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公开(公告)号：CN111211757B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202010080951.X
申请日：2020-02-05
申请人： 见闻录(浙江)半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种体声波谐振器的顶电极结构及制作工艺，制备设置有空腔的衬底，在衬底上依次制作覆盖空腔的底电极层和压电层；在压电层上制作介质隔离层，使介质隔离层覆盖于压电层顶部的部分上表面；以及在介质隔离层和压电层上制作顶电极层，顶电极层覆盖在介质隔离层上，并且至少有一边延伸到空腔在压电层上的投影区域的边缘。介质隔离层作为增加器件层应力变化时的缓冲，增强机械可靠性，还可以减少射频信号的寄生、反射横波。质量负载层能够在顶电极层的边缘形成声阻抗的突变，增大并联谐振器阻抗，可以大大削弱寄生谐振，减少伪谐振，达到提高Q值的目的。
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公开(公告)号：CN111294010B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202010094463.4
申请日：2020-02-15
申请人： 见闻录(浙江)半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的腔体结构及制造工艺，通过在布置有牺牲材料层的衬底上布设支撑层以使得支撑层至少覆盖在牺牲材料层的外围的部分上表面，并且支撑层具有开口区域以使得牺牲材料层上表面的剩余部分暴露在外；利用牺牲材料填平支撑层的开口区域；在支撑层和牺牲材料上制作底电极层，底电极层架设在支撑层上；在底电极层上制作压电层和顶电极层；去除全部牺牲材料形成腔体结构。因此大大抑制了薄膜体声波谐振器的寄生电容，可以有效提高器件的机械稳定性，减小膜层的应力变化对器件的谐振性能的影响，可以有效提高谐振器的谐振性能。
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公开(公告)号：CN116155222A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211532736.4
申请日：2022-12-01
申请人： 见闻录(浙江)半导体有限公司
发明人： 李林萍
摘要： 本发明提出了一种谐振器，其包括：衬底；位于衬底上的功能层，功能层至少包括底电极、压电层和顶电极，压电层位于底电极与顶电极之间；底电极与衬底之间具有空腔；其中，功能层上具有通孔，通孔的至少部分内侧壁上设置有第一支撑结构，第一支撑结构具有与衬底相接触的底部。在该结构中，通孔处不产生热量；通孔使谐振器为环形，具有较好的散热效果；第一支撑结构底部与衬底相接触，对功能层形成较好的支撑，并形成传热路径，加快了谐振器热量的传输，使谐振器散热能力增强。本发明还提出一种谐振器的制造方法、以及包括该谐振器的滤波器和电子设备。
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公开(公告)号：CN115967365A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211532630.4
申请日：2022-12-01
申请人： 见闻录(浙江)半导体有限公司
发明人： 李林萍
摘要： 本发明提出一种谐振器，包括：衬底、位于衬底上的压电叠层结构，以及位于压电叠层结构与衬底之间的空腔，压电叠层结构至少包括依次层叠设置的底电极层、压电层和顶电极层，底电极层具有凹陷区域，凹陷区域的底部与空腔中的衬底表面接触。上述方案通过将底电极层部分向下凹陷至其下方的衬底表面，形成凹陷区域，对膜层进行支撑，提高了谐振器的机械可靠性与稳定性；同时，通过凹陷区域加快散热，从而减少谐振器的热量累积。进一步地，通过凹陷区域边缘的形貌变化、凹陷区域开口的最大尺寸与谐振器横波波长的匹配、凹陷区域上方导热介质材料的填充等，有效地提高抑制横波的效果。
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公开(公告)号：CN115412047A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211064874.4
申请日：2022-09-01
申请人： 见闻录(浙江)半导体有限公司
发明人： 李林萍
摘要： 本申请公开了一种体声波谐振器及其制作方法、滤波器以及电子设备，将空腔设置为上凸空腔和下凹空腔两部分，解决了完全下凹空腔研磨时产生的台阶问题，以及解决了完全上凸空腔稳定性差和其上薄膜生长缺陷大的问题。并且设置上凸空腔的高度小于下凹空腔的高度，可以减小薄膜沉积时的应力和形变，最大程度保证了结构的稳定性。另外，顶电极水平向外延伸至有效区域的边界外，且在顶电极下方至少有一个间隙，在谐振器之间连接时可以减少寄生振荡，同时可以抑制在谐振中产生的横波而导致Q因子降低。
