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公开(公告)号：CN114616930A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080075915.2
申请日：2020-03-10
申请人： 微芯片技术卡尔迪科特有限公司
IPC分类号： H05K1/02 , H01L23/367 , H05K1/18
摘要： 本发明公开了一种用于将热量从半导体管芯传导出去的方法和设备。公开了一种板组件，该板组件包括电路板、电耦合到该电路板的半导体管芯和化学气相沉积金刚石(CVDD)涂覆的导线。该CVDD涂覆的导线的一部分在该半导体管芯上的热点与该电路板之间延伸。该板组件包括设置在该半导体管芯上的该热点与该电路板之间的导热膏层。该导热膏层与该CVDD涂覆的导线的一部分直接接触。
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公开(公告)号：CN114144876A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201980098584.1
申请日：2019-11-28
申请人： 微芯片技术卡尔迪科特有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H05K1/02 , H01L23/00
摘要： 本发明公开了一种用于将热量从半导体管芯传导出去的方法和设备。本发明公开了一种板组件，该板组件包括第一电路板，该第一电路板具有延伸穿过该第一电路板的开口。化学气相沉积金刚石(CVDD)窗口在该开口内延伸。导热膏层在该CVDD窗口上方延伸。半导体管芯在该导热膏层上方延伸，使得该半导体管芯上的热点覆盖在该CVDD窗口上。
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公开(公告)号：CN118216053A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202380013907.9
申请日：2023-03-08
申请人： 微芯片技术卡尔迪科特有限公司 , 国家物理实验室管理有限公司
IPC分类号： H01S5/42 , G01R33/00 , G04F5/14 , G01R33/26 , H01S5/00 , H01S5/024 , H01S5/06 , H01S5/062 , H01S5/40
摘要： 一种装置，该装置包括多波长(例如，双波长)竖直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列，该阵列包括第一VCSEL集合和第二VCSEL集合，第一VCSEL集合包括一个或多个第一VCSEL，用于发射第一波长的第一VCSEL辐射，第二VCSEL集合包括一个或多个第二VCSEL，用于发射不同于第一波长的第二波长的第二VCSEL辐射。该装置包括上游光学器件，用于(a)准直由第一VCSEL集合发射的第一VCSEL辐射并(b)准直由第二VCSEL集合发射的第二VCSEL辐射。该装置还包括蒸汽池，用于接收经准直的第一VCSEL辐射和经准直的第二VCSEL辐射，并且根据接收到的经准直的第一VCSEL辐射和经准直的第二VCSEL辐射来提供输出光束；以及测量电路，用于分析由蒸汽池提供的输出光束。
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公开(公告)号：CN113424665A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201980064869.3
申请日：2019-08-02
申请人： 微芯片技术卡尔迪科特有限公司
发明人： J·A·T·d·史密斯尔斯 , N·比多尔
摘要： 本发明公开了一种层压电路板结构，该层压电路板结构包括具有至少第一布线面上的导电布线迹线(未示出)的印刷电路板衬底(16)、在该第一布线面上方形成的预浸层(18)，以及具有小于1,000mm2的面积的贴片(10)。该贴片包括布线面上形成的导电布线迹线(14a‑14d)并且在该预浸层上方层压到该印刷电路板衬底，该贴片被取向成该布线面与该预浸层接触并且被压入该预浸层。该预浸层的部分填充所述导电布线迹线之间的间隙。
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