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公开(公告)号：CN101673581B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN200910205766.2
申请日：2009-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G11C11/5628 , G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3431 , G11C29/00 , G11C2211/5621 , Y02D10/13
Abstract: 提供一种带有处理器、主存储器和闪存的存储器系统。通过获得加速和高的数据可靠性可提高存储器系统的性能。存储器系统包括非易失性存储器设备和用于驱动控制程序来控制非易失性存储器设备的控制器。即使在对非易失性存储器设备的第一存取操作完成之前，控制程序也执行对于非易失性存储器设备的第二存取操作。
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公开(公告)号：CN103123608A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310007949.X
申请日：2007-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211
Abstract: 本发明涉及一种用于在存储器装置中重新分配可寻址空间的方法和设备。一种集成电路系统，包括：存储器处理器，从主处理器接收逻辑存储器地址LA并响应于LA输出物理地址PA；以及非易失存储装置，与存储器处理器通信以从存储器处理器接收物理地址PA用于存取与各个物理地址PA对应的非易失存储装置的存储器位置，其中，集成电路系统接收用于调整主处理器所见的非易失存储装置的有效存储器区域的容量的参数值PRM，并且响应于该参数值PRM在集成电路系统中存储更新的分区参数，而且其中，存储器处理器接收主处理器的命令CMD以调整非易失存储装置的有效存储器区域，其中，集成电路系统响应于存储的更新的分区参数调整有效存储器区域与保留存储器区域的分区比率，响应于更新的分区参数修改非易失存储装置的保留存储器区域的容量。
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公开(公告)号：CN101673581A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910205766.2
申请日：2009-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3431 , G11C29/00 , G11C2211/5621 , Y02D10/13
Abstract: 提供一种带有处理器、主存储器和闪存的存储器系统。通过获得加速和高的数据可靠性可提高存储器系统的性能。存储器系统包括非易失性存储器设备和用于驱动控制程序来控制非易失性存储器设备的控制器。即使在对非易失性存储器设备的第一存取操作完成之前，控制程序也执行对于非易失性存储器设备的第二存取操作。
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公开(公告)号：CN101165659A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710006117.0
申请日：2007-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211
Abstract: 集成电路系统包括非易失存储装置(例如，闪速EEPROM装置)和存储器处理电路。将存储器处理电路电耦合到非易失存储装置。将该存储器处理电路配置为再分配非易失存储装置内的可寻址空间。响应于存储器处理电路所接收到的容量调整命令，通过增加被作为冗余存储器地址保留的、在非易失存储装置内的物理地址的数量来执行这种再分配。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103247341B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310182861.1
申请日：2005-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/16
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C2216/18 , G11C2216/20
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，包括：一组M个存储块；块译码器，每个块译码器与该组M个存储块之一对应，每个块译码器包括用于存储对应的块地址的寄存器；擦除控制器，被配置为控制同时擦除该组M个存储块中的一子组N个存储块的多块擦除操作，擦除控制器还被配置为在多块擦除操作之后，响应于外部提供的擦除校验命令并响应于N个外部提供的块地址之一，控制对于该子组N个存储块的每个的擦除校验操作，其中N大于1并小于或等于M（1
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公开(公告)号：CN102436419B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110303359.2
申请日：2011-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F3/0625 , G06F3/0634 , G06F3/0655 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F12/0292 , G06F2212/1028 , G11C7/1072 , Y02D10/13
Abstract: 提供了一种非易失性存储器系统和一种管理其电源的方法。非易失性存储器系统包括：非易失性存储器，配置为存储包括与针对代码区域的逻辑地址相对应的物理地址和逻辑地址的列表和与针对通用(GP)区域的逻辑地址相对应的物理地址和逻辑地址的列表的第一映射表；和控制器，配置为从非易失性存储器加载第一映射表到第一存储器和从非易失性存储器加载第二映射表到第二存储器。第二存储器的加电相对于非易失性存储器系统的加电有延时，并且在条件满足时使第一或第二存储器断电，从而降低非易失性存储器系统的功耗。
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公开(公告)号：CN101174198B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200710184873.2
申请日：2007-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F12/0873 , G06F3/0613 , G06F3/0656 , G06F3/068 , G06F2212/217 , G06F2212/283
Abstract: 一种数据存储系统，包括非易失存储器，盘记录介质，以可操作的方式设置在主机接口与非易失存储器之间并且存储保存在非易失存储器中的一部分数据的非易失存储缓存器，以及以可操作的方式设置在主机接口与盘记录介质之间并且存储保存在盘记录介质中的一部分数据的盘缓存器。该数据存储系统被配置成从以可操作的方式连接到主机接口的主机中接收存取地址，并且依照非易失存储器存器、非易失存储器、盘缓存器以及盘记录介质的顺序而在其中按顺序确定是否存在该存取地址。
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公开(公告)号：CN101183563A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710199912.6
申请日：2007-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/1068 , G11C16/04 , G11C29/76 , G11C2029/0409 , G11C2029/0411 , G11C2229/723
Abstract: 一种用于操作包括具有多个存储器块的闪存装置的存储器系统的方法，其包括：确定在闪存装置的读取操作期间产生的读取错误是否是由读取扰动引起的，以及如果读取错误是由读取扰动引起的，则用备用存储器块替换包括读取错误的存储器块。
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公开(公告)号：CN101174461A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710159607.4
申请日：2007-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F11/1068 , G06F2212/7203
Abstract: 一种在具有第一存储芯片和第二存储芯片的多芯片闪存器件中复录数据的方法和设备。该方法可包括从存储芯片之一的第一源区域读取第一源数据；将第一源数据编程到在存储芯片之一中包括的目标区域中以及从不同于包括所述目标区域的存储芯片的其他存储芯片的第二源区域读取第二源数据。当编程第一源数据时可执行读取第二源数据。
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