公开(公告)号：CN116137257A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211378731.0

申请日：2022-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  金泳龙 ,  朴相天

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L23/538 ,  H01L21/02

Abstract: 一种半导体封装件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片包括：第一衬底，具有前表面和后表面；第一绝缘层，位于所述后表面上；凹陷部分，穿过所述第一绝缘层延伸到所述第一衬底中；绝缘保护层，沿着所述凹陷部分的内侧表面和底表面延伸；贯通电极，从所述前表面延伸穿过所述凹陷部分的所述底表面和所述绝缘保护层；以及第一连接焊盘，在所述凹陷部分中接触所述贯通电极，并且被所述绝缘保护层围绕，所述第一半导体芯片具有由所述第一绝缘层的上表面、所述绝缘保护层的上表面和所述第一连接焊盘的上表面限定的平坦的上表面，并且所述第二半导体芯片设置在所述第一半导体芯片的所述上表面上。

公开(公告)号：CN113690213A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110211890.0

申请日：2021-02-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李赫宰 ,  李种昊 ,  金志勳 ,  金泰勳 ,  朴相天 ,  薛珍暻 ,  李相勳

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一连接结构；第一半导体芯片，位于第一连接结构的上表面上；第一模制层，位于第一连接结构的上表面上，并且围绕第一半导体芯片；第一接合垫，位于第一半导体芯片上；第一接合绝缘层，位于第一半导体芯片和第一模制层上，并且围绕第一接合垫；第二接合垫，直接接触第一接合垫；第二接合绝缘层，围绕第二接合垫；以及第二半导体芯片，位于第二接合垫和第二接合绝缘层上。

公开(公告)号：CN115050728A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210023873.9

申请日：2022-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相天 ,  李荣敏

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538

Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括设置在第一半导体衬底的第一有源表面上的多个前表面焊盘、穿透第一半导体衬底的至少一部分并连接到前表面焊盘的至少一个贯通电极、设置在第一半导体衬底的第一无源表面上的第一后表面覆盖层、穿透第一后表面覆盖层的一部分的第一后表面伪导电层；第二半导体芯片，包括设置在第二半导体衬底的第二有源表面上的第二前表面覆盖层，以及穿透第二前表面覆盖层的一部分的第二前表面伪导电层；以及穿透第一后表面覆盖层与第二前表面覆盖层的至少一个第一接合焊盘。

公开(公告)号：CN112701100A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202010640793.9

申请日：2020-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪志硕 ,  姜芸炳 ,  姜明成 ,  金泰勋 ,  朴相天 ,  李赫宰 ,  黄智焕

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/544 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

Abstract: 根据本发明构思的一方面，提供了一种晶片至晶圆结合结构，其包括晶片，该晶片具有第一测试焊盘、形成在第一测试焊盘上的第一结合焊盘以及第一绝缘层，第一结合焊盘穿透第一绝缘层。该结构还可包括晶圆，该晶圆具有第二测试焊盘、形成在第二测试焊盘上的第二结合焊盘以及第二绝缘层，第二结合焊盘穿透第二绝缘层。该结构还可包括围绕第一结合焊盘的所有侧表面和第二结合焊盘的所有侧表面的聚合物层，该聚合物层布置在晶片和晶圆之间。此外，晶圆和晶片可被结合在一起。

公开(公告)号：CN114156242A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111042794.4

申请日：2021-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相天 ,  李荣敏

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一结构，其具有设置在一个表面上的第一绝缘层以及穿透第一绝缘层的第一电极焊盘和第一虚设焊盘；第二结构，其具有设置在另一表面上的第二绝缘层以及第二电极焊盘和第二虚设焊盘，第二绝缘层使所述另一表面键合到所述一个表面和第一绝缘层，第二电极焊盘和第二虚设焊盘穿透第二绝缘层，第二电极焊盘分别键合到第一电极焊盘，并且第二虚设焊盘分别键合到第一虚设焊盘。在半导体芯片中，在所述一个表面上第一虚设焊盘与第一绝缘层的每单位面积的表面积之比和在所述另一表面上第二虚设焊盘与第二绝缘层的每单位面积的表面积之比朝向第一结构和第二结构的侧表面逐渐减小。

公开(公告)号：CN114141739A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111029257.6

申请日：2021-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相天 ,  李荣敏 ,  金大祐 ,  李赫宰

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/544

Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一布线结构；在第一布线结构上以在第一方向上间隔开的第一接合焊盘和第一对准标记；第二半导体芯片，包括第二布线结构；在第二布线结构上并与第一接合焊盘连接的第二接合焊盘；以及在第二布线结构上以与第二接合焊盘间隔开并且在第二方向上不与第一对准标记重叠的第二对准标记，第一布线结构包括第一布线图案，第一布线图案连接到第一接合焊盘，并且在第二方向上不与第一对准标记和第二对准标记重叠，以及第二布线结构包括第二布线图案，第二布线图案连接到第二接合焊盘，并且在第二方向上不与第一对准标记和第二对准标记重叠。

公开(公告)号：CN119126313A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410178525.8

申请日：2024-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞世浩 ,  朴相天

IPC: G02B6/42

Abstract: 提供了一种半导体封装，包括：封装衬底；连接衬底，安装在封装衬底上，并且包括第一导电连接结构；第一集成电路器件，安装在封装衬底上；以及第二集成电路器件，设置在连接衬底和第一集成电路器件上，并且包括与第一集成电路器件重叠的第一部分和与连接衬底重叠的第二部分，其中，第一集成电路器件和第二集成电路器件之一包括附接有光纤的光子集成电路器件，并且第一集成电路器件和第二集成电路器件中的另一个包括电子集成电路器件，并且其中，第二集成电路器件经由连接衬底的第一导电连接结构电连接到封装衬底。

公开(公告)号：CN117790409A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202310699679.7

申请日：2023-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 池永根 ,  李相勋 ,  姜芸炳 ,  朴相天 ,  朴点龙 ,  郑玄喆

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/48 ,  H01L23/535 ,  H01L23/31

Abstract: 公开了半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的有源表面上形成半导体元件；形成过孔，该过孔从有源表面延伸到半导体衬底中；在半导体衬底的有源表面上形成第一焊盘层；对第一焊盘层执行第一平坦化工艺；对半导体衬底的非有源表面执行减薄工艺以暴露过孔；在半导体衬底的非有源表面上形成第二焊盘层；对第二焊盘层执行第二平坦化工艺；并且在第二平坦化工艺之后，对第一焊盘层执行第三平坦化工艺。