-
公开(公告)号：CN117748290A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311785136.3
申请日：2023-12-22
申请人： 王晓靁
摘要： 本发明公开一种具有2D材料层的垂直腔面发射激光器，在基板上形成2D材料层；范德华外延层形成在2D材料层上，为III‑V族化合物或III族氮化物，且材质相异于基板；底部介电质DBR形成在基板的部分区域上或范德华外延层的部分表面上，以介电质DBR作为侧向外延屏蔽，侧向外延层结合n型/p型掺杂层覆盖在底部介电质DBR和范德华外延层上；有源层形成在n型/p型掺杂层上；p型/n型掺杂层形成在有源层上；顶部DBR形成在p型/n型掺杂层上；n电极和p电极分别安装在n型掺杂层和p型掺杂层上。本发明并提供其制备方法，可以脱离外延基板的局限，实现高质量化合物半导体外延，大幅提升产出效率和产品良率，提升产品效能、良率和性能。
-
公开(公告)号：CN111009602B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010006008.4
申请日：2020-01-03
申请人： 王晓靁
摘要： 本发明公开了具有2D材料中介层的外延基板，在多晶基板表面，借助范德华外延生长2D材料超薄中介层，2D材料超薄中介层的表层晶格常数及基底热膨胀系数与AlGaN或GaN高度匹配，2D材料超薄中介层为单层结构或者复合层结构，2D材料超薄中介层上借助范德华外延生长AlGaN或单晶GaN外延层。还公开了上述外延基板的制备方法和制作组件。本发明提供可行技术满足在多晶基底上进行单晶层外延，可以制作大尺寸(6吋及6吋以上)基底且制作成本远低于相关单晶芯片，同时解决现有UVC LED和GaN系镭射二极管外延基板问题并能显着降低工序成本，有效提升AlGaN宽能隙光电及电子组件以及GaN系镭射二极管的组件效能。
-
公开(公告)号：CN111009602A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN202010006008.4
申请日：2020-01-03
申请人： 王晓靁
摘要： 本发明公开了具有2D材料中介层的外延基板，在多晶基板表面，借助范德华外延生长2D材料超薄中介层，2D材料超薄中介层的表层晶格常数及基底热膨胀系数与AlGaN或GaN高度匹配，2D材料超薄中介层为单层结构或者复合层结构，2D材料超薄中介层上借助范德华外延生长AlGaN或单晶GaN外延层。还公开了上述外延基板的制备方法和制作组件。本发明提供可行技术满足在多晶基底上进行单晶层外延，可以制作大尺寸(6吋及6吋以上)基底且制作成本远低于相关单晶芯片，同时解决现有UVC LED和GaN系镭射二极管外延基板问题并能显着降低工序成本，有效提升AlGaN宽能隙光电及电子组件以及GaN系镭射二极管的组件效能。
-
公开(公告)号：CN115954421A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211220590.X
申请日：2022-10-08
申请人： 王晓靁
摘要： 本发明提供一种具有介电质边框的微型发光二极管及其制备方法，该微型发光二极管包括：一n型掺杂层磊晶于磊晶基板上；一介电质边框形成于磊晶基板或n型掺杂层上；一多重量子阱层成长于介电质边框中，且位于n型掺杂层上；一p型掺杂层成长于介电质边框中，且位于多重量子阱层上；一第一金属电极导接于p型掺杂层；一第二金属电极导接于n型掺杂层或磊晶基板；以及一保护层覆于介电质边框及透明电流分散层之外表面，并暴露出第一金属电极及第二金属电极；有效避免平台蚀刻所造成的瑕疵，从源头解决Micro‑LED的EQE急速下降的问题，有效提高Micro LED的发光效率。
-
公开(公告)号：CN108767088B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201810480536.6
申请日：2018-05-18
申请人： 王晓靁
IPC分类号： H01L33/48
摘要： 本发明公开一胶囊化基板，包括：一氧化锌基板，具有作用面，是一个纤锌矿晶格结构的的氧化锌材料；一复合阻障层，包括：一层第一薄膜层，是一相异于氧化锌的第一材料；一层包覆上述第一薄膜层表面的第二薄膜层，是一相异于氧化锌及上述第一材料的第二材料；依序形成于上述第二薄膜层上的复数累加薄膜层，每一累加薄膜层是异于相邻的累加薄膜层和／或第二薄膜层；及一形成于上述复合阻障层、并对应上述作用面的主动层，该主动层具有一相异于氧化锌的作用材料。本发明透过复合阻障层提供多层材料界面，减少氧化锌基板原子扩散的自由度，达到阻障的效果。
-
公开(公告)号：CN110010729A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910240892.5
