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公开(公告)号：CN118891740A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202280093755.3
申请日：2022-06-30
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
发明人： 程凯
摘要： 本申请提供了一种发光器件及其制作方法，发光器件包括：基底、第一掩膜层、第一外延层与发光结构；第一掩膜层位于基底上，第一掩膜层具有暴露基底的第一窗口，第一窗口包括开口端，开口端在基底所在平面上的正投影的面积小于与第一窗口在基底所在平面上的正投影的面积；第一外延层自基底外延生长至填满第一窗口；发光结构位于第一外延层与第一掩膜层上。根据本发明的实施例，使用具有第一掩膜层的基底作为外延生长GaN基材料的基底，利用第一窗口的内收侧壁，使得外延生长的GaN基材料的位错终止在第一窗口的侧壁，无法在第一窗口外继续延伸。因而，可以降低GaN基材料的位错密度，提高发光器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN118591863A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202280088195.2
申请日：2022-06-30
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
发明人： 程凯
摘要： 本申请提供了一种材料结构及其制作方法，材料结构包括：基底与位于基底上的掩膜层；掩膜层具有暴露基底的窗口，窗口包括开口端，开口端在基底所在平面上的正投影的面积小于窗口在基底所在平面上的正投影的面积。根据本发明的实施例，使用具有掩膜层的基底作为外延生长GaN基材料的基底，掩膜层中的开口在自基底朝向开口端方向上具有内收的侧壁，利用窗口的内收侧壁，使得外延生长的GaN基材料的位错终止在窗口的侧壁，无法继续随GaN基材料的生长而延伸。因而，具有上述掩膜层的基底可以降低GaN基材料的位错密度。
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公开(公告)号：CN118199549A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211599321.9
申请日：2022-12-12
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明公开了一种基板结构、制备方法以及声表面波谐振器、制备方法。该基板结构包括：第一衬底，第一衬底的表面设置有第一温度补偿层；顶层衬底，顶层衬底位于第一温度补偿层远离第一衬底的一侧，顶层衬底靠近第一温度补偿层的表面设置有至少一个第一凹槽，顶层衬底远离第一温度补偿层的表面设置有至少一个第二凹槽，第一凹槽的深度小于顶层衬底的厚度，第二凹槽的深度小于顶层衬底的厚度。本发明实施例提供的技术方案实现了对声表面波谐振单元随着温度变化发生的频率漂移现象进行补偿的效果。
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公开(公告)号：CN116235302A8
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202080104572.8
申请日：2020-08-24
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/778
摘要： 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：衬底；依次层叠设置于所述衬底上的外延层以及外延结构；其中，所述外延层中掺杂有掺杂元素，且在形成过程中，通过在所述外延层上形成牺牲层并反复刻蚀所述牺牲层，以使所述外延层中的掺杂元素的浓度低于一预设值。该制作方法用于制备该半导体结构。本申请通过在外延层上形成牺牲层并反复刻蚀牺牲层，以使外延层中的掺杂元素的浓度低于一预设值，从而防止外延层中的掺杂元素向上析出进入上层结构，保证沟道层电子的迁移率，以及提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN113439342B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201980090925.0
申请日：2019-02-01
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/778
摘要： 本发明提出了一种半导体结构及其制备方法，在衬底层之上设置缓冲层，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，在第一缓冲层掺杂过渡金属可以形成深能级陷阱，捕获背景电子，还可避免自由电子向衬底方向的扩散；第二缓冲层中降低过渡金属浓度避免拖尾效应，防止电流崩塌；在缓冲层中周期性的掺杂杂质，使得杂质作为受主杂质，补偿背景电子，减小背景浓度，采用周期性掺杂的方法，可以有效减少缓冲层中因为掺杂而引起的位错。
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公开(公告)号：CN118057617A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202211448910.7
申请日：2022-11-18
