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公开(公告)号：CN118794976A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411281153.8
申请日：2024-09-13
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司 , 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： G01N23/2251 , G06T7/00 , G06V10/764
摘要： 本发明涉及晶体杂质检测技术领域，尤其涉及基于图像处理的磷化铟晶体杂质检测方法及系统，本发明将杂质分布特征数据导入杂质分布差异分析模型中，对磷化铟晶体的杂质分布差异进行分析；将杂质分布差异分析结果和生产流程控制数据导入生产流程差异分析模型中，对磷化铟晶体生产流程差异进行分析；将生产流程差异分析结果导入生产流程优化模型中对磷化铟晶体的生产流程进行优化；根据磷化铟晶体的生产流程优化结果，对磷化铟晶体生长产线的生产参数进行调整。通过根据不同杂质类别的特点，能够有针对性地优化晶体生长的生产参数，既能保证生产的高效性，又能最大化减少特定杂质的生成，从而提高磷化铟晶体的纯度和性能。
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公开(公告)号：CN117393473A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311684951.0
申请日：2023-12-11
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体领域，本发明公开了基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，包括：基于污染信息将待清洗晶片划分入N个待清洗晶片批次中；根据污染物集合与清洗液成分配比的预设关系，确定清洗液成分配比；获取晶片尺寸规格，基于晶片尺寸规格、污染物集合、污染程度系数、待清洗晶片的数量、清洗液成分配比和预配置第一参数控制预测模型，获取第一参数控制量；获取成分配比后清洗液的设定温度，基于清洗液的设定温度、污染程度系数、待清洗晶片的数量、第一参数控制量和预配置第二参数控制预测模型，获取第二参数控制量；本发明有利于提高清洗效率，节约清洗能耗。
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公开(公告)号：CN118571794A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410743121.9
申请日：2024-06-11
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了基于图像处理的半导体自动清洗监测系统及方法，属于图像处理领域，本发明获取清洗子区域表面晶体管的数量导入清洗子区域重要度评估策略中进行清洗子区域重要度评估，获取图像异常评估结果和清洗子区域重要度评估结果进行半导体污浊程度的评估，根据半导体污浊程度进行自动清洗时间的判断，根据半导体晶圆的成品图像和表面晶体管的数量对半导体晶圆的污浊程度进行综合判断，进而进行清洗设备清洗时间的综合准确分析，提高了清洗效率的同时避免了清洗导致半导体晶圆的损伤。
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公开(公告)号：CN115565924A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211265595.4
申请日：2022-10-17
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶片滑动对位装置，涉及晶片滑动对位装置技术领域。检测盘位于底座的上方，大边对位线位于检测盘的轮廓线之外，在滑动对位机构中，滑动凹槽设置在底座上、位于检测盘的侧部，滑块立于滑动凹槽内，滑杆架设在滑动凹槽中且穿过滑块，滑块沿着滑杆移动且移动方向垂直于大边检测线，大边检测线与滑动凹槽靠近检测盘的侧面共面。与现有技术相比，本发明有以下技术优点：将晶片放置在检测盘上，通过滑动对位机构进行晶片对正；对正后滑块退出，在测量同一晶片不同位置时，只需转动装置上的检测盘，即可对晶片再次进行测量，不需要反复放入取出晶片。
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公开(公告)号：CN118782460A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411251947.X
申请日：2024-09-09
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司 , 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于磷化铟晶片自动清洗用喷淋控制系统及方法，该方法的步骤包括：基于晶片表面缺陷图像评估晶片易损性，得到晶片易损系数；基于晶片表面污染物颗粒信息评估晶片污染程度，得到晶片污染系数；基于所述晶片易损系数和所述晶片污染系数确定最佳喷淋压力；基于所述最佳喷淋压力对喷淋装置进行控制，完成晶片清洗。本发明通过量化晶片易损性和晶片污染程度并针对性地控制喷淋压力，在保证晶片清洗效果的同时减少了晶片损伤。
