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公开(公告)号:CN108470007A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201810154153.X
申请日:2013-01-02
Applicant: 内存技术有限责任公司
IPC: G06F12/0888
CPC classification number: G06F3/0607 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0868 , G06F12/0888 , G06F2212/1016 , G06F2212/1024 , G06F2212/1036 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7206 , G11C7/1072 , Y02D10/13
Abstract: 本公开涉及借助非易失性大容量存储器系统提供高速缓冲存储器移动的设备和方法。在一个非限制性实施例中,一种存储器模块,包括:控制模块;由所述控制模块可读并可写的存储器;以及用于将所述存储器模块连接到主机设备的存储器控制器的接口;所述控制模块被配置为:从所述主机设备的所述存储器控制器接收与存储在所述存储器中的数据相关联的命令;以及至少部分地基于所述命令,执行所述存储器模块内的一个或多个基本存储器操作,其中所述一个或多个基本存储器操作包括数据移动操作和数据填充操作。
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公开(公告)号:CN108027711A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680045268.4
申请日:2016-08-02
Applicant: 英特尔公司
Inventor: S·N·特丽卡 , K·S·格里姆斯鲁德 , P·维索茨基
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F3/0611 , G06F3/0619 , G06F3/0656 , G06F3/0659 , G06F3/068 , G06F3/0685 , G06F11/2015 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F12/0888 , G06F2201/805 , G06F2212/7203
Abstract: 用于建立和管理固态驱动器的高性能存储器区域的技术包括保留固态驱动器的易失性存储器的区域以用于对主机数据的存储。从主机接收到的存储存取可以指向易失性存储器的保留的区域或者固态驱动器的非易失性存储器。由于易失性存储器的结构,对保留的区域的存储器存取相对于对非易失性存储器的存储器存取可以展现较低的存取时间。如此,保留的区域可以用作用于数据和/或其它应用的日记和日志的存储空间。当关闭或者电力故障事件时,存储在易失性存储器的保留的区域中的数据被复制至非易失性存储器,并且随后当下一个初始化事件时被恢复至易失性存储器。
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公开(公告)号:CN104750619B
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201410743192.5
申请日:2014-12-08
Applicant: 慧荣科技股份有限公司
IPC: G06F12/06
CPC classification number: G06F11/1469 , G06F3/0604 , G06F3/0631 , G06F3/064 , G06F3/0652 , G06F3/0679 , G06F11/1072 , G06F11/141 , G06F11/1435 , G06F12/0246 , G06F12/0802 , G06F12/121 , G06F2212/1032 , G06F2212/60 , G06F2212/69 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7209 , G11C11/56 , G11C29/52 , G11C2029/0411 , G11C2211/5641 , Y02D10/13
Abstract: 本发明揭示快闪存储器所实现的数据储存装置以及快闪存储器控制技术,其中是分段将一物理区块所对应的物理‑逻辑地址映射资讯封存至快闪存储器。一微控制器是设置来规划该快闪存储器提供一第一数据接收区块。在该第一数据接收区块上的一第一写入操作以及一第二写入操作之间,该微控制器基于一第一物理‑逻辑映射表的仅部分空间更新一逻辑‑物理地址映射表。该逻辑‑物理地址映射表是维护于该快闪存储器中。该第一物理‑逻辑地址映射表是建立于随机存取存储器中,负责记录一个物理区块的物理地址所对应的逻辑地址。
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公开(公告)号:CN103197897B
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201310007947.0
申请日:2013-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/10 , G06F11/1004 , G06F12/0246 , G06F2212/1032 , G06F2212/1044 , G06F2212/401 , G06F2212/7203 , G06F2212/7207
Abstract: 一种存储装置,其包括:存储器单元阵列的用户区;缓冲区,所述缓冲区被配置为暂时存储要被写入到所述用户区中的压缩数据;以及压缩数据管理逻辑,所述压缩数据管理逻辑被配置来控制所述用户区和所述缓冲区,使得存储在所述缓冲区中的压缩数据被写入到所述用户区。所述压缩数据管理逻辑通过ECC块单位而不是通过页面大小单位来管理要被写入到所述用户区的压缩数据。
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公开(公告)号:CN107526694A
公开(公告)日:2017-12-29
申请号:CN201611031950.6
申请日:2016-11-22
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor: 申东才
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F1/266 , G06F3/0653 , G06F3/0656 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F11/14 , G06F11/3055 , G06F12/00 , G06F13/16 , G06F2212/1032 , G06F2212/7203 , G11C5/144 , G11C16/30 , G06F12/16 , G06F11/0754 , G06F11/0787
Abstract: 本发明公开了一种数据存储装置,其包括:非易失性存储器装置;控制单元,其配置为生成其中写入用于控制非易失性存储器装置的工作的描述符;存储器控制单元,其配置为基于描述符向非易失性存储器装置提供控制信号和写入数据;以及电压检测器,其配置为在提供给存储器控制单元的第一工作电压或提供给非易失性存储器装置的第二工作电压下降的情况下向存储器控制单元提供电压降信号。
