公开(公告)号：CN102549092A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080034008.X

申请日：2010-08-03

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社 ,  三井化学株式会社

Inventor： 得居伸 ,  才本芳久 ,  大胡田久行 ,  井上则英

IPC: C09J7/02 ,  B32B27/00 ,  B32B27/32 ,  C09J123/04 ,  C09J123/10 ,  C09J125/10 ,  C09J153/02

CPC classification number: C08L23/0815 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/32 ,  B32B2250/24 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/50 ,  B32B2419/00 ,  B32B2551/00 ,  B32B2605/00 ,  C08L23/08 ,  C08L23/10 ,  C08L2205/02 ,  C08L2666/04 ,  C09J7/22 ,  C09J7/241 ,  C09J7/38 ,  C09J125/10 ,  C09J2423/00 ,  C09J2425/00 ,  C08L2666/02

Abstract: 一种表面保护膜，其特征在于，至少包括表面层(A)和粘合层(X)2层，所述表面层(A)由聚烯烃树脂形成，所述粘合层(X)由(X-1)～(X-4)组成的组合物形成，其中(X-1)为以熔点不足50℃或观测不到熔点的碳原子数为3以上的α-烯烃为主成分的α-烯烃聚合物或共聚物，其含量为0～50重量％；(X-2)为选自熔点在50～140℃的范围的丙烯聚合物或共聚物(X-2a)及熔点在50℃以上140℃以下的范围的乙烯类聚合物或共聚物(X-2b)中的至少一种以上的烯烃聚合物或共聚物，其含量为0.5～50重量％；(X-3)为苯乙烯类弹性体，其含量为10～98重量％；(X-4)为低聚物，其含量为0～50重量％，(X-1)、(X-2)、(X-3)和(X-4)的总量为100重量％。

公开(公告)号：CN102763211B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201180009655.X

申请日：2011-05-31

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司 ,  才本芳久 ,  片冈真 ,  尾崎胜敏 ,  酒井充

IPC: H01L21/683 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/67132 ,  Y10T428/1471

Abstract: 本发明提供一种具有对于半导体晶片的电路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剥离性的半导体晶片表面保护薄片。具体来说，提供一种半导体晶片表面保护用薄片，其具有：在25℃时的储能模量E（25）为1GPa以上的基材层；在25℃时的储能模量EA（25）和在60℃时的储能模量EA（60）满足EA（60）/EA（25）

公开(公告)号：CN102763211A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180009655.X

申请日：2011-05-31

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司 ,  才本芳久 ,  片冈真 ,  尾崎胜敏 ,  酒井充

IPC: H01L21/683 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/67132 ,  Y10T428/1471

Abstract: 本发明提供一种具有对于半导体晶片的电路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剥离性的半导体晶片表面保护薄片。具体来说，提供一种半导体晶片表面保护用薄片，其具有：在25℃时的储能模量E（25）为1GPa以上的基材层；在25℃时的储能模量EA（25）和在60℃时的储能模量EA（60）满足EA（60）/EA（25）