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公开(公告)号：CN117393473B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311684951.0
申请日：2023-12-11
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体领域，本发明公开了基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，包括：基于污染信息将待清洗晶片划分入N个待清洗晶片批次中；根据污染物集合与清洗液成分配比的预设关系，确定清洗液成分配比；获取晶片尺寸规格，基于晶片尺寸规格、污染物集合、污染程度系数、待清洗晶片的数量、清洗液成分配比和预配置第一参数控制预测模型，获取第一参数控制量；获取成分配比后清洗液的设定温度，基于清洗液的设定温度、污染程度系数、待清洗晶片的数量、第一参数控制量和预配置第二参数控制预测模型，获取第二参数控制量；本发明有利于提高清洗效率，节约清洗能耗。
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公开(公告)号：CN117259331A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311567071.5
申请日：2023-11-23
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了用于磷化铟晶片自动清洗的包括流量控制的定量供给装置，涉及磷化铟晶片技术领域，包括清洗机构，其内部设有氮气处理室、超声波清洗室和DI水冲洗室，其在清洗机构的顶面设置有定量供给机构，定量供给机构通过旋转方式在氮气处理室、超声波清洗室和DI水冲洗室之间同时转运若干磷化铟晶片本体，在氮气处理室的外侧设有氮气供给机构，在DI水冲洗室的外侧设有DI水供给机构，氮气供给机构和DI水供给机构上均安装有流量控制喷头，分别向氮气处理室中的磷化铟晶片本体的顶面提供氮气和向DI水冲洗室中的磷化铟晶片本体的顶面提供DI水；大大提高了该定量供给装置处理磷化铟晶片本体的数量，保证了该定量供给装置的工作效率。
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公开(公告)号：CN118571794B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410743121.9
申请日：2024-06-11
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了基于图像处理的半导体自动清洗监测系统及方法，属于图像处理领域，本发明获取清洗子区域表面晶体管的数量导入清洗子区域重要度评估策略中进行清洗子区域重要度评估，获取图像异常评估结果和清洗子区域重要度评估结果进行半导体污浊程度的评估，根据半导体污浊程度进行自动清洗时间的判断，根据半导体晶圆的成品图像和表面晶体管的数量对半导体晶圆的污浊程度进行综合判断，进而进行清洗设备清洗时间的综合准确分析，提高了清洗效率的同时避免了清洗导致半导体晶圆的损伤。
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公开(公告)号：CN118814274A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411024994.0
申请日：2024-07-29
申请人： 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种磷化铟单晶生长炉以及生长方法，属于一般的控制系统领域，本发明获取生长过程中的生长气氛和生长环境数据导入生长环境分析策略中进行生长环境数据分析，将获取的生长特征数据分析结果和生长环境数据分析结果导入生长过程分析策略中进行生长质量分析，根据得到的生长质量分析结果进行调节量的计算，并进行生长环境的控制，通过对磷化铟单晶生长过程中的生长特征数据、生长气氛和生长环境数据进行准确分析，对磷化铟单晶生长质量进行预估，从而对生长环境进行准确控制，以使磷化铟单晶处于适宜的生长环境中，极大的促进了磷化铟单晶的生长质量。
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公开(公告)号：CN118799325A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411287937.1
申请日：2024-09-14
申请人： 青岛华芯晶电科技有限公司 , 青岛立昂晶电半导体科技有限公司
IPC分类号： G06T7/00 , G06V10/40 , G06V10/764
摘要： 本发明公开了基于特征分析的晶体缺陷识别系统及方法，属于特征分析领域，本发明将需要进行分析的晶体图像数据导入特征提取模型中进行缺陷特征的提取，将提取得到的缺陷特征导入构建的缺陷特征初步识别模型中进行缺陷特征的初步识别，将晶体生长过程中的环境数据导入环境影响分析模型中进行环境影响分析，将环境影响分析结果和缺陷特征的初步识别结果导入缺陷特征二次识别模型中进行缺陷种类识别，将得到的缺陷种类识别结果输出至用户端，本申请通过对晶体图像进行图像分析获取反应缺陷种类的多维图像隐含特征，同时与晶体生长过程环境数据综合分析以对缺陷特征进行准确识别的技术方案，实现了提高缺陷识别准确率和效率的技术效果。
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