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公开(公告)号：CN108886094A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780014845.8
申请日：2017-02-10
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要： 本发明提供了一种存储器设备和方法，所述存储器设备包括：金属氧化物材料，所述金属氧化物材料被设置在第一导电电极和第二导电电极之间并与它们电接触，以及电压源，所述电压源被配置成跨所述第一电极和所述第二电极施加在时间上间隔开的多个电压脉冲。对于所述电压脉冲中的每一个，所述电压的振幅在所述电压脉冲期间增大。
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公开(公告)号：CN108140411A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058996.9
申请日：2016-08-12
申请人： ARM有限公司
发明人： 巴尔·S·桑德胡 , 塞扎里·皮耶奇克 , 乔治·麦克尼尔·拉蒂摩尔
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2013/0071 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/15
摘要： 公开了用于非易失性存储器设备的操作的方法、系统和设备。通过控制施加到非易失性存储器设备的端子的电流和电压，可以在写入操作中将非易失性存储器设备置于多个存储器状态中的任何一个中。例如，写入操作可以跨非易失性存储器设备的端子施加编程信号，该编程信号具有特定电流和特定电压以用于将非易失性存储器设备置于特定存储器状态中。
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公开(公告)号：CN104409096B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410534704.7
申请日：2009-09-23
申请人： 桑迪士克科技有限责任公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , H03K5/1532
摘要： 一种用于检测存储器件中可逆电阻转换元件的设置过程的装置，包括：位线，其耦接到可逆电阻转换元件；斜坡变化装置用于使位线的电压斜坡上升直到位线的电压足够将可逆电阻转换元件的电阻转换到更低级别；以及检测装置其耦接到位线，用于当可逆电阻转换元件的电阻转换时进行检测，其中，斜坡变化装置包括：运算放大器斜坡上升的电压被输入到运算放大器的第一输入端子，以及具有耦接到运算放大器的栅极的第一晶体管，运算放大器在栅极处提供电压，第一晶体管的源极处的电压跟随在栅极处的电压；以及检测装置包括比较器，比较器具有耦接到第一晶体管的漏极第一输入端子接收固定参考电压第二输入端子。
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公开(公告)号：CN105283920A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201380077069.8
申请日：2013-05-29
发明人： R.J.布鲁克斯
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0009 , G11C2013/0073 , G11C2013/008 , G11C2013/009 , G11C2013/0092
摘要： 非易失性存储器设备可写入到高电阻状态和低电阻状态。非易失性存储器设备可以基于交流（AC）信号的施加而被加热到至少阈值温度，并且可以基于电压偏置的施加而被写入。
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公开(公告)号：CN102171762B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN200980139725.6
申请日：2009-09-29
申请人： 桑迪士克3D有限责任公司
CPC分类号： G11C7/1078 , G11C7/12 , G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72
摘要： 非易失性存储系统把信号驱动器连接到与第一非易失性存储元件相连的第一控制线，在信号驱动器连接到第一控制线的情况下使用信号驱动器对第一控制线充电，在第一控制线仍从信号驱动器充电的情况下把信号驱动器从第一控制线断开，把信号驱动器连接到与第二非易失性存储元件相连的第二控制线，在信号驱动器连接到第二控制线的情况下使用信号驱动器对第二控制线充电，以及把信号驱动器从第二控制线断开。对控制线充电使得各非易失性存储元件经历编程操作。在不等待第一非易失性存储元件的编程操作完成的情况下执行把信号驱动器从第一控制线断开、把信号驱动器连接到第二控制线以及对第二控制线充电。
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公开(公告)号：CN103778960A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310503050.7
申请日：2013-10-23
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C7/06 , G11C7/065 , G11C7/1084 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
摘要： 示例实施例包括用于电阻型存储器的感测放大器中的电平移位写驱动器。写驱动器可以包括交叉耦合的锁存电路、第一输出部分、第二输出部分和输入部分。第一输出部分包括一个或多个第一驱动晶体管以驱动第一电流通过第一输出部分而不通过交叉耦合的锁存器。第二输出部分包括一个或多个第二驱动晶体管，被配置为驱动第二电流通过第二输出部分而不通过交叉耦合的锁存器。输出部分的电流与锁存电路隔离。在一些实施例中，没有两个PMOS类型晶体管串联连接，从而减少了管芯面积的消耗。在一些实施例中，使用单个控制信号来操作写驱动器。
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公开(公告)号：CN101292299B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200580051863.0
申请日：2005-10-17
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C7/04 , G11C13/0004 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供如下的技术：在包括使用了相变材料的存储单元的半导体器件中，使控制写入速度的置位动作高速化。采用如下方案：将施加在相变材料上的置位脉冲电压取为2级，以第一级电压使相变材料的温度成为核生成最快的温度，以第二级脉冲使之成为结晶生长最快的温度，不溶化相变材料地使其固相生长。另外，采用如下方案：在相变材料上施加的2级脉冲电压由可降低漏极电流标准离差的施加在字线上的2级电压来控制。
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公开(公告)号：CN102623047A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210021853.4
申请日：2012-01-31
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： G11C11/56 , H01L27/10 , H01L27/112
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/54 , G11C2213/56 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/145
摘要： 提供了一种半导体器件和控制半导体器件的方法。其中半导体器件包括：存储单元，其具有可变电阻器件；以及控制单元，其控制向所述存储单元施加的电压，其中，所述可变电阻器件包括包含第一金属材料的下电极、包含第二金属材料的上电极和包含氧的绝缘膜，所述第一金属材料具有比所述第二金属材料高的标准化氧化物形成能，并且所述控制单元在增大所述绝缘膜的电阻值的操作和减小其所述电阻值的操作时，向所述上电极施加正电压，并且在读出所述绝缘膜的所述电阻值的操作时向所述下电极施加正电压。
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公开(公告)号：CN101236779B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810004950.6
申请日：2008-01-31
申请人： 旺宏电子股份有限公司
发明人： 龙翔澜
IPC分类号： G11C11/56
CPC分类号： G11C13/0064 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/79
摘要： 一储存装置中的一存储单元包含相变化材料，伴随程序化该储存装置的方法一起被描述。在此揭露一用以程序化该储存装置的方法，包含施加一递增的第一电压在该存储单元上，以及监测该存储单元中的电流以检测该相变化材料的一相转变的开始。当检测到该相变化材料的一相转变的开始，该方法包含施加一第二电压在该存储单元上，是在检测该相变化材料的一相转变开始的第一电压电平的一函数。
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公开(公告)号：CN101937686B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010219837.7
申请日：2010-06-24
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/79
摘要： 一种非易失性存储器及其记录方法，该非易失性存储器包括记录电路，该记录电路电执行信息存储器件的信息的记录，该信息存储器件具有被连接至用于信息记录的电源的电阻变化，该方法包括以下步骤：在信息存储器件的记录电路的输出阻抗大于信息存储器件的低电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录低电阻状态下的信息；以及在信息存储器件的记录电路的输出阻抗小于信息存储器件的高电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录在高电阻状态下的信息。
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