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公开(公告)号：CN101578245A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001576.2
申请日：2008-08-04
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/457 , C04B2235/3286 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/78 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C23C14/086
Abstract: 本发明的目的在于，通过使用能以更高的合格率对具有优良物性的ITO膜进行成膜的ITO烧结体、ITO溅射靶材以及ITO溅射靶，尤其是使用低体积电阻值的ITO烧结体，从而可以提供一种能够获得低电阻且具有优良非晶态稳定性膜的ITO溅射靶材和ITO溅射靶，以及制造适合用于它们的ITO烧结体的方法。本发明的ITO烧结体，是在主晶粒In2O3母相内存在由In4Sn3O12组成的微粒的ITO(Indium－Tin－Oxide)烧结体，其特征在于，该微粒具有倒角的近似立方体的形状。
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公开(公告)号：CN1382828A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02105095.3
申请日：2002-02-21
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供改进靶的加工方法、防止发生由应力产生的裂纹等的喷溅靶及其制造方法。在具有a边和b边、形状比是a∶b的矩形靶中,是a
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公开(公告)号：CN101622208A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880001594.0
申请日：2008-08-04
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6585 , C04B2235/661 , C04B2235/78 , C04B2235/785 , C04B2235/80 , C23C14/3414
Abstract: 本发明的目的在于，通过使用能够以更高的合格率对具有优良物性的ITO膜进行成膜的ITO烧结体、ITO溅射靶材以及ITO溅射靶，尤其是使用体积电阻值较低的ITO烧结体，可以提供一种能够获得低电阻且具有优良的非晶态稳定性膜的ITO溅射靶材和ITO溅射靶，以及制造适合用于它们的ITO烧结体的方法。本发明的ITO烧结体，是在主晶粒的In 2 O 3 母相内存在由In 4 Sn 3 O 12 所组成微粒的ITO(Indium-Tin-Oxide)烧结体，其特征在于，该微粒具有，自粒子的假想中心以放射状形成有针状突起的立体星状形状。
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