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公开(公告)号:CN110416250A
公开(公告)日:2019-11-05
申请号:CN201910823552.5
申请日:2019-09-02
申请人: 电子科技大学 , 气派科技股份有限公司 , 广安职业技术学院 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司
IPC分类号: H01L27/15 , H01L31/105 , H01L33/26 , H01L33/42 , H01L21/82
摘要: 本发明公开了一种基于异质结薄膜光源的光耦,包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO2薄膜光源、第一介质层和硅光探测器。本发明还公开了上述基于异质结薄膜光源的光耦的制作方法、基于异质结薄膜光源的光耦的放大集成电路以及该放大集成电路的制作方法。本发明中基于异质结薄膜光源的光耦的硅光探测器和硅基TiO2薄膜光源制作在同一个衬底上,器件集成度高、封装尺寸减小、降低了制造难度和成本;本发明的基于异质结薄膜光源的光耦,能够与电路集成在同一个衬底上,同时光源与光探测器轴向堆叠,不仅缩短了光的传输距离,还能在提高集成度的同时减少光在传播过程中的损耗。本发明适用于光电耦合器集成技术领域。
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公开(公告)号:CN110416250B
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN201910823552.5
申请日:2019-09-02
申请人: 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司
IPC分类号: H01L27/15 , H01L31/105 , H01L33/26 , H01L33/42 , H01L21/82
摘要: 本发明公开了一种基于异质结薄膜光源的光耦,包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO2薄膜光源、第一介质层和硅光探测器。本发明还公开了上述基于异质结薄膜光源的光耦的制作方法、基于异质结薄膜光源的光耦的放大集成电路以及该放大集成电路的制作方法。本发明中基于异质结薄膜光源的光耦的硅光探测器和硅基TiO2薄膜光源制作在同一个衬底上,器件集成度高、封装尺寸减小、降低了制造难度和成本;本发明的基于异质结薄膜光源的光耦,能够与电路集成在同一个衬底上,同时光源与光探测器轴向堆叠,不仅缩短了光的传输距离,还能在提高集成度的同时减少光在传播过程中的损耗。本发明适用于光电耦合器集成技术领域。
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公开(公告)号:CN110491967B
公开(公告)日:2021-03-02
申请号:CN201910823544.0
申请日:2019-09-02
申请人: 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 成都智芯微科技有限公司 , 上海联芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司
IPC分类号: H01L31/173 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种反偏型硅发光SOI光电隔离器,包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层硅,第一衬底与顶层硅通过智能剥离技术键合;反偏型硅发光SOI光电隔离器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层硅中的硅光源。本发明还公开了上述光电隔离器的制作方法,并进一步公开了上述反偏型硅发光SOI光电隔离器的集成电路及其制作方法。本发明提供了硅光源与硅光探测器轴向排布,面积小、制造成本低,具有较高的光传输效率和集成度;本发明的光电隔离器可以与电路集成在同一个衬底上,硅光源与硅光探测器轴向堆叠,进一步降低了制造成本,具有较高的集成度,适用于光电隔离器的集成技术领域。
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公开(公告)号:CN110491967A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201910823544.0
申请日:2019-09-02
申请人: 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 成都智芯微科技有限公司 , 广东气派科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司
IPC分类号: H01L31/173 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种反偏型硅发光SOI光电隔离器,包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层硅,第一衬底与顶层硅通过智能剥离技术键合;反偏型硅发光SOI光电隔离器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层硅中的硅光源。本发明还公开了上述光电隔离器的制作方法,并进一步公开了上述反偏型硅发光SOI光电隔离器的集成电路及其制作方法。本发明提供了硅光源与硅光探测器轴向排布,面积小、制造成本低,具有较高的光传输效率和集成度;本发明的光电隔离器可以与电路集成在同一个衬底上,硅光源与硅光探测器轴向堆叠,进一步降低了制造成本,具有较高的集成度,适用于光电隔离器的集成技术领域。
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公开(公告)号:CN110518087B
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN201910823539.X
申请日:2019-09-02
申请人: 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川上特科技有限公司
IPC分类号: H01L31/173 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种单芯片LED光电耦合器,包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅光探测器、第一介质层和LED光源。本发明还公开了上述单芯片LED光电耦合器的制作方法。本发明进一步公开了一种单芯片LED光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的光源探测器和LED光源制作在同一个衬底上,相比传统的使用点胶工艺制作平面结构的光电耦合器或者制作轴向结构的光电耦合器时需要对光源与光探测器进行电焊,其器件集成度高、封装尺寸减小,降低了制作难度和成本。本发明的单芯片LED光电耦合器,能够与电路集成在同一个衬底上,进一步降低制作成本,提高电路(56)对比文件Sun,Hongliang,et.al.“A novelpolysilicon light source and its on-chipoptical interconnection structuredesign”《.SPIE》.2019,第1102342-1至1102342-6页.
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公开(公告)号:CN110518087A
公开(公告)日:2019-11-29
申请号:CN201910823539.X
申请日:2019-09-02
申请人: 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 气派科技股份有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川上特科技有限公司
IPC分类号: H01L31/173 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种单芯片LED光电耦合器,包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅光探测器、第一介质层和LED光源。本发明还公开了上述单芯片LED光电耦合器的制作方法。本发明进一步公开了一种单芯片LED光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的光源探测器和LED光源制作在同一个衬底上,相比传统的使用点胶工艺制作平面结构的光电耦合器或者制作轴向结构的光电耦合器时需要对光源与光探测器进行电焊,其器件集成度高、封装尺寸减小,降低了制作难度和成本。本发明的单芯片LED光电耦合器,能够与电路集成在同一个衬底上,进一步降低制作成本,提高电路的集成度,适用于光电耦合器的集成技术领域。
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