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公开(公告)号：CN118725640A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411223149.6
申请日：2024-09-03
申请人： 广东成利泰科技有限公司
IPC分类号： C09D11/102 , C09D11/03 , C09D11/101
摘要： 本发明涉及油墨技术领域，且公开了一种快干磁性油墨及其制备方法和在芯片生产中的应用。制备方法包括：利用乙烯基硅烷偶联剂对纳米四氧化三铁进行表面修饰，再与三羟甲基丙烷三(3‑巯基丙酸酯)反应，制得巯基纳米四氧化三铁；将硅烷改性环氧树脂、1,4‑丁二醇、异佛尔酮二异氰酸酯、烯基聚醚、双酚芴、甲基丙烯酸羟乙酯在催化剂条件下反应，得到改性聚氨酯丙烯酸酯，将其与巯基纳米四氧化三铁、光引发剂、添加剂等混合，得到快干磁性油墨。该磁性油墨可以快速固化，综合性能和磁性分离性能优异，将其在芯片上印刷后有利于芯片的分离筛选。
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公开(公告)号：CN110416250B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910823552.5
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L31/105 , H01L33/26 , H01L33/42 , H01L21/82
摘要： 本发明公开了一种基于异质结薄膜光源的光耦，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO2薄膜光源、第一介质层和硅光探测器。本发明还公开了上述基于异质结薄膜光源的光耦的制作方法、基于异质结薄膜光源的光耦的放大集成电路以及该放大集成电路的制作方法。本发明中基于异质结薄膜光源的光耦的硅光探测器和硅基TiO2薄膜光源制作在同一个衬底上，器件集成度高、封装尺寸减小、降低了制造难度和成本；本发明的基于异质结薄膜光源的光耦，能够与电路集成在同一个衬底上，同时光源与光探测器轴向堆叠，不仅缩短了光的传输距离，还能在提高集成度的同时减少光在传播过程中的损耗。本发明适用于光电耦合器集成技术领域。
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公开(公告)号：CN115781098A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310060378.X
申请日：2023-01-19
申请人： 广东成利泰科技有限公司
发明人： 徐谦
摘要： 本发明提供了一种含有金属铟的耐高温抗氧化焊锡粉、锡膏及其制备方法，所述焊锡粉包括以下重量百分数的组分，铅90%~95%、锡3%~5%、银2%~3%、铟0.2%~1.0%。所述锡膏包括焊锡粉和助焊剂，所述助焊剂包括以下重量百分数的组分，松香树脂58％~69％、抗氧化剂1.0％~2％、缓蚀剂0.1％~1％、润湿增强剂0.1％~2％、活化剂7.8％~15％、触变剂2.4％~5.5％以及溶剂。本发明的焊锡粉中添加铟，提高了焊锡粉的使用效果。本发明的锡膏通过各材料之间合理复配，协同发挥作用，使得制备得到的锡膏活性高、润湿性好、耐热性高，且焊接后芯片表面无残留免清洗。
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公开(公告)号：CN110518032B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201910824277.9
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川上特科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅SOI基板型光电耦合器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层多晶硅，顶层多晶硅通过低压力化学气相沉积法淀积在第一衬底上；光电耦合器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层多晶硅中的多晶硅光源。本发明还公开了上述光电耦合器的制作方法，并进一步公开了上述光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的多晶硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电耦合器可以与电路集成在同一个衬底上，多晶硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度。本发明适用于光电耦合器的集成技术领域。
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公开(公告)号：CN113070608B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110389578.0
申请日：2021-04-12
申请人： 广东成利泰科技有限公司
IPC分类号： B23K35/362 , B23K35/40
摘要： 本发明属于助焊剂技术领域，尤其涉及一种高压硅堆堆叠式芯片环保助焊剂，包括以下质量百分比的组成：松香树脂70～86％、异丙醇9～15％、丙酮2～5％、抗氧化剂2～5％、缓蚀剂0.1～1％、表面活性剂0.1～2％、润湿增强剂0.1～2％；其中，所述表面活性剂包括烷基葡萄糖酰胺、辛基酚聚氧乙烯醚和磷酸酯；所述润湿增强剂包括二甘醇甲醚、丙二醇苯醚和混合酯。相比于现有技术，本发明的助焊剂活性高、润湿性好，能防止表面挂锡及焊接偏位，而且焊接过程无烟无刺鼻气味无毒性物质排放，焊接后芯片表面无残留免清洗。
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公开(公告)号：CN110491967A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910823544.0
