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公开(公告)号：CN114068473A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110846183.9
申请日：2021-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 一种半导体封装件，包括：再分布基板，其包括位于彼此不同水平高度的第一再分布图案和第二再分布图案；以及半导体芯片，其位于该再分布基板上并包括电连接到该第一再分布图案和该第二再分布图案的多个芯片焊盘。该第一再分布图案包括位于第一介电层上的第一金属图案，以及位于该第一介电层与该第一金属图案的底表面之间的第一阻挡图案。该第二再分布图案包括在第二介电层中的第二金属图案，以及位于该第二介电层与该第二金属图案的底表面之间以及该第二介电层与该第二金属图案的侧壁之间的第二阻挡图案。
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公开(公告)号：CN108074908A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711119538.4
申请日：2017-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体芯片包括：半导体衬底，包括其中配置有凸块的凸块区及不包括凸块的非凸块区；以及钝化层，形成在所述半导体衬底的所述凸块区及所述非凸块区上，其中所述凸块区中所述钝化层的厚度厚于所述非凸块区中所述钝化层的厚度，且在所述凸块区与所述非凸块区之间具有台阶。所述半导体芯片具有提高的可靠性。
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公开(公告)号：CN108074908B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201711119538.4
申请日：2017-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体芯片包括：半导体衬底，包括其中配置有凸块的凸块区及不包括凸块的非凸块区；以及钝化层，形成在所述半导体衬底的所述凸块区及所述非凸块区上，其中所述凸块区中所述钝化层的厚度厚于所述非凸块区中所述钝化层的厚度，且在所述凸块区与所述非凸块区之间具有台阶。所述半导体芯片具有提高的可靠性。
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公开(公告)号：CN115881632A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211097137.4
申请日：2022-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/78
Abstract: 一种制造半导体封装件的方法包括：在晶片上形成掩模层，所述晶片包括半导体衬底和绝缘层；通过执行第一激光开槽工艺在所述半导体衬底中形成凹槽；通过执行第二激光开槽工艺来扩展由所述第一激光开槽工艺打开的所述掩模层的开口；通过去除所述掩模层的一部分来暴露所述绝缘层的一部分；以及通过执行切割工艺切割所述半导体衬底，同时去除在所述暴露期间所暴露的所述绝缘层的所述一部分。
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公开(公告)号：CN116031228A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210989663.5
申请日：2022-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L23/538 , H10B80/00 , H01L25/065
Abstract: 半导体器件可以包括：衬底、位于衬底的底表面上的第一绝缘层、在第一绝缘层中的互连结构、在第一绝缘层的底表面上的第二绝缘层、以及设置在第二绝缘层中的多个下焊盘。每个下焊盘可以设置为使得其顶表面的宽度小于其底表面的宽度。下焊盘可以包括第一下焊盘、第二下焊盘和第三下焊盘。在平面图中，第一下焊盘和第三下焊盘可以分别与衬底的中心部分和边缘部分相邻，而第二下焊盘可以设置在其间。第二下焊盘的底表面的宽度可以小于第一下焊盘的底表面的宽度并且可以大于第三下焊盘的底表面的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115763422A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211057385.6
申请日：2022-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L25/065 , H01L21/50
Abstract: 本申请提供了半导体器件、半导体封装件及其制造方法。一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，其具有第一衬底、位于第一衬底上的第一绝缘层和位于第一绝缘层上的多个第一接合焊盘，并且具有由第一绝缘层的上表面和多个第一接合焊盘的上表面构成的平坦的上表面；以及第二半导体芯片，其位于第一半导体芯片的上表面，并且具有第二衬底、位于第二衬底下方并且与第一绝缘层接触的第二绝缘层和位于第二绝缘层上并且分别与第一接合焊盘接触的多个第二接合焊盘，其中，第一绝缘层包括与第二绝缘层接触、嵌入在第一绝缘层中并且与多个第一接合焊盘间隔开的绝缘界面层。
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公开(公告)号：CN115968207A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202210843635.2
申请日：2022-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有彼此相对的第一有源表面和第一无源表面的第一半导体衬底以及位于所述第一有源表面上的多个第一芯片焊盘；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括具有彼此相对的第二有源表面和第二无源表面的第二半导体衬底以及位于所述第二有源表面上的多个第二芯片焊盘，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上使得所述第二有源表面面对所述第一无源表面；接合绝缘材料层，所述接合绝缘材料层介于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间；以及多个接合焊盘，所述多个接合焊盘被所述接合绝缘材料层围绕，并且将所述第一半导体芯片电连接到所述第二半导体芯片。
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公开(公告)号：CN114068462A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110864235.5
申请日：2021-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/50
Abstract: 公开了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括重分布衬底，其包括电介质层中的重分布线图案；以及半导体芯片，其位于重分布衬底上。半导体芯片包括芯片焊盘，其电连接至重分布线图案。重分布线图案中的每一个具有基本上共面的顶表面和非共面的底表面。重分布线图案中的每一个包括中心部分和位于中心部分的相对侧上的边缘部分。重分布线图案中的每一个在中心部分处具有作为最小厚度的第一厚度，并且在边缘部分处作为最大厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN113571495A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110401809.5
申请日：2021-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538
Abstract: 提供互连结构和包括该互连结构的半导体封装件。互连结构包括介电层和介电层中的布线图案。布线图案包括过孔主体、与过孔主体竖直地重叠的第一焊盘主体以及从第一焊盘主体延伸的线主体。过孔主体、第一焊盘主体和线主体彼此一体地连接，并且第一焊盘主体的底表面的水平低于线主体的底表面的水平。
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公开(公告)号：CN117790409A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310699679.7
申请日：2023-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/48 , H01L23/535 , H01L23/31
Abstract: 公开了半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的有源表面上形成半导体元件；形成过孔，该过孔从有源表面延伸到半导体衬底中；在半导体衬底的有源表面上形成第一焊盘层；对第一焊盘层执行第一平坦化工艺；对半导体衬底的非有源表面执行减薄工艺以暴露过孔；在半导体衬底的非有源表面上形成第二焊盘层；对第二焊盘层执行第二平坦化工艺；并且在第二平坦化工艺之后，对第一焊盘层执行第三平坦化工艺。
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