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公开(公告)号：CN115207012A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210621602.3
申请日：2022-06-02
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G03F1/00
摘要： 本发明提供一种掩膜版版图及其设计方式以及图像传感器，所述掩膜版版图包括对应形成子像素的若干第一图案、围绕所述第一图案的透光区及穿过所述透光区并相连于相邻所述第一图案之间的第二图案。所述连接结构可以有效保证高温过程中硅柱相互之间的晶格匹配，起到类似籽晶的作用，侧向PN结构之间不存在晶格失配，大幅减少刻蚀过程以及外延封闭沟槽时所产生的缺陷，有效地减少了图像传感器的暗电流和白点。而且，至少部分所述第二图案的中部沿所述第一方向或沿所述第二方向延伸，保证连接结构底部的衬底能较为轻易贯穿，增加工艺窗口，同时保留底部沟槽作为像素之间光学隔离使用。
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公开(公告)号：CN115377128A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110541818.4
申请日：2021-05-18
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种图像传感器源跟随晶体管的制造方法，包括：在半导体基底中进行第一掺杂类型的离子注入，形成沟道掺杂区域；在所述沟道掺杂区域上方依次形成栅极介质层和栅极；其中，所述沟道掺杂区域的宽度大于所述栅极的宽度。本发明的图像传感器源跟随晶体管的制造方法，在保持一定的栅极宽度前提下，将沟道掺杂区域的宽度扩展到栅极宽度以外，从而将沟道耗尽区移动到栅极外侧，增加了有效沟道宽度；预留了足够的冗余宽度，保证晶体管沟道宽度不受光刻套刻偏差的影响；足够大的注入窗口面积降低了埋沟注入的光刻要求；从而实现在提高源跟随晶体管跨导的同时，减少工艺偏差带来的性能影响，提高工艺稳定性，改善图像传感器的整体性能。
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公开(公告)号：CN114765670A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110043105.5
申请日：2021-01-13
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
摘要： 本发明实施例公开了多转换增益的图像传感器的实现方法及电子信息装置。该图像传感器包括光电二极管，转移晶体管，浮置扩散区；转换增益电路，其连接至所述浮置扩散区；所述转换增益电路至少包括三个晶体管及分别对应的三个电容器，以实现多转换增益。本发明在传感器的像素设计中引入了四转换增益设计，满足了超大FWC的像素设计对超大动态范围的全程覆盖。
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公开(公告)号：CN114765670B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202110043105.5
申请日：2021-01-13
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H04N25/70 , H04N25/78 , H04N25/77 , H01L27/146
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公开(公告)号：CN118588715A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202310201598.X
申请日：2023-03-03
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种图像传感器存储单元的实现方法，包括：根据预设的硬掩模层，刻蚀半导体衬底形成若干第一深沟槽；于所述第一深沟槽形成存储单元电容，以提高所述存储单元的密度。本发明的沟槽电容利用了图像传感器形成工艺的特点，能够将沟槽电容的面积大幅度缩小，提高集成度，而且沟槽电内容的容值可以通过栅氧厚度以及沟槽深度自由调节，满足不同功能的需求。
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公开(公告)号：CN118588639A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202310201027.6
申请日：2023-03-03
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/027 , H01L27/06
摘要： 本发明提供一种模拟电路晶体管和沟槽电容实现方法，包括：根据预设的第一掩膜层，刻蚀半导体衬底，同时形成第一沟槽和第二沟槽；同时于所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成多晶半导体层；于所述第一沟槽处形成立体晶体管结构，并于所述第二沟槽处形成沟槽电容。本发明可以通过调整光罩掩膜的设计可以同时形成立体晶体管和沟槽电容。此外，立体晶体管和沟槽电容的尺寸大小还可以通过工艺以及版图尺寸自由调节，满足不同电路的设计需求。本发明中，工艺所涉及到的光罩图案简单，具有较高的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN114883330A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110159606.X
申请日：2021-02-05
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578
摘要： 本发明实施例公开了一种多值存储器，该多值存储器包括：多个存储子列；每个存储子列包括浮置扩散区和多个存储单元；所述存储单元至少包括：电荷存储区和对应的转移晶体管；所述转移晶体管的部分沟道为垂直方向，通过位于转移晶体管沟道两侧的多晶硅栅极结构，控制转移晶体管电荷在所述浮置扩散区和所述电荷存储区之间的转移。本发明实施例通过将部分沟道为垂直方向的转移晶体管应用于多值存储器，并将光电二极管作为电荷存储区，提高转移晶体管整合密度的同时，降低了芯片制备的成本。
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公开(公告)号：CN118588714A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202310201546.2
申请日：2023-03-03
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G06F30/392
摘要： 本发明提供一种图像传感器形成方法，包括：半导体器件的栅极形成之前，根据第一光刻图形，形成第一掩膜层，刻蚀半导体衬底形成阵列排布的半导体岛状结构，且至少部分所述半导体岛状结构上部之间通过至少一处悬梁连接结构相互连接；在后续工艺中，采用所述第一掩膜层自对准地进行刻蚀，于所述悬梁连接结构处形成立体结构功能晶体管。本发明可以通过自对准的方案形成立体结构功能晶体管，从而避免掩膜偏移引起不对称的现象，解决套刻问题；此外，本方案中立体结构功能晶体管的尺寸可以根据性能的需求自由的调整；工艺所涉及到的功能晶体管形成光罩简单，还可以获得较高的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN117334704A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202210734481.3
申请日：2022-06-27
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种图像传感器形成方法，在栅极形成之前，包括：刻蚀半导体衬底，形成用于所述图像传感器像素单元之间隔离的第一沟槽，于其中至少部分所述第一沟槽中形成所述图像传感器中的至少部分电容，以优化图像传感器的制造工艺。本方案利用刻蚀、二次外延等技术形成高满阱容量光电二极管的同时，制备高容值的电容，能够很好的利用像素区域的面积，实现高容值且不影响光电二极管性能，从而更好地服务于HDR、GS等像素单元内部需要电容的功能。
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公开(公告)号：CN116266599A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111550478.8
申请日：2021-12-17
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底，定义像素区域和外围区域；在半导体衬底一侧通过外延生长形成一种或多种掺杂类型的外延层，其中包括至少一层N型外延层；利用所述像素区域的N型外延层作为第一深层N型阱，形成光电二极管；利用所述外围区域的N型外延层作为第二深层N型阱，形成外围电路。本发明充分利用了像素区域的工艺条件，优化了外围区域的工艺流程，无需对外围电路的阱注入版图进行修改，仅需更改注入条件即可得到正常工作的外围电路，减少了设计改动成本，提高了生产效率；同时由于减少了外围区域底部的高能注入步骤，进而提高了电路器件的沟道质量，改善了图像传感器性能表现。
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