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
发明人： 程凯
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底，包括第一区域及第二区域，第二区域环绕第一区域；依次位于第一区域上的图形化结构、第一N型重掺杂半导体层、沟道层以及第二N型重掺杂半导体层；源极，连接第二N型重掺杂半导体层；漏极，连接第一N型重掺杂半导体层；以及栅极，栅极环绕包覆沟道层的侧壁；本发明提供的半导体结构中沟道层为垂直沟道结构，栅极环绕包覆沟道层的侧壁，增加了栅控面积，使得电场分布更加均匀，极大程度上提高了栅极对沟道层的控制能力，有效提高击穿电压，降低漏电，改善动态特性，提高半导体结构的效率和线性度。
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公开(公告)号：CN117894891A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202211228459.8
申请日：2022-10-09
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
摘要： 本申请提供了一种半导体结构，半导体结构包括，n型半导体层；包含量子垒层和量子阱层的多量子阱层；保护层，位于量子阱层上，为氧掺杂的氮化物材料；p型半导体层。本申请中，氮化物保护层经氧掺杂后可进一步提高保护层的能带宽度和半导体结构的材料质量以及降低缺陷密度，进而对量子阱具有更好的保护功能，避免InGaN量子阱中的In析出，氧掺杂保护层的存在可以实现以更低In组分的InGaN量子阱材料实现更长的发光波长。
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公开(公告)号：CN117855261A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202211223425.X
申请日：2022-10-08
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
发明人： 程凯
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明提供了一种垂直导电型半导体结构及其制作方法，垂直导电型半导体结构包括：重掺杂层、第一半导体层与第二半导体层，重掺杂层与第一半导体层的导电类型相同，第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反，第一半导体层与第二半导体层的材料为GaN基材料；以及离子注入区，位于第二半导体层内；离子注入区与第二半导体层的导电类型相反；离子注入区包括上下相对的第一端与第二端，第一端与第二半导体层远离第一半导体层的表面齐平，第二端与第一半导体层连通，其中，自下而上，离子注入区的宽度不同。根据本发明的实施例，采用离子注入法可以降低半导体结构的缺陷，避免载流子被捕获，提高导通电流，从而增大功率与降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN117766653A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211132126.5
申请日：2022-09-16
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
摘要： 本申请涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法。其中，半导体结构包括：衬底、导电层、第一反射镜、发光结构与第二反射镜。衬底上设有导电层，导电层内包覆有至少一个第一反射镜，第一反射镜的一端位于所述导电层远离所述衬底的一侧。发光结构位于导电层设有第一反射镜的一侧，发光结构的一端连接导电层与第一反射镜，第二反射镜位于发光结构远离第一反射镜的一侧；其中，第一反射镜在第二衬底上的投影与第二反射镜在第二衬底上的投影具有重叠区域，第一反射镜和第二反射镜的材料不同。本申请公开的半导体结构及其制备方法有效解决了共振腔发光二极管制备繁琐的问题，且提高了共振腔发光二极管良率。
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公开(公告)号：CN117480530A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202180098532.1
申请日：2021-06-18
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
IPC分类号： G06V40/16 , G06V20/64 , G06V40/13 , H01L33/32 , G02F1/1333
摘要： 本申请提供一种显示面板，包括显示区域，显示区域至少包括第一区域与第二区域，第一区域与第二区域包括阵列式排布的第一GaN基LED单元；第一区域与第二区域包括显示状态与红外识别状态，在显示状态，第一区域与第二区域的第一GaN基LED单元用于显示可见光画面；在红外识别状态，第一区域的第一GaN基LED单元用于发出红外光，第二区域的第一GaN基LED单元用于感光红外光。本发明的显示面板，使用GaN基材料制作LED单元，GaN基LED单元作为像素单元，不但可发出可见光，具有可见光显示功能，还能发出红外光与感光红外光，用于红外识别。可避免在显示面板上开槽安装红外识别装置，即避免占用显示区域，实现全面屏。
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