制造具有厚度降低的p-掺杂CdTe层的太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN104851938B

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201410215748.3

    申请日:2014-05-20

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0264

    摘要: 本发明涉及制造具有厚度降低的p‑掺杂CdTe层的太阳能电池的方法。特别地,本发明提出制造如下的薄膜CdTe太阳能电池的方法,该薄膜CdTe太阳能电池具有层厚度降低的没有针孔且均匀掺杂的CdTe层。根据本发明的方法是防止所述太阳能电池分流、改进所述太阳能电池的可靠性和长期稳定性并提供所述CdTe层的均匀掺杂的有效方法。这通过在具有大晶粒的第一CdTe层和具有小晶粒的第二CdTe层之间施用牺牲性掺杂层来实现,所述第一CdTe层和所述第二CdTe层一起形成所述太阳能电池的CdTe层。另外,如果所述牺牲性掺杂层包含卤素,则可以省去CdCl2活化处理步骤。