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    真空处理设备和制造方法
    1.
    发明公开
    真空处理设备和制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN103299413A

    公开(公告)日：2013-09-11

    申请号：CN201180063772.4

    申请日：2011-12-27

    申请人： OC欧瑞康巴尔斯公司

    发明人： B.肖特范马斯特 ,  W.里伊茨勒 ,  R.洛德 ,  R.巴滋伦 ,  D.罗雷尔

    IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67

    摘要： 本发明涉及一种真空处理设备和用于制造的方法。真空处理设备包括：-多个处理腔室(18,19)，用于处理工件，特别地硅晶片；-转移腔室(15)，附连到处理腔室(18,19)上，处理腔室(18,19)经由相应开口与所述转移腔室(15)相连通、并且包括与处理腔室(18,19)中每一个相邻定位的搬运区；-工件载体，布置于转移腔室(15)内，被配置成在搬运区之间转移工件；以及，-一个或多个搬运器，用于在搬运区与处理腔室(18,19)之间移动工件。由此所述转移腔室(15)为绕轴线的环形，并且所述开口具有基本上平行于所述轴线的开口轴线。以此方式，在转移腔室上的力被重导向至较大支承结构并且因而，可实现具有成本效益、较轻并且仍然刚性的构造。

    用阴极溅射制作方向层的方法及其实施装置
    2.
    发明公开
    用阴极溅射制作方向层的方法及其实施装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN102747330A

    公开(公告)日：2012-10-24

    申请号：CN201210088822.0

    申请日：2007-12-24

    申请人： OC欧瑞康巴尔斯公司

    发明人： H·罗尔曼 ,  H·弗里德利 ,  J·韦查特 ,  S·卡德莱克 ,  M·杜布斯

    IPC分类号： C23C14/34 ,  H01J37/34 ,  G11B5/851

    CPC分类号： C23C14/34 ,  G11B5/851 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447

    摘要： 本发明涉及用阴极溅射制作方向层的方法及其实施装置。具体地，提供了一种用阴极溅射在衬底的平面衬底表面上制作带有恒定法向方向性的方向层的装置，所述装置具有真空腔，所述真空腔中放置有至少一个靶，而且所述真空腔包含有至少一个适于以如下方式来连接衬底的支架，即使得衬底表面面向所述至少一个靶的靶表面，而且在所述靶表面和所述支架之间设置至少一个准直仪，所述准直仪带有基本平坦的板，这些基本平坦的板彼此平行并被对齐在与所述衬底表面正交的方向中，而且所述板的平均长度从所述准直仪的中心向外端减小。此外，本发明还提供了一种在平面衬底表面上涂覆磁性层的方法。

    使用HIPIMS的反应溅射
    6.
    发明公开
    使用HIPIMS的反应溅射 有权 转让

    公开(公告)号：CN102027563A

    公开(公告)日：2011-04-20

    申请号：CN200880126469.2

    申请日：2008-12-05

    申请人： OC欧瑞康巴尔斯公司

    发明人： J·韦查特 ,  S·卡德莱克 ,  M·埃尔加扎利

    IPC分类号： H01J37/34 ,  C23C14/34

    CPC分类号： H01J37/3408 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0094 ,  C23C14/046 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3467

    摘要： 本发明提供了用于将绝缘层溅射沉积到形成在衬底中并且具有高的深宽比的腔体的表面上的方法及设备。至少部分地由要被包括在所述绝缘层中的材料形成的靶以及所述衬底被提供在由外壳限定的大体上封闭的室中。等离子体在所述大体上封闭的室内被点燃并且磁场紧邻所述靶的表面被提供以至少部分地紧邻所述靶的所述表面包含所述等离子体。电压迅速地被增加以在阴极和阳极之间重复地建立高功率电脉冲。所述电脉冲的平均功率为至少0.1千瓦，并且可以可选地大得多。所述溅射沉积的操作参数被控制以促进所述绝缘层在金属模式与反应模式之间的过渡模式中的溅射沉积。

    用于盘状衬底除气的装置
    7.
    发明授权
    用于盘状衬底除气的装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN101361164B

    公开(公告)日：2011-04-20

    申请号：CN200680051253.5

    申请日：2006-12-04

    申请人： OC欧瑞康巴尔斯公司

    发明人： B·肖尔特范马斯特

    IPC分类号： H01L21/00 ,  C23C14/02

    CPC分类号： H01L21/67017

    摘要： 本发明涉及一种装置，用于为在真空的环境中的板状的衬底(10)除气，具有两个基本扁平的平行的体(11，12)，所述体具有小于其纵向长度(l)的间隔(d)，并形成一个中间腔(28)，和所述衬底(10)设置在所述体(11，12)之间，所述体中的至少一个体在边缘区域中突出，其中在至少一个体(11，12)中设有气体供应机构(13)，用于在所述中间腔(28)中产生沿着所述体(11，12)和所述衬底(10)在径向方向朝向所述体(11，12)的外围的层流的气流；和在那里设有抽气孔(14)，用于将所述气流抽出。

    基片处理系统
    10.
    发明授权
    基片处理系统 失效 转让

    公开(公告)号：CN100550286C

    公开(公告)日：2009-10-14

    申请号：CN200580030602.0

    申请日：2005-09-07

    申请人： OC欧瑞康巴尔斯公司

    发明人： H·罗尔曼 ,  O·拉图恩德

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/67173 ,  G11B5/8404 ,  H01L21/67709 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/6776

    摘要： 在一种用于在真空中处理基片的基片处理系统中，由处理模块构成的两个直线组件一个堆叠在另一个上面，并通过至少一个提升模块来连接，该提升模块能够用于从第一组向第二组进行输送。沿穿过第一组和第二组处理模块的运行路径布置有直线同步马达。具有导轨(该导轨与安装在处理系统中的辊相互作用)的基片载体通过所述直线同步马达的吸引力而保持在竖向位置。