的方法扩展可调谐的波长范围；集成的调制器是半导体光放大器调制器(SOA)、电吸收调制器(EAM)或马赫-曾德尔调制器(MZM)；可以通过量子阱混杂技术(QWI)、对接生长技术(Butt-joint)或选择区域生长技术(SAG)来实现，其中量子阱材料基于InP/InGaAsP或InP/AlGaInAs材料体系。本发明最少只需要一个调制用的射频端口，从而通过简化封装设计来降低成本，大大提高了实用性与易用性。
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公开(公告)号：CN103956652B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201410173909.7
申请日：2014-04-25
申请人： 南京威宁锐克信息技术有限公司
CPC分类号： H01S5/06258 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/0612 , H01S5/1209 , H01S5/1215 , H01S5/124 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S5/5027
摘要： 一种集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器，DFB半导体激光器可调谐方案通过重构‑等效啁啾技术制作，多个DFB半导体激光器共用一个调制器，并且可以通过增加激光器数目或有源无源集成的方法扩展可调谐的波长范围；集成的调制器是半导体光放大器调制器(SOA)、电吸收调制器(EAM)或马赫‑曾德尔调制器(MZM)；可以通过量子阱混杂技术(QWI)、对接生长技术(Butt‑joint)或选择区域生长技术(SAG)来实现，其中量子阱材料基于InP/InGaAsP或InP/AlGaInAs材料体系。本发明最少只需要一个调制用的射频端口，从而通过简化封装设计来降低成本，大大提高了实用性与易用性。
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公开(公告)号：CN107046229A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201610083159.3
申请日：2016-02-05
申请人： 南京威宁锐克信息技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种激光器阵列的制作方法及激光器阵列。该方法包括：利用重构-等效啁啾技术制备用于构成激光器阵列的无源芯片；制备用于构成激光器阵列的外延片；利用芯片键合技术对所述无源芯片和外延片进行键合；通过对所述外延片进行刻蚀及沉积金属等后续工艺，制备激光器阵列。本发明解决了现有技术中难以制备波长精确的硅基激光器阵列的问题。
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公开(公告)号：CN103606816B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310513456.3
申请日：2013-10-25
申请人： 南京威宁锐克信息技术有限公司
IPC分类号： H01S5/125
摘要： 一种形成边耦合分布反馈（DFB）和重构等效啁啾（REC）等效相移的边耦合半导体激光器及激光器阵列制备方法，边耦合半导体激光器及激光器阵列从下到上结构为：在n型磷化铟衬底材料上外延n型缓冲层、晶格匹配下波导层、多量子阱、光栅材料层、上波导层、欧姆接触层。在外延片表面生长一层二氧化硅和薄金属铬层，用模板光刻技术，将设计好的采样光栅图案转移到薄金属铬层上；将采样光栅图案从光刻胶转移到二氧化硅层并去除残余光刻胶；之后用光刻方式在光刻胶上曝光定义出脊条波导，随后用湿法刻蚀先后去掉未被光刻胶遮盖的铬和二氧化硅，并暴露出脊条波导两侧壁和侧部平面将被大范围刻蚀的半导体表面；形成由三层材料构成的掩膜版。
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公开(公告)号：CN105676351A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610141342.4
申请日：2016-03-11
申请人： 南京威宁锐克信息技术有限公司
CPC分类号： G02B6/124 , G02B6/13 , G03F7/0002 , G03F7/0005
摘要： 本申请公开了一种光栅制作方法，用以解决现有技术中光栅制作精度较低的问题。方法包括：利用纳米压印技术制作均匀的种子光栅；利用重构-等效啁啾或微结构准相位匹配技术以及所述均匀的种子光栅，制作所需要的目标光栅的等效光栅。
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公开(公告)号：CN104466669A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310434383.9
申请日：2013-09-23
申请人： 南京威宁锐克信息技术有限公司
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/0687 , G02B6/42
摘要： 本发明公开了一种可调谐激光器，包括半导体致冷器、过渡热沉、激光器阵列芯片、微电机、光纤、第一分路器、模式转换器、单模光纤、第二分路器、波长锁定器、光探测器、激光器阵列芯片驱动电路、温控电路、微电机驱动电路和微处理器；微电机上设有可以沿微电机行程方向运动的滑块，光纤固定在微电机的滑块上，光纤与滑块固定的一端为激光入射端，另一端连接模式转换器；第一分路器通过单模光纤分别与模式转换器和第二分路器连接，第二分路器的另一端再与波长锁定器和光探测器连接；过渡热沉固定在半导体致冷器顶部，激光器阵列芯片固定在过渡热沉顶部。本发明具有功耗低、高精准、低成本等优点。
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