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公开(公告)号：CN103208503A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210011016.3
申请日：2012-01-13
申请人： 华夏光股份有限公司 , 财团法人成大研究发展基金会
CPC分类号： H01L2224/24 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 一种发光二极管数组，包含一具有第一电极的第一发光二极管以及一具有第二电极的第二发光二极管，第一发光二极管以及第二发光二极管相隔一距离。一第一聚合物层位于第一发光二极管以及第二发光二极管之间。一互联线其至少部分位于第一聚合物层上，且连接第一电极与第二电极。一永久基板耦接(coupled)两发光二极管于互联线的相反侧。一第二聚合物层至少部分包覆发光二极管于具有互联线的一侧。
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公开(公告)号：CN102891223A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210056945.6
申请日：2012-03-06
申请人： 华夏光股份有限公司 , 财团法人成大研究发展基金会
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种形成复数个半导体发光装置的方法，包含：形成磊晶结构于第一暂时基材上，其中磊晶结构具有第一型掺杂层、发光层、第二型掺杂层；以第一粘着层将第二暂时基材耦接至磊晶结构的上表面；移除第一暂时基材，以暴露出磊晶结构的底面；以第二粘着层将永久半导体基材耦接至磊晶结构的底面；移除第一粘着层与第二暂时基材；在永久半导体基材上的磊晶结构，形成复数个半导体发光装置。该方法可以提高由磊晶结构所制成的发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN102800764A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110448097.9
申请日：2011-12-28
申请人： 华夏光股份有限公司 , 财团法人成大研究发展基金会
CPC分类号： H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体发光装置的制造方法，包含：(a)提供一暂时基材；(b)形成一具有至少一个发光单元的多层发光二极管(LED)磊晶结构于暂时基材上，其中发光单元的一第一表面接触暂时基材，发光单元包含一N型层、一发光区、一P型层；(c)形成一N型电极于N型层上；(d)形成一P型电极于P型层上；(e)结合一永久基材于发光单元、N型电极、P型电极上；(f)移除暂时基材以暴露出发光单元；以及(g)蚀刻暴露出的发光单元，以暴露N型电极与P型电极两者中的至少一者。
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公开(公告)号：CN102800764B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201110448097.9
申请日：2011-12-28
申请人： 华夏光股份有限公司 , 财团法人成大研究发展基金会
CPC分类号： H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体发光装置的制造方法，包含：(a)提供一暂时基材；(b)形成一具有至少一个发光单元的多层发光二极管(LED)磊晶结构于暂时基材上，其中发光单元的一第一表面接触暂时基材，发光单元包含一N型层、一发光区、一P型层；(c)形成一N型电极于N型层上；(d)形成一P型电极于P型层上；(e)结合一永久基材于发光单元、N型电极、P型电极上；(f)移除暂时基材以暴露出发光单元；以及(g)蚀刻暴露出的发光单元，以暴露N型电极与P型电极两者中的至少一者。
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公开(公告)号：CN103208489A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210011366.X
申请日：2012-01-13
申请人： 华夏光股份有限公司 , 财团法人成大研究发展基金会
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/54 , H01L33/00
CPC分类号： H01L2224/24 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 一种发光二极管数组，包含一具有第一电极的第一发光二极管与一具有第二电极的第二发光二极管，第一发光二极管与第二发光二极管相隔一距离。一第一聚合物层位于第一发光二极管与第二发光二极管之间。一互联线其至少部分位于第一聚合物层上，且连接第一电极与第二电极。一永久基板耦接(coupled)两发光二极管于具有互联线的一侧。一第二聚合物层至少部分包覆发光二极管相对于永久基材的一侧，亦即互联线的相对侧。
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公开(公告)号：CN102891233A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210181065.1
申请日：2012-06-04
申请人： 华夏光股份有限公司 , 财团法人成大研究发展基金会
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/641
摘要： 一种半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置包括一外延结构，外延结构包括一第一型掺杂层、一发光层，及一第二型掺杂层。外延结构可包括一无掺杂层。一基板以一黏着层连接至外延结构的至少一表面上。至少一个或以上的柱体位于黏着层中。多个柱体视其设置的位置可以具有不同的宽度，以及或者柱体可以只设置在外延结构的某些部分之下。
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公开(公告)号：CN102891233B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210181065.1
申请日：2012-06-04
申请人： 华夏光股份有限公司 , 财团法人成大研究发展基金会
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/641
摘要： 一种半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置包括一外延结构，外延结构包括一第一型掺杂层、一发光层，及一第二型掺杂层。外延结构可包括一无掺杂层。一基板以一黏着层连接至外延结构的至少一表面上。至少一个或以上的柱体位于黏着层中。多个柱体视其设置的位置可以具有不同的宽度，以及/或者柱体可以只设置在外延结构的某些部分之下。
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公开(公告)号：CN102891224A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210058128.4
申请日：2012-03-07
申请人： 华夏光股份有限公司 , 财团法人成大研究发展基金会
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种形成复数个半导体发光装置的方法，包含：形成磊晶结构于第一暂时基材上，其中磊晶结构具有第一型掺杂层、发光层、第二型掺杂层；分离磊晶结构，使形成复数个磊晶结构；以第一黏着层将第二暂时基材耦接至复数个磊晶结构的上表面，并移除第一暂时基材；以第二黏着层将永久半导体基材耦接至复数个磊晶结构；移除第一黏着层与第二暂时基材；分离永久半导体基材成复数个部分，其中每个该部分具有对应的至少一该复数个磊晶结构，以形成复数个半导体发光装置。该方法可有效消除蓝宝石发光限制的问题，同时亦可增加氮化镓基发光二极管的光萃取效率，并克服发光二极管的结构亦遭遇电极遮蔽问题。
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公开(公告)号：CN102468289A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110258931.8
申请日：2011-08-31
申请人： 华夏光股份有限公司 , 财团法人成大研究发展基金会
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/56 , H01L33/62
CPC分类号： H01L27/156 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244 , H01L2933/0066
摘要： 一种发光二极管阵列，包括第一发光二极管装置以及第二发光二极管装置，其中两个发光二极管装置形成于一基底上，且一间隙位于两个发光二极管装置之间。此间隙被填入一聚合物以及多个微结构，该微结构用以将两个发光二极管装置的侧向光折射和/或反射至一发光面。
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公开(公告)号：CN102412349A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110167115.6
申请日：2011-06-21
申请人： 柏光照明股份有限公司 , 财团法人成大研究发展基金会
摘要： 本发明提出一种半导体发光元件制造方法与半导体发光元件，上述元件包括磊晶结构、第一电极、功能结构以及第一开口构造，上述方法包括提供基板；在基板上形成磊晶结构，磊晶结构包括第一型掺杂层、发光区以及第二型掺杂层，该磊晶结构通过第一表面接触该基板；进行电极形成步骤，以在第一型掺杂层的第二表面上形成第一电极；进行功能结构形成步骤，通过原位形成方法在第一电极的上方形成功能结构；进行移除步骤，移除基板而露出磊晶结构，以形成暴露的磊晶结构；以及对于该暴露的磊晶结构进行蚀刻步骤，以便于进一步暴露出第一电极的至少部分表面。采用本发明半导体发光元件制造方法与半导体发光元件，可有效简化现有技术手段过于复杂的制程步骤。
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