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公开(公告)号：CN102986098A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180032578.X
申请日：2011-06-16
申请人： 阿尔卡特朗讯
IPC分类号： H01S5/50 , H01S5/026 , H04B10/291
CPC分类号： H04B10/2971 , H01S3/2333 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/042 , H01S5/10 , H01S5/1017 , H01S5/5027 , H04B10/291
摘要： 本文献涉及无源光学网络PON。更特定但不专有地说，其涉及将反射式半导体光学放大器RSOA用于放大千兆位(Gigabit)无源光学网络GPON或波分多路复用无源光学网络WDM-PON中的信号。描述经配置以放大光学网络内不同波长的光的设备(21)。所述设备(21)包括经配置以放大第一波长(25)的光的第一活性材料(22)和经配置以放大第二波长(26)的光的第二活性材料(23)。此外，所述设备(21)包括使所述第一和第二活性材料(22，23)分开的第一反射镜(24)，所述反射镜(24)经配置以反射所述第一波长(25)的光且经配置以对所述第二波长(26)的光大体上透射。此外，所述设备包括与所述第一反射镜(24)相对的邻近所述第二活性材料(23)的第二反射镜(27)，所述第二反射镜(27)经配置以反射所述第二波长(26)的光。
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公开(公告)号：CN103956652B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201410173909.7
申请日：2014-04-25
申请人： 南京威宁锐克信息技术有限公司
CPC分类号： H01S5/06258 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/0612 , H01S5/1209 , H01S5/1215 , H01S5/124 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S5/5027
摘要： 一种集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器，DFB半导体激光器可调谐方案通过重构‑等效啁啾技术制作，多个DFB半导体激光器共用一个调制器，并且可以通过增加激光器数目或有源无源集成的方法扩展可调谐的波长范围；集成的调制器是半导体光放大器调制器(SOA)、电吸收调制器(EAM)或马赫‑曾德尔调制器(MZM)；可以通过量子阱混杂技术(QWI)、对接生长技术(Butt‑joint)或选择区域生长技术(SAG)来实现，其中量子阱材料基于InP/InGaAsP或InP/AlGaInAs材料体系。本发明最少只需要一个调制用的射频端口，从而通过简化封装设计来降低成本，大大提高了实用性与易用性。
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公开(公告)号：CN107210584A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580072166.7
申请日：2015-11-24
申请人： 祥茂光电科技股份有限公司
发明人： 郑军 , 克劳斯·亚历山大·安索姆 , 张焕林 , 迪恩·麦因托希·朵希
IPC分类号： H01S5/40
CPC分类号： H01S5/4087 , H01S5/0287 , H01S5/0612 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/1215 , H01S5/124 , H01S5/4031 , H01S5/5027
摘要： 一种具有包括采样光栅的多个序列式区段的可调谐激光器，通常包括具有多个序列式激光器区段的半导体激光器主体，被配置为独立驱动以产生位于不同的各个波长范围内的一个波长的激光。各个序列式区段中的采样光栅具有相同的光栅周期和不同的采样周期以产生不同的波长。与温度变化响应，各个激光器区段中产生的光线的波长被调谐到各个信道范围内的信道波长。通过选择性地产生激光器区段其中之一或多个的光线，选择一或多个信道波长用于激射和发射。通过在多个序列式区段中使用具有相同光栅周期的采样光栅，可更加容易地制造多个区段的可调谐激光器。
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公开(公告)号：CN102986098B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201180032578.X
申请日：2011-06-16
申请人： 阿尔卡特朗讯
IPC分类号： H01S5/50 , H01S5/026 , H04B10/291
CPC分类号： H04B10/2971 , H01S3/2333 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/042 , H01S5/10 , H01S5/1017 , H01S5/5027 , H04B10/291
摘要： 本文献涉及无源光学网络PON。更特定但不专有地说，其涉及将反射式半导体光学放大器RSOA用于放大千兆位(Gigabit)无源光学网络GPON或波分多路复用无源光学网络WDM-PON中的信号。描述经配置以放大光学网络内不同波长的光的设备(21)。所述设备(21)包括经配置以放大第一波长(25)的光的第一活性材料(22)和经配置以放大第二波长(26)的光的第二活性材料(23)。此外，所述设备(21)包括使所述第一和第二活性材料(22，23)分开的第一反射镜(24)，所述反射镜(24)经配置以反射所述第一波长(25)的光且经配置以对所述第二波长(26)的光大体上透射。此外，所述设备包括与所述第一反射镜(24)相对的邻近所述第二活性材料(23)的第二反射镜(27)，所述第二反射镜(27)经配置以反射所述第二波长(26)的光。
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公开(公告)号：CN107615603A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680030969.0
