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公开(公告)号：CN117748290A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311785136.3
申请日：2023-12-22
申请人： 王晓靁
摘要： 本发明公开一种具有2D材料层的垂直腔面发射激光器，在基板上形成2D材料层；范德华外延层形成在2D材料层上，为III‑V族化合物或III族氮化物，且材质相异于基板；底部介电质DBR形成在基板的部分区域上或范德华外延层的部分表面上，以介电质DBR作为侧向外延屏蔽，侧向外延层结合n型/p型掺杂层覆盖在底部介电质DBR和范德华外延层上；有源层形成在n型/p型掺杂层上；p型/n型掺杂层形成在有源层上；顶部DBR形成在p型/n型掺杂层上；n电极和p电极分别安装在n型掺杂层和p型掺杂层上。本发明并提供其制备方法，可以脱离外延基板的局限，实现高质量化合物半导体外延，大幅提升产出效率和产品良率，提升产品效能、良率和性能。
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公开(公告)号：CN111009602B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010006008.4
申请日：2020-01-03
申请人： 王晓靁
摘要： 本发明公开了具有2D材料中介层的外延基板，在多晶基板表面，借助范德华外延生长2D材料超薄中介层，2D材料超薄中介层的表层晶格常数及基底热膨胀系数与AlGaN或GaN高度匹配，2D材料超薄中介层为单层结构或者复合层结构，2D材料超薄中介层上借助范德华外延生长AlGaN或单晶GaN外延层。还公开了上述外延基板的制备方法和制作组件。本发明提供可行技术满足在多晶基底上进行单晶层外延，可以制作大尺寸(6吋及6吋以上)基底且制作成本远低于相关单晶芯片，同时解决现有UVC LED和GaN系镭射二极管外延基板问题并能显着降低工序成本，有效提升AlGaN宽能隙光电及电子组件以及GaN系镭射二极管的组件效能。
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公开(公告)号：CN111009602A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN202010006008.4
申请日：2020-01-03
申请人： 王晓靁
摘要： 本发明公开了具有2D材料中介层的外延基板，在多晶基板表面，借助范德华外延生长2D材料超薄中介层，2D材料超薄中介层的表层晶格常数及基底热膨胀系数与AlGaN或GaN高度匹配，2D材料超薄中介层为单层结构或者复合层结构，2D材料超薄中介层上借助范德华外延生长AlGaN或单晶GaN外延层。还公开了上述外延基板的制备方法和制作组件。本发明提供可行技术满足在多晶基底上进行单晶层外延，可以制作大尺寸(6吋及6吋以上)基底且制作成本远低于相关单晶芯片，同时解决现有UVC LED和GaN系镭射二极管外延基板问题并能显着降低工序成本，有效提升AlGaN宽能隙光电及电子组件以及GaN系镭射二极管的组件效能。
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公开(公告)号：CN115954421A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211220590.X
申请日：2022-10-08
申请人： 王晓靁
摘要： 本发明提供一种具有介电质边框的微型发光二极管及其制备方法，该微型发光二极管包括：一n型掺杂层磊晶于磊晶基板上；一介电质边框形成于磊晶基板或n型掺杂层上；一多重量子阱层成长于介电质边框中，且位于n型掺杂层上；一p型掺杂层成长于介电质边框中，且位于多重量子阱层上；一第一金属电极导接于p型掺杂层；一第二金属电极导接于n型掺杂层或磊晶基板；以及一保护层覆于介电质边框及透明电流分散层之外表面，并暴露出第一金属电极及第二金属电极；有效避免平台蚀刻所造成的瑕疵，从源头解决Micro‑LED的EQE急速下降的问题，有效提高Micro LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN113644168B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110924887.3
申请日：2021-08-12
申请人： 王晓靁
摘要： 本发明公开一种RGB InGaN基micro LED的制作方法，步骤如下：对外延芯片材料进行前处理，在外延芯片上沉积隔离层，在同一片外延芯片上将两种或三种颜色光组件对应的LED外延区隔离层去除，制成区块槽，分别至少有一种及两种组件对应的区块槽底部成长用于调变外延晶格常数的中介层，在区块槽中进行LED外延工序。本发明还公开了制作的器件。本发明可以实现依序或同时在同一外延芯片上完成两种或三种InGaN LED组件的外延工序，并完成其余组件所需工序，巨量转移工序将获得有效的减省。针对发光组件导入备援修补设计，大幅降低后续修复工序的复杂度及成本，有效地提升良品率。
