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公开(公告)号：CN117506706A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311321506.8
申请日：2023-10-12
摘要： 本发明公开了一种调节式半导体材料研磨设备，属于半导体加工技术领域；本发明通过在工作台上设置上研磨机构和下研磨机构，上研磨机构和下研磨机构用于对半导体材料进行双面打磨，提高了半导体材料的研磨效率，通过以上设置避免了半导体材料翻转造成固定不稳的现象出现；通过设置多个可拆分的固定组件，当需要研磨不同尺寸的半导体材料时，拆分游星轮上的固定盘，并调节更换置物孔与半导体材料尺寸相匹配的固定盘，使得该设备可研磨尺寸不同的半导体材料，根据需要研磨半导体材料的尺寸，通过更换不同的固定盘，从而调节固定盘的置物孔大小与半导体材料尺寸匹配，即可实现不同尺寸半导体材料的研磨，无需对半导体材料进行夹持固定。
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公开(公告)号：CN115649874B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211341440.4
申请日：2022-10-31
摘要： 本发明公开了一种半导体材料制备用粉尘处理装置，涉及半导体加工技术领域，包括回收箱，一侧安装有输送管，所述输送管的内部安装有震动输送带；回收连接箱，至少一组回收连接箱通过单向传输管与输送管相连接；所述回收连接箱包括：倾斜传输带，底端位于单向传输管的上侧；第一鼓风机构，朝向单向传输管鼓送空气；刮擦件，至少一端通过鼓送的空气与倾斜传输带的下表面相抵接。本申请中粉尘处理装置采用分布收集、集中回收的工作模式，各个回收连接箱可根据设备的分布位置进行组装，从而适用于不同的生产规模，并且安装方便，适用简单，并且在使用时，通过刮擦件，可以将倾斜传输带下侧的粉尘进行刮擦，进而避免粉尘吸附在倾斜传输带的上侧。
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公开(公告)号：CN115445859B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211081092.1
申请日：2022-09-05
摘要： 本发明公开了一种半导体元件的制造设备，涉及半导体制造技术领域，目的在于提供一种提高点胶效率、完成定量点胶，保障点胶质量的半导体元件的制造设备，其技术要点包括工作台，工作台的顶部设有支撑架，支撑架的顶部镶嵌有胶桶，胶桶的顶部通过连接块安装储气罐，储气罐的底部连接导气管，导气管的底端延伸至胶桶的内腔，导气管的中部设有控制阀，胶桶的一侧设有排气管，技术效果是通过定量筒内各结构的设置，储气罐内的压缩气体可以通过进气管进入到定量筒内，可以把定量筒内的胶液全部挤出，可以防止该设备在暂停过程中，点胶头内残留的胶液污染该设备及半导体元件。
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公开(公告)号：CN115291477A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211036479.5
申请日：2022-08-26
摘要： 本发明公开了一种半导体制造晶圆光刻设备，涉及晶圆光刻技术领域，目的在于提供一种吸收灰尘，提高加工效果和加工效率的半导体制造晶圆光刻设备，其技术要点包括光刻台、曝光机箱、活动组块、传动机构和吸尘机构，传动机构用于带动活动组块沿X轴和Y轴移动吸尘机构，吸尘机构包括吸尘罩、动力电机和吸尘叶片，吸尘罩在曝光机箱的顶面安装，且吸尘罩的罩底延伸至曝光机箱的内腔，吸尘罩的外侧安装有出风管，动力电机在吸尘罩的顶部安装，且吸尘罩的输出轴驱动安装连接轴，吸尘叶片在连接轴上安装，技术效果是吸收空气中的灰尘，防止其掉落至晶圆块的表面，从而提高晶圆加工效果，避免晶圆因表面不干净造成返工，提高晶圆整体加工效率。
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公开(公告)号：CN110797294B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910980670.7
申请日：2019-10-16
发明人： 钱波
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明涉及硅晶圆加工领域，具体涉及一种硅晶圆连续提取装置，包括有吸附提取组件包括真空分配器和吸附载盘，真空分配器的输出轴连接有吸附载盘，角度调节组件包括角度调节器和安装座，真空分配器的侧部设有支撑架，支撑架上安装有角度调节器，支撑架上设有安装架，安装座的一端与安装架铰接，安装座的另一端与角度调节器的输出轴铰接，安装座上安装有真空分配器，高度调节组件包括高度调节器，安装座上固定有高度调节器，高度调节器的输出轴传动连接有真空分配器，并带动真空分配器靠近或者远离安装架，本发明盘体的沟槽可供溢出的黏胶流入，以避免胶渗漏至硅晶圆与盘体之间而堵塞盘体的吸孔而造成吸附力下降，以防止硅晶圆因为吸附力不足导致晃动而破裂。