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公开(公告)号:CN107003943A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201680002975.5
申请日:2016-12-05
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F12/08
CPC classification number: G06F3/0631 , G06F3/061 , G06F3/0647 , G06F3/0656 , G06F3/0659 , G06F3/067 , G06F3/0683 , G06F12/0246 , G06F12/0868 , G06F12/0871 , G06F2212/1036 , G06F2212/1044 , G06F2212/7203 , G06F12/0802
Abstract: 本发明实施例提供一种NVMe over Fabric架构中数据读写命令的控制方法、设备和系统,以解决现有技术中因数据读写命令所要传输的数据大,存储设备中的缓存单元因存储空间不足而导致的数据读写命令执行失败的问题。根据本发明实施例提供的方法,数据处理单元根据所述数据读写命令中携带的需要传输数据的长度,从所述缓存单元的可用存储空间中分配第一存储空间,所述第一存储空间小于所述缓存单元的存储空间,且所述第一长度小于所述需要传输数据的长度,并依次将所述数据读写命令所要传输的数据迁移到目的地址所对应的存储空间中。解决了因数据读写命令所要传输的数据大,缓存单元无法缓存需要传输的数据而导致的数据读写命令无法被执行的问题。
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公开(公告)号:CN104025060B
公开(公告)日:2017-06-27
申请号:CN201180075116.6
申请日:2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
IPC: G06F12/0804 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F11/10 , G06F13/14 , G06F13/16 , G06F13/40 , G06F13/42 , G06F9/46
CPC classification number: G06F13/1694 , G06F9/467 , G06F11/1064 , G06F12/0238 , G06F12/0802 , G06F12/0804 , G06F12/0811 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F13/1668 , G06F13/4068 , G06F13/42 , G06F13/4234 , G06F2212/1008 , G06F2212/1016 , G06F2212/1044 , G06F2212/2024 , G06F2212/7203 , Y02D10/13 , Y02D10/14 , Y02D10/151
Abstract: 一种半导体芯片,包括存储器控制器电路,所述存储器控制器电路具有接口电路以耦合到存储器通道。存储器控制器包括第一逻辑电路以在存储器通道上实现第一存储器通道协议。第一存储器通道协议特定于第一易失性系统存储器技术。该接口还包括第二逻辑电路以在存储器通道上实现第二存储器通道协议。第二存储器通道协议特定于第二非易失性系统存储器技术。第二存储器通道协议是事务协议。
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公开(公告)号:CN104021094B
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201310131428.5
申请日:2013-04-16
Applicant: 慧荣科技股份有限公司
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0802 , G06F12/0873 , G06F2212/2022 , G06F2212/7203 , G06F2212/7208
Abstract: 数据储存装置与其中快闪存储器的控制方法。该方法包括:将快闪存储器的多个区块划分由多个存取通道作存取;于一随机存取存储器中规划至少一套高速缓存空间,所述一套高速缓存空间针对上述多个存取通道分别提供写入数据的占存空间;令一主机下达的写入数据分散对应上述多个存取通道;以及,于上述一套高速缓存空间中关于上述各个存取通道所对应的数据暂存空间均整理完成后,将整理完成的数据自该套高速缓存空间依照所属的存取通道写入该快闪存储器。
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公开(公告)号:CN106201335A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201510651436.1
申请日:2015-10-10
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 菅野伸一
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F3/0679 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0656 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F13/1694 , G06F2212/1008 , G06F2212/7201 , G06F2212/7203
Abstract: 本发明的实施方式提供能够有效地执行原子写入的存储系统。实施方式的存储系统可以与主机连接。上述存储系统具备非易失性的存储器、数据处理部和管理部。上述数据处理部根据来自上述主机的命令,执行上述主机与上述存储器之间的数据传送。上述管理部对表示逻辑位置信息与上述存储器的物理位置信息的对应关系的第1翻译信息进行管理。上述管理部,在上述数据处理部将第1数据存储于上述存储器的情况下更新第2翻译信息。上述第1数据包含于以第1写入模式从上述主机接收的数据组。上述第2翻译信息是上述第1翻译信息的复本。上述管理部,在上述第1写入模式结束的情况下将上述第2翻译信息反映到上述第1翻译信息。
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公开(公告)号:CN106033319A
公开(公告)日:2016-10-19
申请号:CN201510105384.8
申请日:2015-03-11
Applicant: 广明光电股份有限公司
CPC classification number: G06F3/0616 , G06F3/0604 , G06F3/0634 , G06F3/0685 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F2212/22 , G06F2212/601 , G06F2212/6012 , G06F2212/7201 , G06F2212/7203 , G06F2212/7207
Abstract: 一种固态硬盘动态建立转换层的方法,在固态硬盘启动时,配合固态硬盘中缓冲存储器的变化状态,比较缓冲存储器与逻辑物理对照表的容量,动态选择逻辑物理对照表的储存模式,适当转换闪存转换层的建立位置,以延长固态硬盘的使用寿命。
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