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公开(公告)号：CN116695252A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310176260.3
申请日：2023-02-28
申请人： 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所
摘要： 一种碳化硅单晶(6)的制造方法包括：向籽晶(5)的表面供应含有碳化硅原料气体的供应气体(3a)并控制环境使得加热容器内的至少一部分为2500℃或更高，由此在籽晶的表面上生长碳化硅单晶。生长碳化硅单晶包括控制以籽晶和碳化硅单晶的中心轴线(C)为中心的径向上的温度分布ΔT，使得在碳化硅单晶生长之前籽晶的表面上和在碳化硅单晶生长期间碳化硅单晶的生长表面上满足ΔT≤10℃的径向温度条件。
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公开(公告)号：CN117822118A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311279562.X
申请日：2023-09-28
申请人： 一般财团法人电力中央研究所 , 未来瞻科技株式会社 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
摘要： [课题]本发明提供能够抑制贯通刃型位错被转变成棱柱面位错以及棱柱面位错被转变成基底面位错的碳化硅单晶的制造方法、以及碳化硅单晶锭和碳化硅晶片。[解决手段]利用气体法使碳化硅单晶在种基板的表面生长时，以种基板的矢径方向上的温度梯度成为规定温度以下的方式，使碳化硅单晶生长。基底面之中的超过临界分切应力的区域R1‑R3与棱柱面之中的超过临界分切应力的区域S1‑S4发生重叠的区域T1‑T4的面积小于晶体生长面的面积的一半。进而，区域T1‑T4的面积小于基底面之中的不超过临界分切应力的区域R4与区域S1‑S4发生重叠的区域V1‑V4。
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公开(公告)号：CN117822109A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311299068.X
申请日：2023-10-08
申请人： 一般财团法人电力中央研究所 , 未来瞻科技株式会社 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
摘要： [课题]本发明提供使晶体生长速度为高速且从基底面位错转变成贯通刃型位错的转变率得以提高的碳化硅单晶的制造方法、以及碳化硅单晶锭。[解决手段]通过制作由相对于{0001}面具有[1‑100]方向的离轴角的碳化硅形成的种基板，并利用HTCVD法使碳化硅单晶层3在前述种基板生长，从而使前述种基板中包含的基底面位错在晶体生长时转变成贯通刃型位错。
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公开(公告)号：CN116265626A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211612081.1
申请日：2022-12-15
申请人： 一般财团法人电力中央研究所 , 未来瞻科技株式会社 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
摘要： 本发明提供：在封闭籽晶中的微管的同时减少了螺旋位错的聚集的碳化硅铸锭、其制造方法和碳化硅晶片的制造方法。一种碳化硅铸锭，其具备：由碳化硅单晶构成、且具有作为中空缺陷的微管(5)的籽晶(2)；设于籽晶(2)上的由碳化硅构成的缓冲层(3)；以及设于缓冲层(3)上的由碳化硅构成的块状晶体生长层(4)，缓冲层(3)和块状晶体生长层(4)具有延续至被缓冲层(3)封闭的微管(5)的多个螺旋位错(6)，在块状晶体生长层(4)中共用微管(5)的多个螺旋位错(6)彼此的间隔为150μm以上。
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公开(公告)号：CN110637109B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201880032744.8
申请日：2018-04-19
申请人： 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205 , C23C16/42
摘要： 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
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公开(公告)号：CN112626618A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011015571.4
申请日：2020-09-24
申请人： 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
摘要： 提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。
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公开(公告)号：CN116791195A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310782655.8
申请日：2020-09-24
申请人： 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
摘要： 本发明是碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法。提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。
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公开(公告)号：CN112626618B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202011015571.4
申请日：2020-09-24
申请人： 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
摘要： 提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。
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公开(公告)号：CN112334607B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201980040774.8
申请日：2019-06-17
申请人： 株式会社电装 , 一般财团法人电力中央研究所
摘要： 在SiC单晶(6)的生长中添加重金属元素，将其添加密度设定为1×1015cm‑3以上。这样的构成的SiC单晶(6)是不易因生长中产生的热应力而产生位错的SiC单晶。因此，在将SiC单晶(6)切片而制成晶片并在其上使SiC层外延生长的情况下，也变得不易产生位错。通过设定为这样的构成，能够制成可抑制位错的产生或增殖的SiC单晶。
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公开(公告)号：CN112334607A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980040774.8
申请日：2019-06-17
申请人： 株式会社电装 , 一般财团法人电力中央研究所
摘要： 在SiC单晶(6)的生长中添加重金属元素，将其添加密度设定为1×1015cm‑3以上。这样的构成的SiC单晶(6)是不易因生长中产生的热应力而产生位错的SiC单晶。因此，在将SiC单晶(6)切片而制成晶片并在其上使SiC层外延生长的情况下，也变得不易产生位错。通过设定为这样的构成，能够制成可抑制位错的产生或增殖的SiC单晶。
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