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 成都智芯微科技有限公司 , 广东气派科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/173 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种反偏型硅发光SOI光电隔离器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层硅，第一衬底与顶层硅通过智能剥离技术键合；反偏型硅发光SOI光电隔离器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层硅中的硅光源。本发明还公开了上述光电隔离器的制作方法，并进一步公开了上述反偏型硅发光SOI光电隔离器的集成电路及其制作方法。本发明提供了硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电隔离器可以与电路集成在同一个衬底上，硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度，适用于光电隔离器的集成技术领域。
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公开(公告)号：CN117059533A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311313151.8
申请日：2023-10-11
申请人： 广东成利泰科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种自动化低空洞阵列式大功率桥堆生产线及生产工艺，所述自动化低空洞阵列式大功率桥堆生产工艺包括以下步骤：步骤一，桥堆框架加工，利用高精度冲床冲压框架基座，供于矩阵排列使用；步骤二，下框架网印锡膏，并对锡膏点进行智能影像检测；步骤三，芯片装填，利用真空吸附，利用橡胶吸嘴整片转移；步骤四，使用摇线机进行自动装填，对装填结果进行影像检测；步骤五，组合合模后进行抽真空烧结焊接；步骤六，塑封烧结后进行环氧树脂塑封；步骤七，测试打印，入袋进行绝缘包装出库，减少工艺流程且产品质量高；可以省电省气，减少空洞率；同时，实现智能检测，利用真空漏焊实现脱离石墨盘，节约成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN113070608A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110389578.0
申请日：2021-04-12
申请人： 广东成利泰科技有限公司
IPC分类号： B23K35/362 , B23K35/40
摘要： 本发明属于助焊剂技术领域，尤其涉及一种高压硅堆堆叠式芯片环保助焊剂，包括以下质量百分比的组成：松香树脂70～86％、异丙醇9～15％、丙酮2～5％、抗氧化剂2～5％、缓蚀剂0.1～1％、表面活性剂0.1～2％、润湿增强剂0.1～2％；其中，所述表面活性剂包括烷基葡萄糖酰胺、辛基酚聚氧乙烯醚和磷酸酯；所述润湿增强剂包括二甘醇甲醚、丙二醇苯醚和混合酯DEB。相比于现有技术，本发明的助焊剂活性高、润湿性好，能防止表面挂锡及焊接偏位，而且焊接过程无烟无刺鼻气味无毒性物质排放，焊接后芯片表面无残留免清洗。
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公开(公告)号：CN110416250A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910823552.5
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 气派科技股份有限公司 , 广安职业技术学院 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L31/105 , H01L33/26 , H01L33/42 , H01L21/82
摘要： 本发明公开了一种基于异质结薄膜光源的光耦，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO2薄膜光源、第一介质层和硅光探测器。本发明还公开了上述基于异质结薄膜光源的光耦的制作方法、基于异质结薄膜光源的光耦的放大集成电路以及该放大集成电路的制作方法。本发明中基于异质结薄膜光源的光耦的硅光探测器和硅基TiO2薄膜光源制作在同一个衬底上，器件集成度高、封装尺寸减小、降低了制造难度和成本；本发明的基于异质结薄膜光源的光耦，能够与电路集成在同一个衬底上，同时光源与光探测器轴向堆叠，不仅缩短了光的传输距离，还能在提高集成度的同时减少光在传播过程中的损耗。本发明适用于光电耦合器集成技术领域。
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公开(公告)号：CN108521694A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810273423.9
申请日：2018-03-29
申请人： 电子科技大学 , 成都智芯微科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川明泰电子科技有限公司
IPC分类号： H05B33/08
摘要： 本发明公开了一种带反馈变频恒流驱动的LED半桥电路，包括依次串接的输入整流滤波电路、基于IR2151、IR2153、IR2155驱动芯片中的一种芯片的半桥控制电路、隔离变压器、输出整流滤波电路，还包括为半桥控制电路的电源端口连接的电解电容充电的控制芯片供电电路，所述控制芯片供电电路的输入端连接半桥控制电路的半桥中点，输出端连接半桥控制芯片的电源端。本发明结构简单，令输出的驱动电流更加稳定。本发明适用于驱动大功率LED。
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