显示装置和拼接显示装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118076175A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202311566746.4

    申请日:2023-11-22

    摘要: 提供了一种显示装置,所述显示装置包括:显示面板;以及抗反射层,在显示面板上。抗反射层包括多个无机层,多个无机层包括:多个第一无机层,具有第一折射率,并且每个第一无机层包括氮氧化硅(SiON);以及多个第二无机层,具有高于第一折射率的第二折射率,并且每个第二无机层包括氮氧化硅。因此,能够形成具有低反射率和高覆盖特性同时通过简单的工艺形成的抗反射层结构,使得显示装置可以具有改善的耐久性和可见度。

    显示装置及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114447036A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202111030664.9

    申请日:2021-09-03

    IPC分类号: H01L27/32 H01L51/56 H01L21/02

    摘要: 本发明涉及一种显示装置及其制造方法。根据一实施例的显示装置包括:第一基底基板;第一阻挡层,布置于所述第一基底基板上;第二基底基板,布置于所述第一阻挡层上;至少一个晶体管,布置于所述第二基底基板上;以及有机发光二极管,布置于所述至少一个晶体管上,其中,所述第一阻挡层包括硅氧化物,并且所述第一阻挡层与所述第二基底基板的粘合力为200gf/inch以上。

    显示装置及显示装置的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113658982A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110506150.X

    申请日:2021-05-10

    IPC分类号: H01L27/32 H01L51/52

    摘要: 提供一种显示装置及显示装置的制造方法。显示装置包括:基板;缓冲层,布置于所述基板上,包括沿厚度方向依次层叠的第一缓冲膜及第二缓冲膜;半导体图案,布置于所述缓冲层上;栅极绝缘膜,布置于所述半导体图案上;以及栅极电极,布置于所述栅极绝缘膜上,其中,所述第一缓冲膜和所述第二缓冲膜包括彼此相同的物质,所述第一缓冲膜的密度大于所述第二缓冲膜的密度。

    显示装置和制造显示装置的方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112635525A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202011074920.X

    申请日:2020-10-09

    IPC分类号: H01L27/32

    摘要: 一种显示装置,包括:基体基板,包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域;第一层间绝缘层,设置在所述基体基板上;第二层间绝缘层,设置在所述第一层间绝缘层上;第一半导体层,设置在所述第二层间绝缘层上并包括氧化物;以及第一栅极绝缘层,设置在所述第一半导体层上,其中,所述第一层间绝缘层的材料和所述第二层间绝缘层的材料彼此不同。还公开了制造显示装置的方法。

    显示装置及制造该显示装置的方法

    公开(公告)号:CN112397551A

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN202010795033.5

    申请日:2020-08-10

    摘要: 提供了一种显示装置及制造该显示装置的方法。所述方法包括以下步骤:在载体基底上设置无机层;在无机层上设置第一柔性基底;在第一柔性基底上设置包括金属的第一屏蔽层;在第一屏蔽层上设置第一阻挡层;以及在第一阻挡层上设置薄膜晶体管层。无机层包括选自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种材料,并且无机层的厚度在从约 至约 的范围内。

    背光单元
    7.
    发明公开
    背光单元 审中-公开

    公开(公告)号:CN110873981A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910821996.5

    申请日:2019-09-02

    IPC分类号: G02F1/13357 G02B6/00

    摘要: 一种背光单元可以包括光源、与光源相邻的导光板、设置在导光板上的低折射率层、设置在低折射率层上的阻挡层以及设置在阻挡层上并包括量子点的波长转换层。低折射率层的折射率可以小于导光板的折射率。

    像素和包括像素的显示设备
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117956845A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202311398397.X

    申请日:2023-10-26

    摘要: 本申请提供了像素和包括像素的显示设备。像素包括:通孔层,设置在衬底上;第一电极,设置在通孔层上;像素限定层,设置在第一电极上,该像素限定层包括暴露第一电极的一部分的开口;发射层,设置在第一电极的所述一部分和像素限定层上;以及第二电极,设置在发射层上。第一电极包括设置在通孔层上的第一层和设置在第一层和像素限定层之间的第二层。第一层包括多个子绝缘层,多个子绝缘层中的每个包括顺序堆叠的第一子层和第二子层。第一子层和第二子层具有不同的折射率。

    显示装置和制造显示装置的方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115623819A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202210820741.9

    申请日:2022-07-12

    IPC分类号: H10K59/12 G09F9/30

    摘要: 一种显示装置和一种制造显示装置的方法。所述显示装置包括:基底;加强层,在所述基底上;以及显示层,包括阻挡层且在所述加强层上,其中,每单位体积的所述加强层的氢原子的数量小于每单位体积的所述阻挡层的氢原子的数量。

    光单元和包括其的显示装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111458927A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN202010057347.5

    申请日:2020-01-19

    IPC分类号: G02F1/13357

    摘要: 本公开涉及光单元和包括其的显示装置。光单元,包括:光源;和光学构件,所述光学构件透射和转换从光源发射的光,其中光学构件包括:光导;低折射率层,所述低折射率层设置在光导上并具有比光导的折射率更低的折射率;第一封端层,所述第一封端层设置在低折射率层上;和波长转换层,所述波长转换层设置在第一封端层上并且包括量子点,并且光导包括金属氧化物。