包括虚设接触的半导体器件

    公开(公告)号:CN109390318B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN201810461568.1

    申请日:2018-05-15

    IPC分类号: H01L23/528

    摘要: 一种半导体器件包括穿过衬底上的绝缘层的多个主接触插塞和多个虚设接触插塞。多个上部互连在绝缘层上。所述多个虚设接触插塞包括第一虚设接触插塞。所述多个上部互连包括重叠第一虚设接触插塞的第一上部互连。第一虚设接触插塞的垂直中心轴位于第一上部互连外部。

    产生布局的方法和利用其制造半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN109712974B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN201810907064.8

    申请日:2018-08-10

    IPC分类号: H01L27/088

    摘要: 提供了一种产生布局的方法和利用其制造半导体装置的方法,所述产生布局的方法包括:接收包括有源鳍的半导体装置的设计布局;从设计布局中提取有源鳍的设计规则;形成与有源鳍叠置的鳍线,使得鳍线具有比有源鳍的长度大的长度,其中,鳍线从与半导体装置的布局区域的一个边缘邻近的位置朝向另一边缘连续地延伸,并且形成在半导体装置的整个布局区域中;利用鳍线在半导体装置的整个布局区域中形成芯轴图案布局;利用有源鳍在半导体装置的整个布局区域中形成切割图案布局。

    产生布局的方法和利用其制造半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN109712974A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201810907064.8

    申请日:2018-08-10

    IPC分类号: H01L27/088

    摘要: 提供了一种产生布局的方法和利用其制造半导体装置的方法,所述产生布局的方法包括:接收包括有源鳍的半导体装置的设计布局;从设计布局中提取有源鳍的设计规则;形成与有源鳍叠置的鳍线,使得鳍线具有比有源鳍的长度大的长度,其中,鳍线从与半导体装置的布局区域的一个边缘邻近的位置朝向另一边缘连续地延伸,并且形成在半导体装置的整个布局区域中;利用鳍线在半导体装置的整个布局区域中形成芯轴图案布局;利用有源鳍在半导体装置的整个布局区域中形成切割图案布局。

    包括虚设接触的半导体器件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109390318A

    公开(公告)日:2019-02-26

    申请号:CN201810461568.1

    申请日:2018-05-15

    IPC分类号: H01L23/528

    摘要: 一种半导体器件包括穿过衬底上的绝缘层的多个主接触插塞和多个虚设接触插塞。多个上部互连在绝缘层上。所述多个虚设接触插塞包括第一虚设接触插塞。所述多个上部互连包括重叠第一虚设接触插塞的第一上部互连。第一虚设接触插塞的垂直中心轴位于第一上部互连外部。