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公开(公告)号：CN113644168A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110924887.3
申请日：2021-08-12
申请人： 王晓靁
摘要： 本发明公开一种RGB InGaN基micro LED的制作方法，步骤如下：对外延芯片材料进行前处理，在外延芯片上沉积隔离层，在同一片外延芯片上将两种或三种颜色光组件对应的LED外延区隔离层去除，制成区块槽，分别至少有一种及两种组件对应的区块槽底部成长用于调变外延晶格常数的中介层，在区块槽中进行LED外延工序。本发明还公开了制作的器件。本发明可以实现依序或同时在同一外延芯片上完成两种或三种InGaN LED组件的外延工序，并完成其余组件所需工序，巨量转移工序将获得有效的减省。针对发光组件导入备援修补设计，大幅降低后续修复工序的复杂度及成本，有效地提升良品率。
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公开(公告)号：CN212967721U
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202022460792.4
申请日：2020-10-29
申请人： 王晓靁
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/028 , H01L31/0216
摘要： 本实用新型公开了具有2D材料中间层的硅上氮化镓GaN‑on‑Si外延基板，在硅晶圆基板上具有多晶向的2D材料超薄中介层，2D材料超薄中介层至少具有一顶层；顶层晶格常数与AlN、AlGaN或GaN高度匹配；2D材料超薄中介层顶层上借助范德华外延生长有GaN单晶外延层，或者，2D材料超薄中介层顶层上借助范德华外延生长有AlGaN或AlN成核辅助层，再在成核辅助层上具有GaN单晶外延层。本实用新型有效克服异质外延晶格不匹配导致氮化镓层缺陷质量问题；缓解部分因热膨胀系数不同导致的热应力问题，有利于用来进行成长高质量GaN外延层，以进行GaN系等宽能隙光电及半导体组件制作。
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公开(公告)号：CN215834528U
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202121888054.8
申请日：2021-08-12
申请人： 王晓靁
摘要： 本实用新型公开一种RGB InGaN基micro LED，在外延芯片上形成外延区隔离层，在同一外延区隔离层形成两或三种颜色光组件的区块槽，分别至少有一或两种颜色光组件的区块槽底部形成用于调变外延晶格常数的中介层，区块槽中则形成对应颜色光组件的InGaN系材料外延层，使RGB InGaN LED组件中的两或三种颜色光组件形成在同一片外延芯片上。本实用新型可以实现依序或同时在同一外延芯片上完成两或三种InGaN LED组件的外延工序，并完成其余组件所需工序，巨量转移工序将获得有效的减省。针对发光组件导入备援修补设计，大幅降低后续修复工序的复杂度及成本，有效地提升良品率。
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公开(公告)号：CN221709120U
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202323591021.9
申请日：2023-12-27
申请人： 王晓靁
摘要： 本实用新型公开一种具有2D材料层的硅光子集成电路单块芯片，采用包含硅晶圆或SOI基板在内的硅基基板，硅基基板内形成光学被动元件，硅基基板上形成光子晶体面发射激光器；2D材料层形成在基板上；范德华外延层形成在2D材料层上；介电质掩膜层形成在基板的部分区域上或范德华外延层的部分表面上，侧向外延层结合n型掺杂层覆盖在介电质掩膜层和范德华外延层上；有源层形成在n型掺杂层上；光子晶体层形成在有源层上；p型掺杂层形成在光子晶体层上；n电极和p电极分别安装在n型掺杂层和p型掺杂层上。本实用新型可以脱离外延基板的局限，实现高质量化合物半导体外延，使PCSEL与硅光子整合。
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公开(公告)号：CN218586004U
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202222633550.X
申请日：2022-10-08
申请人： 王晓靁
摘要： 本实用新型提供一种具有介电质边框的微型发光二极管，该微型发光二极管包括：一n型掺杂层磊晶于磊晶基板上；一介电质边框形成于磊晶基板或n型掺杂层上；一多重量子阱层成长于介电质边框中，且位于n型掺杂层上；一p型掺杂层成长于介电质边框中，且位于多重量子阱层上；一第一金属电极导接于p型掺杂层；一第二金属电极导接于n型掺杂层或磊晶基板；以及一保护层覆于介电质边框及透明电流分散层之外表面，并暴露出第一金属电极及第二金属电极；有效避免平台蚀刻所造成的瑕疵，从源头解决Micro‑LED的EQE急速下降的问题，有效提高Micro LED的发光效率。
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