申请日：2019-03-28
申请人： 王晓靁
摘要： 本发明公开一种RGB全彩InGaN基LED，在基板材料表面覆盖晶格匹配的2D材料超薄层作为中介层，InGaN系材料外延层成长于2D材料超薄层上，此2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成。还公开了制备方法。本发明采用2D材料覆盖基板材料表面作为InxGa1-xN外延的中介层，进行范德华外延或准范德华外延技术应用，使得来自于外延工序中晶格以及热膨胀不匹配的应力或应变能获得一定程度的舒缓，能在目前可用的基板表面实现高质量的高In含量InxGa1-xN外延，并实现高效能的直接绿光/红光发光二极管，将外延及组件工序简化，使得采用的基板材料选择可能性更为宽广，制造成本低，有利于市场推广应用。
-
公开(公告)号：CN108767088A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810480536.6
申请日：2018-05-18
申请人： 王晓靁
IPC分类号： H01L33/48
摘要： 本发明公开一胶囊化基板，包括：一氧化锌基板，具有作用面，是一个纤锌矿晶格结构的氧化锌材料；一复合阻障层，包括：一层第一薄膜层，是一相异于氧化锌的第一材料；一层包覆上述第一薄膜层表面的第二薄膜层，是一相异于氧化锌及上述第一材料的第二材料；依序形成于上述第二薄膜层上的复数累加薄膜层，每一累加薄膜层是异于相邻的累加薄膜层和／或第二薄膜层；及一形成于上述复合阻障层、并对应上述作用面的主动层，该主动层具有一相异于氧化锌的作用材料。本发明透过复合阻障层提供多层材料界面，减少氧化锌基板原子扩散的自由度，达到阻障的效果。
-
公开(公告)号：CN113644168B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110924887.3
申请日：2021-08-12
申请人： 王晓靁
摘要： 本发明公开一种RGB InGaN基micro LED的制作方法，步骤如下：对外延芯片材料进行前处理，在外延芯片上沉积隔离层，在同一片外延芯片上将两种或三种颜色光组件对应的LED外延区隔离层去除，制成区块槽，分别至少有一种及两种组件对应的区块槽底部成长用于调变外延晶格常数的中介层，在区块槽中进行LED外延工序。本发明还公开了制作的器件。本发明可以实现依序或同时在同一外延芯片上完成两种或三种InGaN LED组件的外延工序，并完成其余组件所需工序，巨量转移工序将获得有效的减省。针对发光组件导入备援修补设计，大幅降低后续修复工序的复杂度及成本，有效地提升良品率。
-
公开(公告)号：CN113644168A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110924887.3
申请日：2021-08-12
申请人： 王晓靁
摘要： 本发明公开一种RGB InGaN基micro LED的制作方法，步骤如下：对外延芯片材料进行前处理，在外延芯片上沉积隔离层，在同一片外延芯片上将两种或三种颜色光组件对应的LED外延区隔离层去除，制成区块槽，分别至少有一种及两种组件对应的区块槽底部成长用于调变外延晶格常数的中介层，在区块槽中进行LED外延工序。本发明还公开了制作的器件。本发明可以实现依序或同时在同一外延芯片上完成两种或三种InGaN LED组件的外延工序，并完成其余组件所需工序，巨量转移工序将获得有效的减省。针对发光组件导入备援修补设计，大幅降低后续修复工序的复杂度及成本，有效地提升良品率。
-
公开(公告)号：CN109980061A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910282654.0
申请日：2019-04-10
申请人： 王晓靁
摘要： 本发明公开了采用2D材料磊晶去疵单晶基板，在低成本GaN单晶基板或其他低成本的GaN准同质材料单晶基板上采用阻隔效果的2D材料范德华外延生长2D材料超薄层作为中介层，在2D材料超薄层上范德华外延生长高质量GaN或GaN基外延层，2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成，准同质材料单晶基板外延的条件范围为：晶格常数不匹配度不大于5％以及热膨胀系数差异不大于1.5×10‑6℃‑1。本发明还公开了制备方法以及其制作组件。本发明可获得高质量GaN单晶基板，将外延及组件工序简化，使得采用的基板材料选择可能性更为宽广，制造成本大大降低，有利于市场推广应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
19 条记录 (耗时 0.014 秒)
