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公开(公告)号：CN111294050B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201811496828.5
申请日：2018-12-07
申请人： 财团法人成大研究发展基金会 , 奇景光电股份有限公司
IPC分类号： H03M1/38
摘要： 一种高线性度的循续渐近式模拟至数字转换器，用以产生n位转换输出，包含第一电容数字至模拟转换器与第二电容数字至模拟转换器。将第一电容数字至模拟转换器与第二电容数字至模拟转换器当中具有较大输出信号者定义为较高电压电容数字至模拟转换器，另一者定义为非切换电容数字至模拟转换器。在第m转换阶段，根据较高电压电容数字至模拟转换器与非切换电容数字至模拟转换器的输出信号的比较结果，以切换非切换电容数字至模拟转换器的第m‑1电容器。
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公开(公告)号：CN115149797A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110340827.7
申请日：2021-03-30
申请人： 财团法人成大研究发展基金会 , 奇景光电股份有限公司
IPC分类号： H02M3/156
摘要： 一种升压转换器，包含电感器与二极管，电性串联于输入电压与输出电压之间；电晶体，电性耦接至电感器与二极管的互连节点；及控制器，根据暂态模式与估计负载电流，以控制电晶体的切换。在离开轻至重负载暂态模式之前，输出电压具有至少一个第一谷点，其值为暂态电压临界；接着具有至少一个第二谷点，其值高于第一谷点。
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公开(公告)号：CN109583262B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201710897400.0
申请日：2017-09-28
申请人： 财团法人成大研究发展基金会 , 奇景光电股份有限公司
摘要： 本发明是有关于一种对象侦测的适应方法，如果目前可能值小于预设背景临界值，则略过目前窗口影像之后的多数个窗口影像。如果目前窗口影像之前的前一个窗口影像含有所要侦测对象，且目前可能值大于或等于预设前景临界值，则提早结束对象侦测。本发明目的可根据背景或/且前景局部区域而适应地略过窗口影像或提早结束，因而达到快速侦测对象。
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公开(公告)号：CN109579794B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201710897413.8
申请日：2017-09-28
申请人： 财团法人成大研究发展基金会 , 奇景光电股份有限公司
摘要： 一种适用于迭代最近点法以选择关键图框的系统，包含参考图框选择器，根据目前图框与目前关键图框以产生参考图框；迭代最近点法回圈单元，针对参考图框与目前图框执行迭代最近点法，以产生目前图框的姿势；及关键图框更新单元，根据目前图框的姿势与参考图框的姿势的差值条件，以产生新关键图框。
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公开(公告)号：CN105306100B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201410350132.7
申请日：2014-07-22
申请人： 财团法人成大研究发展基金会 , 奇景光电股份有限公司
IPC分类号： H04B3/04
摘要： 本发明是有关于一种双二元电压模式传送器，包含：第一分支、第二分支及第一匹配电路。该第一分支包含第一逻辑电路与第一驱动器。该第二分支包含第二逻辑电路与第二驱动器。该第一匹配电路的二端分别耦接至该第一驱动器、该第二驱动器的输出端，其中该第一匹配电路可根据该第一逻辑电路或该第二逻辑电路的输出而切换。当非归零信号有相位变化时，第一匹配电路的二端分别电性耦接至第一驱动器、第二驱动器的输出端，且第一驱动器、第二驱动器关闭，可以节省功率消耗并增进阻抗匹配。
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公开(公告)号：CN103441765B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201110343320.3
申请日：2011-10-27
申请人： 财团法人成大研究发展基金会 , 奇景光电股份有限公司
IPC分类号： H03M1/38
摘要： 本发明是有关于一种逐渐逼近模拟至数字转换器及其方法，该方法，用于一逐渐逼近模拟至数字转换器，其包含至少一电容阵列以及多个开关，其中电容阵列的电容与开关一一对应。所述的方法包含以下步骤：首先，配置至少一多工器；接着，根据电容阵列的接点电位来输出一第一比较电压，并根据第一比较电压以及一第二比较电压输出一比较结果；之后，根据比较结果来控制一连串的比较，并进入一连串的比较阶段；最后，由多工器根据比较阶段来依序选择开关直接根据比较结果来进行切换。
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公开(公告)号：CN102891233B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210181065.1
申请日：2012-06-04
申请人： 华夏光股份有限公司 , 财团法人成大研究发展基金会
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/641
摘要： 一种半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置包括一外延结构，外延结构包括一第一型掺杂层、一发光层，及一第二型掺杂层。外延结构可包括一无掺杂层。一基板以一黏着层连接至外延结构的至少一表面上。至少一个或以上的柱体位于黏着层中。多个柱体视其设置的位置可以具有不同的宽度，以及/或者柱体可以只设置在外延结构的某些部分之下。
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公开(公告)号：CN103420357A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310177582.6
申请日：2013-05-14
申请人： 奇美实业股份有限公司 , 财团法人成大研究发展基金会
摘要： 本发明涉及纳米金属碳管复合材、纳米金属碳管复合材制备方法及纳米碳管导电基板。一种纳米金属碳管复合材，包含多个经改质纳米碳管，每一个经改质纳米碳管含有多个官能基团；及多个纳米金属团，所述纳米金属团连结于所述经改质纳米碳管中的至少一个官能基团上，且两相邻的经改质纳米碳管通过至少一个纳米金属团而彼此相互连结。通过经改质纳米碳管上的官能基团，使纳米金属团均匀分布并连结在经改质纳米碳管的官能基团上而不聚集或堆积，同时，通过纳米金属团连结，使上述经改质纳米碳管彼此间紧密堆叠，提升电子传递效率，继而使该纳米金属碳管复合材具有较佳的导电性。
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公开(公告)号：CN102280137B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201010204760.6
申请日：2010-06-08
申请人： 奇景光电股份有限公司 , 财团法人成大研究发展基金会
IPC分类号： G11C11/40
摘要： 本发明是有关于一种记忆体单元，其包括一对子单元。每一子单元包括一接入晶体管、一储存晶体管以及一隔离晶体管，其依序借由连接源极/漏极而串联耦接在一起。隔离晶体管是共享使用于一邻近记忆体单元的子单元，且是一直关闭的，其中储存晶体管是一直导通的。字符线(wordline)耦接至每一子单元的接入晶体管的栅极，而互补位线(complementary bit l ines)分别耦接至该对子单元的接入晶体管的源极/漏极，因此借由接入晶体管，可于相应的位线与储存晶体管之间存取数据位。
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公开(公告)号：CN102956796A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210457661.8
申请日：2011-07-15
申请人： 财团法人成大研究发展基金会 , 华夏光股份有限公司
CPC分类号： H01L2224/83385
摘要： 本发明公开了一种发光二极管晶粒模块，所述发光二极管晶粒模块包括：至少一发光二极管晶粒，该发光二极管晶粒具有一基板与多个磊晶层；一光杯座，该光杯座具有一底部与一上缘，该光杯座通过该底部承载至少一发光二极管晶粒；该光杯座的该上缘包含至少一封闭沟槽或至少一封闭凸缘环绕该至少一发光二极管晶粒；至少一绝缘层，位于该封闭沟槽或该封闭凸缘上；二导电层，位于该绝缘层上；二导线，分别连接于对应的该导电层与该至少一发光二极管之间；以及一封胶结构，包覆该至少一发光二极管晶粒，其中该封闭沟槽或该封闭凸缘限制该封胶结构的成形范围，并且该二导线分别经由对应的该导电层向该封胶外部延伸。本发明封装制得的发光二极管晶粒模块的体积可有效缩减，并同时改善发光亮度的问题。
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