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公开(公告)号：CN106068586A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201580002672.9
申请日：2015-01-19
申请人： 洛克利光子有限公司
IPC分类号： H01S5/14 , H01S5/028 , H01S5/12 , H01S3/1055 , H01S3/106
CPC分类号： H01S5/125 , H01S3/1055 , H01S3/106 , H01S5/021 , H01S5/028 , H01S5/1007 , H01S5/1209 , H01S5/142 , H01S5/3031 , H01S5/3224 , H01S5/3427
摘要： 一种波长可调谐绝缘硅(SOI)激光器，包括：激光腔，包括：具有前端(21)和后端(22)的半导体增益介质(2)；以及耦合到半导体增益介质的前端的相位可调谐波导平台(3)；其中相位可调谐波导平台包括第一分布式布拉格反射器(31)和第二分布式布拉格反射器(32)；至少一个分布式布拉格反射器具有梳状反射谱；并且其中激光腔的反射镜(10)位于半导体增益介质的后端(22)处。耦合的腔允许经由游标效应改进模式选择性，并且光栅的电光调谐导致ECLD的更快波长调谐。另外的相位调谐元件(53)可以补偿激光器的热波长漂移。
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公开(公告)号：CN104170187A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201280059813.7
申请日：2012-11-02
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： H01S5/125
CPC分类号： H01S5/125 , H01S5/0092 , H01S5/1096 , H01S5/1209 , H01S5/1246
摘要： 本发明提供了一种DBR激光二极管，其中波长选择光栅的相位Φ具有如下特征：以周期ΛPM及调制深度ΦJ发生周期性相位跃变，并且该波长选择光栅的相位跃变被安排为关于该DBR部分的一中点沿该DBR激光二极管一光轴实质上对称、反对称、或不对称。该波长选择光栅沿该DBR激光二极管的传播光轴的长度为：(i)当相位分布相对于该DBR部分的中点实质上对称时，在大约(m+0.01)ΛPM与大约(m+0.49)ΛPM之间；(ii)当相位分布相对于该DBR部分的中点实质上反对称时，在大约(m-0.49)ΛPM与大约(m-0.01)ΛPM之间；并且(iii)当相位分布相对于该DBR部分的中点实质上不对称时，在大约(m+0.6)ΛPM与大约(m+0.9)ΛPM之间。
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公开(公告)号：CN102227854B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200980147459.1
申请日：2009-11-26
申请人： 住友电工光电子器件创新株式会社
IPC分类号： H01S5/0687 , H01S5/12 , H01S5/125
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/0265 , H01S5/0612 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/1212
摘要： 一种半导体激光器的调节方法，该半导体激光器包括多个分别具有周期性波长特性的波长选择区域，其特征在于，该方法包括以下步骤：对所述波长选择区域进行折射率控制；确认步骤，确认与未进行所述折射率控制的状态下由折射率的规定值实现的波长特性相比，通过所述折射率控制实现的所述波长选择区域各自的波长特性是否改变了一个周期以上；以及以所述一个周期为单位使所述确认步骤中确认波长特性发生了改变的波长选择区域的折射率向着所述规定值侧偏移。
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公开(公告)号：CN1210853C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN00812363.2
申请日：2000-08-29
申请人： 加利福尼亚大学董事会
发明人： 托马斯·高登·贝克·马森 , 拉里·A·克尔德伦 , 格里高里·非什
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/06256 , H01S5/1209 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2275
摘要： 一种带有一个集成光调制器(20)的可调谐激光源(10)。激光源(10)是一个包括一个在厚的低带隙的波导层(22)顶面上的有源区的可宽调谐的半导体激光器，其中波导层(22)与有源区都制作在一个P掺杂区与一个n掺杂区之间，一个电吸收调制器(20)集成在半导体激光器(10)内，其中电吸收调制器(20)与半导体激光器(10)共用波导层(22)。
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公开(公告)号：CN1372710A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN00812363.2
申请日：2000-08-29
申请人： 加利福尼亚大学董事会
发明人： 托马斯·高登·贝克·马森 , 拉里·A·克尔德伦 , 格里高里·非什
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/06256 , H01S5/1209 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2275
摘要： 一种带有一个集成光调制器(20)的可调谐激光源(10)。激光源(10)是一个包括一个在厚的低带隙的波导层(22)顶面上的有源区的可宽调谐的半导体激光器,其中波导层(22)与有源区都制作在一个P掺杂区与一个n掺杂区之间,一个电吸收调制器(20)集成在半导体激光器(10)内,其中电吸收调制器(20)与半导体激光器(10)共用波导层(22)。
