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公开(公告)号：CN116960073A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310158839.7
申请日：2023-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：封装衬底，具有在封装衬底的顶表面处的第一安装区域和第二安装区域；第一半导体芯片，设置在第一安装区域上；第二半导体芯片，设置在第二安装区域上；中介层衬底，设置在第二安装区域上，并覆盖第二半导体芯片；多个导电连接器，从中介层衬底的底表面延伸到封装衬底的顶表面，并与第二半导体芯片横向地间隔开；以及第三半导体芯片，在中介层衬底的顶表面上。第一半导体芯片的顶表面与封装衬底的顶表面之间的第一距离大于中介层衬底的顶表面与封装衬底的顶表面之间的第二距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115223603A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210408651.9
申请日：2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置、操作存储装置的方法和提供多个性能表的方法。该存储装置包括：至少一个非易失性存储器装置；第一温度传感器和第二温度传感器，其布置为邻近至少一个非易失性存储器装置；以及控制器，其被配置为基于多个性能表、由第一温度传感器检测到的第一温度和由第二温度传感器检测到的第二温度来控制至少一个非易失性存储器装置的操作性能水平。多个性能表中的每一个包括多个条目，多个条目中的每一个包括关于至少一个非易失性存储器装置的操作性能水平的信息。多个性能表中的每一个对应于关于第一温度和第二温度的计算的结果。
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公开(公告)号：CN112103257A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010134175.7
申请日：2020-03-02
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 提供了半导体封装件和半导体装置。所述半导体封装件包括：半导体芯片；和聚二甲基硅氧烷(PDMS)层，所述聚二甲基硅氧烷层设置在所述半导体芯片上，所述聚二甲基硅氧烷层的上表面暴露于外部。由于半导体封装件可以包括PDMS层，所以半导体封装件在真空状态下的散热性能可以改善。
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公开(公告)号：CN115206410A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210038725.4
申请日：2022-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储设备，其包括：第一非易失性存储器件，其存储用户数据；第二非易失性存储器件，其存储用于故障分析的状态信息；电压检测电路，所述电压检测电路检测在所述存储设备处通过连接器接收的输入电压是否超过参考电压，以及当所述输入电压超过所述参考电压时，输出过电压检测信号；状态显示设备，所述状态显示设备响应于警报信号而显示所述输入电压的状态；以及存储控制器，所述存储控制器将所述用户数据存储在所述第一非易失性存储器件中或从所述第一非易失性存储器件读取所述用户数据，响应于所述过电压检测信号，向所述状态显示设备输出所述警报信号，以及将所述状态信息存储在所述第二非易失性存储器件中。
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公开(公告)号：CN109493911A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811022123.X
申请日：2018-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/006 , G06F3/0653 , G06F11/073 , G06F11/0772 , G06F11/0787 , G11C29/44 , G11C29/82
Abstract: 一种用于控制非易失性存储器件的存储器控制器的操作方法包括：从非易失性存储器件接收关于操作失败的信息，从非易失性存储器件接收锁出状态信息，基于锁出状态信息确定是否输出了锁出信号，以及根据确定结果将与关于操作失败的信息相对应的失败块确定为正常块或坏块。
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