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公开(公告)号：CN110739205B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201911017817.9
申请日：2019-10-24
发明人： 闫一方
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种半导体材料的表面钝化方法，涉及材料科学技术领域。该半导体材料的表面钝化方法，包括以下步骤：S1.准备好HCl溶液，将半导体材料置于HCl溶液中浸泡15‑30min，然后取出半导体材料使用蒸馏水对其表面进行清洗，清洗干净之后，将半导体材料送入到真空环境中进行干燥处理；S2.将半导体材料置于高温炉中，调节高温炉内的温度在1000‑1200℃范围内，在半导体材料的表面形成热氧化膜，然后利用氮气对半导体材料进行冷却。通过将形成的热氧化膜去除，然后再低温形成二氧化硅钝化层，使得二氧化硅钝化层可以更好的附着在半导体材料的表面，同时通过HCl溶液与HF溶液的处理，进一步去除了Na离子对半导体材料的影响，使得半导体材料的钝化效果大大提升。
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公开(公告)号：CN110778156B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201911097128.3
申请日：2019-11-11
发明人： 范希营
摘要： 本发明属于智能制造领域，具体涉及一种智能化低波动恒温恒湿房的工作方法，包括：控制模块，分别与控制模块相应输入端相连的第一、第二温湿度传感器，分别与控制模块相应输出端相连的鼓风机、温湿度调节单元；其中第一温湿度传感器位于恒温恒湿房内，以检测恒温恒湿房内的温湿度；第二温湿度传感器位于微型调节室内，以检测微型调节室内的温湿气流的温湿度；所述控制模块适于控制温湿度调节单元工作，以使微型调节室内的温湿度检测值符合相应的设定阈值；以及所述控制模块适于控制鼓风机工作，将微型调节室内的温湿气流通入恒温恒湿房内，以使恒温恒湿房内的温湿度检测值符合相应的设定阈值。
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公开(公告)号：CN113257703B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110647892.4
申请日：2021-06-10
发明人： 闫长春
摘要： 本发明公开了用于确定半导体结构的高度的设备及方法，属于半导体技术领域。用于确定半导体结构的高度的设备，包括安装架，还包括：负压箱，固定连接在所述安装架上，其中，所述负压箱一侧开设有开口；箱门，转动连接在所述开口上；套筒，固定连接在所述负压箱顶部，且一端与负压箱连通，其中，所述套筒为透明材质；本发明通过堆叠的方法能够单次对多个半导体进行测量，进而得出该同批次同型号的半导体的平均高度值，通过测量时滑动板对半导体进行限位，提高半导体在被测量时的稳定性，进而提高测量的精度，通过读取测量刻度算出平均值；该装置方便快捷，测量效率快，测量准确性高。
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公开(公告)号：CN111146152B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010080270.3
申请日：2020-02-05
发明人： 钱波
IPC分类号： H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/16 , H01L23/367
摘要： 本发明公开了一种半导体封装件，具体涉及封装件领域，包括封装主体，所述封装主体的前端设置有拉板，所述封装主体的顶端活动安装有防护罩，所述封装主体的一侧铰接有侧盖,所述封装主体的内部设置有安装板，所述安装板的内部中心开设有安装槽。本发明通过设置安装板、半导体芯片、安装槽和固定钮，当需要对半导体芯片进行封装时，通过拉动拉板将安装板从封装主体内拉出，将需要封装的半导体芯片放入安装板的安装槽内，并且将半导体芯片的引脚插入底端的通孔内，然后通过焊锡进行焊接，安装完毕后，在将安装板插入封装主体内，避免在对半导体芯片进行封装时焊锡滴在封装主体的表面，便于人们对半导体芯片进行封装。
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公开(公告)号：CN110711731B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201911053787.7
申请日：2019-10-31
发明人： 李响
摘要： 本发明属于光伏的技术领域，具体涉及一种光伏板清洁设备，本装置包括：主控模块、设置在光伏板上方的首尾相连的传送带、均布于传送带侧壁的清洁刷，以及与主控模块电性相连的回转驱动组件；其中所述回转驱动组件适于驱动传送带回转，以带动清洁刷回转至与光伏板接触；以及当所述清洁刷跟随传送带回转以擦拭光伏板表面。进而清洁光伏板，提高光伏板的吸光能力，避免产生光斑效应，保证了光伏板的发电量。
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