申请日：2016-05-10
申请人： 浜松光子学株式会社
IPC分类号： H01S5/50 , G01R31/302
CPC分类号： G01R31/2656 , G01R31/2601 , G01R31/302 , G01R31/311 , H01S5/50 , H01S5/5027 , H01S5/5045
摘要： 光源装置包括产生非相干的光的光源和具有表示每个波长的增益的增益特性并且输入作为输入光的由光源输出的非相干的光并输出将该输入光放大后的放大光的光放大器，表示输入光的每个波长的强度的强度分布的中心波长与表示光放大器的每个波长的增益的增益特性的中心波长相比为长波长。
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公开(公告)号：CN107238992A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201610183621.7
申请日：2016-03-28
申请人： 上海贝尔股份有限公司
IPC分类号： G02F1/39
CPC分类号： H01S5/06832 , H01S5/005 , H01S5/026 , H01S5/5027 , H04B10/2914 , H04B10/293 , G02F1/39
摘要： 本发明的目的是提供一种半导体光放大器(SOA)装置和操作SOA装置的方法。根据本发明的半导体光放大器(SOA)装置，包括：光检测装置，用于测量输入到所述半导体光放大器的光信号的功率；控制装置，用于基于所述光检测器所测量的功率将多路电流分别注入到各个驱动电极；半导体光放大器，具有上层半导体衬底和下层半导体衬底，所述上层半导体衬底和下层半导体衬底中间具有半导体波导层，并且有多个驱动电极位于所述上层半导体衬底的表面上，所述多个驱动电极沿着光放大器波导层中的光传播方向延伸。本发明具有以下优点：与一般的具有一个电极的SOA装置相比，根据本发明的方案能够提高SOA的线性增益且增加SOA的线性放大区间，从而在更大的接收功率范围内进行无误码的信号放大，进一步避免信号传输的失真。
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公开(公告)号：CN103956652A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410173909.7
申请日：2014-04-25
申请人： 南京威宁锐克信息技术有限公司
CPC分类号： H01S5/06258 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/0612 , H01S5/1209 , H01S5/1215 , H01S5/124 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S5/5027
摘要： 一种集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器，DFB半导体激光器可调谐方案通过重构-等效啁啾技术制作，多个DFB半导体激光器共用一个调制器，并且可以通过增加激光器数目或有源无源集成的方法扩展可调谐的波长范围；集成的调制器是半导体光放大器调制器(SOA)、电吸收调制器(EAM)或马赫-曾德尔调制器(MZM)；可以通过量子阱混杂技术(QWI)、对接生长技术(Butt-joint)或选择区域生长技术(SAG)来实现，其中量子阱材料基于InP/InGaAsP或InP/AlGaInAs材料体系。本发明最少只需要一个调制用的射频端口，从而通过简化封装设计来降低成本，大大提高了实用性与易用性。
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公开(公告)号：CN1311595C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02811320.9
申请日：2002-06-05
申请人： 昆特森斯光电技术公司
发明人： J·E·昂加尔
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0267 , H01S5/1014 , H01S5/1064 , H01S5/1082 , H01S5/4006 , H01S5/5027 , H01S2301/185
摘要： 一种半导体激光器(10)，具有分布式反馈激光器部分(12)和放大器部分(14)。放大器部分(14)可以是锥形，以减小光功率密度，特别是在激光器的输出端面(18)上的光功率密度。半导体激光器(10)也包括反射元件(24)，将来自分布式反馈激光器部分(12)的光(17)反射到放大器部分(14)。反射元件(24)将光束(17)的光路径(Op)折叠。折叠光路径(Op)使得放大器部分(14)的面积增加，而不增大半导体的管芯尺寸。更大的放大器部分(14)会增加激光器的输出功率。反射元件(24)同样会使得半导体管芯尺寸得到碱小，而不降低激光器的光功率。
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公开(公告)号：CN1513221A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN02811320.9
申请日：2002-06-05
申请人： 昆特森斯光电技术公司
发明人： J·E·昂加尔
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0267 , H01S5/1014 , H01S5/1064 , H01S5/1082 , H01S5/4006 , H01S5/5027 , H01S2301/185
摘要： 一种半导体激光器(10)，具有分布式反馈激光器部分(12)和放大器部分(14)。放大器部分(14)可以是锥形，以减小光功率密度，特别是在激光器的输出端面(18)上的光功率密度。半导体激光器(10)也包括反射元件(24)，将来自分布式反馈激光器部分(12)的光(17)反射到放大器部分(14)。反射元件(24)将光束(17)的光路径(Op)折叠。折叠光路径(Op)使得放大器部分(14)的面积增加，而不增大半导体的管芯尺寸。更大的放大器部分(14)会增加激光器的输出功率。反射元件(24)同样会使得半导体管芯尺寸得到减小，而不降低激光器的光功率。
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