一种无掩膜曝光方法及曝光装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116954031A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310814692.2

    申请日:2023-07-04

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本发明公开了一种无掩膜曝光方法及曝光装置,属于曝光技术领域。该方法通过识别曝光图档中的数据,当曝光图形存在很多纵向空白时,直接跳过这些空白,只进行有效图形的扫描曝光,从而有效节省扫描行程,提升产能,根据待曝光图形的复杂程度,能够提升产能10%~50%。

    激光直写设备中多路光路校准系统及方法

    公开(公告)号:CN111781800B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202010573071.6

    申请日:2020-06-22

    IPC分类号: G03F7/20 H04N5/225 H04N5/235

    摘要: 本发明公开了激光直写设备中多路光路校准系统及方法,属于曝光技术领域。所述方法通过成像转换组件对各光路所投的图像进行转换,像经过成像转换组件透镜组后变成平行光通过校准光路的各光学元件(全反镜+透反镜),最终经CCD物镜将平行入射的光线成像到CCD靶面相机上。通过成像转换组件将光路用于校准的图形成像到无穷远,从而解决了CCD靶面相机与各光路距离不一样的问题,因为不需要移动载物平台,所以避免了现有多光路校准的方法存在的耗时长且校准精度依赖于可移动平台的精度的问题。

    一种基于垂直双台面结构的多工位数字光刻装置和方法

    公开(公告)号:CN113848683A

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202111110717.8

    申请日:2021-09-18

    IPC分类号: G03F7/20 G03F9/00

    摘要: 本发明公开了一种基于垂直双台面结构的多工位数字光刻装置和方法,属于光刻系统技术领域。本发明提供的光刻装置及方法,通过采用触发对位模式,基于曝光工作面、对位工作面、上下板操作面分别处于不同垂直工位的垂直双台面结构,在垂直空间上,为两个台面设置多个垂直工位,多个垂直工位相互独立,并可以根据不同的曝光场合,结合不同的曝光流程方法,适用于有多分区对位需求,或更高解析精度需求,或两者均需要的生产需求,并保证光刻精度、并提高工作效率。本发明提供的光刻装置及方法,适合于使用低剂量成像材料的生产需求,此时曝光速度较快,需要尽量缩短上下板和对位操作,可使工作效率提升10%以上。

    一种晶圆对位标记的快速检测系统及方法

    公开(公告)号:CN116560180B

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202310616172.0

    申请日:2023-05-29

    摘要: 本发明公开了一种晶圆对位标记的快速检测系统及方法,属于曝光设备技术领域。本发明采用多种定位方式协同定位,依次为粗定位,精定位,考虑到图像变形等问题采用重心定位,在多种定位方式协同后,彻底摆脱缺陷、杂点、涂胶等情况对图像造成的影响,同时采用三次处理模块的重心校正法,避免图像在光刻中的变形对定位造成影响,有效地提升了定位精度;此外,采用方向矩阵进行图像相似判定,图像的方向矩阵更加不容易受到光线、杂点等情况的干扰,有效地提升了抗干扰能力;本发明对硬件设备的要求不高,可以降低成本,且相比于基于深度学习的检测方法,本发明无需进行复杂的训练和重复学习的过程,计算速度较快,因此检测效率较高。

    一种用于LDI设备的光源参数自动调节方法

    公开(公告)号:CN117471870A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311461395.0

    申请日:2023-11-03

    发明人: 于鹏 袁征

    摘要: 本申请公开了一种用于LDI设备的光源参数自动调节方法,涉及LDI设备技术领域,该方法根据当前光源参数下的靶标图像的图像质量确定光源参数对应的适应度值,然后根据当前光源参数对应的适应度值进行下一次迭代操作,直至搜索到光源参数的最优解后完成对LDI设备中的光源的调节。该方法自动化程度高且调节效率高,可以自动迭代计算并寻找到一组与当前的生产产品和加工环境匹配的光源参数,使得LDI设备的视觉成像系统具有更好的成像效果,且在不同的应用场景中都有较好的通用性。

    一种针对晶圆的曝光方法及曝光装置

    公开(公告)号:CN116859680A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310872926.9

    申请日:2023-07-14

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本发明公开了一种针对晶圆的曝光方法及曝光装置,属于半导体领域。所述方法通过利用多边形交叠算法计算出待曝光的晶圆图形同每个条带相交的最高点和最低点,进而确定每个条带需曝光的块的个数,进而使得聚焦位置能够沿着圆形边缘移动,只对需曝光的部分进行曝光,针对晶圆图形的曝光产能将提升20~30%。

    一种DMD数字光刻曝光系统及其装调检测方法

    公开(公告)号:CN116643463A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202310573144.5

    申请日:2023-05-19

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本发明公开了一种DMD数字光刻曝光系统及其装调检测方法,该系统包括依次设置的光源、照明系统、DMD、投影系统、后置透镜和数码相机,数码相机安装在后置透镜的后焦面;光源发出的光经照明系统匀光准直整形照射物面DMD,DMD与像面共轭成像,DMD的图形经投影系统成像在像面。本发明通过观察频谱面能量分布、形状和大小来检查曝光系统装调优劣,通过曝光系统数值孔径以及焦距合理选择后置透镜通光孔径和焦距,曝光系统频谱面成像到后置透镜焦面并通过数码相机观察;曝光系统焦距未知只能观察频谱面部分图形时,通过移动数码相机对图形进行拼接,结构简单,设计便利,频谱面更多地体现曝光细节,更能表现曝光系统装调过程照明系统和投影系统匹配问题。

    激光直写设备中多路光路校准系统及方法

    公开(公告)号:CN111781800A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010573071.6

    申请日:2020-06-22

    IPC分类号: G03F7/20 H04N5/225 H04N5/235

    摘要: 本发明公开了激光直写设备中多路光路校准系统及方法,属于曝光技术领域。所述方法通过成像转换组件对各光路所投的图像进行转换,像经过成像转换组件透镜组后变成平行光通过校准光路的各光学元件(全反镜+透反镜),最终经CCD物镜将平行入射的光线成像到CCD靶面相机上。通过成像转换组件将光路用于校准的图形成像到无穷远,从而解决了CCD靶面相机与各光路距离不一样的问题,因为不需要移动载物平台,所以避免了现有多光路校准的方法存在的耗时长且校准精度依赖于可移动平台的精度的问题。

    一种双面对准的曝光系统

    公开(公告)号:CN106647188B

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN201710032482.2

    申请日:2017-01-16

    发明人: 傅志伟

    IPC分类号: G03F7/20 G03F9/00

    摘要: 本发明公开了一种双面对准的曝光系统,属于直写曝光机技术领域。本发明的双面对准的曝光系统包括样品承载装置和分别位于样品承载装置两侧的对位装置和曝光装置,本发明提供的双面对位曝光方法包括放板、标记、翻板、定位和曝光等步骤;实现了对半导体、PCB板等产品双面曝光图像精确对位,在定位过程中,使用已有图形中形状作为标记图形或使用添加标记图形作为定位用的标记,不会对板造成永久性的破坏;设备和方法简单,不需要额外添加用于打印或曝光标记图形的设备,节约成本。