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公开(公告)号：CN105556770B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201480029505.9
申请日：2014-05-21
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/125 , H01S5/042 , H01S5/0612 , H01S5/06256 , H01S5/1007 , H01S5/1028 , H01S5/1209 , H01S5/124 , H01S5/141 , H01S5/3013
摘要： 一种激光器，其包括前部镜子(750)；增益区段(745)；相位区段(740)；以及背部镜子(715)，具有梳状反射光谱的前部镜子和背部镜子用于利用游标效应实现完整C波段可调谐性。为了降低背部镜子的反射率峰值光谱的宽度，背部镜子包括干涉仪，干涉仪包括分离器735和位于干涉仪一个臂上的梳状反射器(730)和位于干涉仪另一个臂上的延迟线(720)，梳状反射器可以为取样布拉格光栅，延迟线可以为相位调节区段和高度反射涂层(710)。
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公开(公告)号：CN1913261B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610115706.8
申请日：2006-08-11
申请人： 优迪那半导体有限公司
发明人： 藤井卓也
CPC分类号： H01S5/12 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/0612 , H01S5/06256 , H01S5/1057 , H01S5/106 , H01S5/1064 , H01S5/1209 , H01S5/1212 , H01S5/1221 , H01S5/1231 , H01S5/124 , H01S5/1246 , H01S5/125
摘要： 半导体激光器及其控制方法、光学器件以及激光器装置。半导体激光器具有第一衍射光栅区。该第一衍射光栅区具有多个段。每个段都具有包括衍射光栅的第一区，和耦合至第一区的作为间隔区的第二区。多个第二区中的至少两个的光程相互不同。每个段的折射率是可变的。
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公开(公告)号：CN102074891A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010559202.1
申请日：2010-11-18
申请人： 住友电气工业株式会社
发明人： 坂野英一
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/02415 , H01S5/0265 , H01S5/0612 , H01S5/0617 , H01S5/0622 , H01S5/06226 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/1212 , H01S2301/03
摘要： 本发明提供了一种半导体激光器装置以及控制半导体激光器的方法。该半导体激光器装置包括：半导体激光器，其具有反射器区域、用于激光振荡的增益区域、以及多个折射率控制器，所述反射器区域具有多个分段，其中衍射区域和空间区域彼此耦接，多个分段被分成具有相同光学长度的多个分段组，根据每个分段组来布置多个折射率控制器，并且多个折射率控制器控制每个分段组的等效折射率；波长控制器，其通过将多个折射率控制器控制为至少一个控制参数，来控制半导体激光器的振荡波长；以及抖动控制器，其根据分段组将抖动信号从一个折射率控制器输入至具有最多分段的单个分段组。
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公开(公告)号：CN102067284A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980102511.1
申请日：2009-01-16
申请人： 加利福尼亚大学董事会
CPC分类号： H01S5/0265 , B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/026 , H01S5/06256 , H01S5/1014 , H01S5/1032 , H01S5/1209 , H01S5/3414
摘要： 本发明揭示一种硅上光子集成电路。通过将化合物半导体材料的晶片作为有源区结合到硅并移除衬底，可在硅衬底上使用标准光刻技术处理激光器、放大器、调制器和其它装置。根据本发明的一个或一个以上实施例的硅激光器混合集成装置包括包括在顶部表面中的至少一个波导的绝缘体上硅衬底和包括增益层的化合物半导体衬底，所述化合物半导体衬底经受量子阱混合工艺，其中所述化合物半导体衬底的上表面结合到所述绝缘体上硅衬底的所述顶部表面。
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公开(公告)号：CN101971445A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980104265.3
申请日：2009-02-03
申请人： 住友电工光电子器件创新株式会社
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/024 , H01S5/02415 , H01S5/0617 , H01S5/06837 , H01S5/0687 , H01S5/1032 , H01S5/1209 , H01S5/1212 , H01S5/142
摘要： 一种激光设备包括：增益单元；在波长特性中具有周期性波峰的第一波长选择部；以及第二波长选择部，所述第二波长选择部在被限制于比振荡波长的可变带域窄的波长范围中、在波长特性中具有周期与所述第一波长选择部的不同的波峰，并通过折射率变化而移动波峰波长。激光设备还包括具有多个区段的谐振器，其中在相同的波长范围内通过所述第二波长选择部的单向折射率变化所选择的所述振荡波长在一个方向上变化；存储部，其含有从跨越多个区段中的两个相邻区段的范围选择的值作为用于选择振荡波长的第二波长选择部的折射率的设置值；以及控制器，其向所述控制器提供给所述存储部中存储的所述设置值。
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