公开(公告)号：CN116695252A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310176260.3

申请日：2023-02-28

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所

Inventor： 堀合慧祥 ,  冈本武志 ,  神田贵裕 ,  星乃纪博 ,  别役洁 ,  镰田功穂 ,  土田秀一 ,  金村高司

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 一种碳化硅单晶(6)的制造方法包括：向籽晶(5)的表面供应含有碳化硅原料气体的供应气体(3a)并控制环境使得加热容器内的至少一部分为2500℃或更高，由此在籽晶的表面上生长碳化硅单晶。生长碳化硅单晶包括控制以籽晶和碳化硅单晶的中心轴线(C)为中心的径向上的温度分布ΔT，使得在碳化硅单晶生长之前籽晶的表面上和在碳化硅单晶生长期间碳化硅单晶的生长表面上满足ΔT≤10℃的径向温度条件。

公开(公告)号：CN117822109A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311299068.X

申请日：2023-10-08

Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 ,  未来瞻科技株式会社 ,  株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 別役洁 ,  星乃纪博 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  堀合慧祥 ,  冈本武志

IPC: C30B25/20 ,  C30B29/36

Abstract: [课题]本发明提供使晶体生长速度为高速且从基底面位错转变成贯通刃型位错的转变率得以提高的碳化硅单晶的制造方法、以及碳化硅单晶锭。[解决手段]通过制作由相对于{0001}面具有[1‑100]方向的离轴角的碳化硅形成的种基板，并利用HTCVD法使碳化硅单晶层3在前述种基板生长，从而使前述种基板中包含的基底面位错在晶体生长时转变成贯通刃型位错。

公开(公告)号：CN116265626A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211612081.1

申请日：2022-12-15

Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 ,  未来瞻科技株式会社 ,  株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 镰田功穗 ,  星乃纪博 ,  别役洁 ,  土田秀一 ,  冈本武志 ,  堀合慧祥

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供：在封闭籽晶中的微管的同时减少了螺旋位错的聚集的碳化硅铸锭、其制造方法和碳化硅晶片的制造方法。一种碳化硅铸锭，其具备：由碳化硅单晶构成、且具有作为中空缺陷的微管(5)的籽晶(2)；设于籽晶(2)上的由碳化硅构成的缓冲层(3)；以及设于缓冲层(3)上的由碳化硅构成的块状晶体生长层(4)，缓冲层(3)和块状晶体生长层(4)具有延续至被缓冲层(3)封闭的微管(5)的多个螺旋位错(6)，在块状晶体生长层(4)中共用微管(5)的多个螺旋位错(6)彼此的间隔为150μm以上。

公开(公告)号：CN118156288A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311632415.6

申请日：2023-12-01

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 上东秀幸 ,  堀合慧祥

IPC: H01L29/32 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供碳化硅基板及使用它的碳化硅半导体装置。碳化硅基板具备由碳化硅(SiC)构成的基板(10)，在电子激励中，650～750nm波长的发光峰值(I3)是385～408nm波长的发光峰值(I1)的4.5倍以上。

公开(公告)号：CN118773740A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410384431.6

申请日：2024-04-01

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 大矢信之 ,  冈本武志 ,  堀合慧祥

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/08 ,  C30B25/14

Abstract: 在SiC单晶(3)的生长中使电阻率周期性地缓慢反复增减。通过如此制造SiC单晶(3)，即使在SiC单晶(3)的生长中发生异取向晶体(30)，也能够抑制其扩展，能够在生长中使其消失。而且，也不需要用于除去异取向晶体(30)的蚀刻。