公开(公告)号：CN103337254B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310228388.6

申请日：2005-08-08

申请人： 蒙特利研究有限责任公司

发明人： S·斯皮策 ,  J·H·克里格 ,  D·豪恩

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0016 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/56

摘要： 本发明提供一种设定存储装置的编程阈值的方法，确定超出存储单元擦除阈值的擦除方向的差分电压，所述差分电压是线性地决定下一个编程阶段的对应的编程阈值，所述存储单元基于通过其无源层与有源层的离子移动而操作；基于至少部分所述差分电压来设定所述下一个编程阶段的所述编程阈值；以及通过施加所述差分电压加上所述擦除阈值于所述存储单元上而擦除所述存储单元。本发明提供电流‑电压值域，与/或频率‑时间值域，以助于调整聚合物存储单元的编程阈值。

公开(公告)号：CN109804326B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201780060886.0

申请日：2017-09-28

申请人： 蒙特利研究有限责任公司

发明人： M·阿赫特 ,  E·宾博加

IPC分类号： G05F1/10 ,  G05F3/02

摘要： 本文描述了快速斜坡、低电源电荷泵电路的技术。在示例实施例中，非易失性存储器设备包括耦合到快速电荷泵电路的闪存阵列。电荷泵电路包括第一电荷泵、作为输入耦合到第一电荷泵的激活的电荷泵、以及作为输入耦合到激活的电荷泵的电源。激活的电荷泵被配置为将第一电荷泵初始化为比电源更大的绝对电压，并且在闪存阵列的激活模式期间向第一电荷泵提供功率。