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公开(公告)号：CN111697942B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010404255.X
申请日：2020-05-13
申请人： 见闻录(浙江)半导体有限公司
摘要： 公开了一种用于MEMS器件的空腔加工工艺，包括以下步骤：在衬底上沉积一层掩膜层；利用光刻蚀刻工艺将衬底上将要形成空腔的区域上的掩膜层蚀刻掉；借助APCVD热氧化工艺在将要形成空腔的区域进行蚀刻同时生长形成氧化物；利用湿法工艺将掩膜层去除；在衬底上制作覆盖氧化物的器件功能层后，将氧化物释放。还公开了一种体声波谐振器的制造工艺，采用上述空腔加工工艺在衬底中制造空腔，其中器件功能层为电极层和压电层。同时又公开了一种体声波谐振器，其采用上述工艺制造而成。利用上述工艺可以改善衬底表面粗糙度，并大幅提高产能，适于大批量生产。
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公开(公告)号：CN111245387B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202010093691.X
申请日：2020-02-14
申请人： 见闻录(浙江)半导体有限公司
IPC分类号： H03H3/02
摘要： 本发明公开了一种固态装配谐振器及制作工艺，该固态装配谐振器包括衬底、形成在衬底上的声波反射层以及形成在声波反射层上的谐振功能层，谐振功能层包括依次层叠的底电极层、压电层和顶电极层，底电极层的周围形成有介质层，并且底电极层与介质层在声波反射层上形成平坦表面，压电层被设置在平坦表面上。制作工艺上，在绝对平坦的Si衬底上可生长绝对平坦的种子层，可以更好的获得C轴择优取向的压电层AlN薄膜，提高谐振器工作性能；在绝对平坦的种子层上生长压电层，使压电层具有非常平整的表面，保证应力一致性，保证机电耦合系数一致性；移除初始无定形态的压电层AlN，可以使压电层AlN薄膜获得优越的C轴取向，从而获得更好的器件性能和产品良率。
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公开(公告)号：CN115603697B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202211153689.2
申请日：2022-09-21
申请人： 见闻录(浙江)半导体有限公司
发明人： 李林萍
摘要： 本发明提出一种谐振器，包括衬底；形成在衬底上的底电极层、顶电极层和压电层；以及形成在底电极层与衬底之间的声学反射结构；其中，在声波谐振器的有效谐振区域的末端，顶电极层与压电层之间具有第一间隙和/或底电极层与压电层之间具有第二间隙，并且第一间隙的最顶面不高于位于有效谐振区域内的顶电极层的最下表面，第二间隙的最顶面不高于位于有效谐振区域内的底电极层的最上表面。通过在谐振器的有效谐振区域的末端设置间隙，分离电极层和压电层，减少横波从工作区域向外界传递；具备该间隙结构的谐振器相对于现有技术具有更好的机械稳定性，同时，在生产过程中无需对压电层进行额外处理，从而结构稳定性和一致性较高。
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公开(公告)号：CN115360996B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202211024843.6
申请日：2022-08-25
申请人： 见闻录(浙江)半导体有限公司
发明人： 李林萍
摘要： 本案提供的一种谐振器，包括衬底、底电极、压电层和顶电极，底电极位于衬底和压电层之间，压电层位于底电极和顶电极之间，底电极与衬底之间设置有多层空腔，从靠近衬底到远离衬底的方向上，每一层空腔的宽度逐渐减小，使后续在多层空腔上生长的底电极和压电层在每层空腔的交接处形貌变化减小，从而减少因形貌变化较大而产生的较大应力变化。同时，较缓慢的形貌变化，使得底电极和压电层的生长质量得到提高，减少生长缺陷，提高器件Q值。另外，由于释放通道的高度即为最靠近衬底的一层空腔的高度，其高度相对降低，使得覆盖在最靠近衬底的一层空腔上的压电层形貌变化减小，应力突变也减小。本案还提供一种滤波器、电子设备、及谐振器的制备方法。
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公开(公告)号：CN116232274A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211668098.9
申请日：2022-12-23
申请人： 见闻录(浙江)半导体有限公司
发明人： 李林萍
摘要： 本发明提供一种体声波谐振器及其制作方法、滤波器、电子设备，该体声波谐振器由金属层围绕形成声镜，不仅简化了工艺，而且采用导热性更好的金属层围绕形成声镜，当电极对外连接时可直接通过金属层与外部连接，因金属层的厚度大，导电性更好，可以有效的减小对外连接时电极连接的电学损耗，提高Q值，同时，减小连接电阻。金属层的导热性能好，与衬底接触面积大，散热效果得到进一步提高，进而谐振器的性能得到提升，由该谐振器制备的滤波器的插入损耗等电学参数也会得到改善或提升。
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