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公开(公告)号：CN102595063B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110399317.3
申请日：2011-12-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
摘要： 公开了一种具有负电容电路的读出放大器、图像传感器、图像处理设备和操作读出放大器的方法。读出放大器经由数据线对接收差分输入信号，并且使用差分单端放大器对与负电容电路加载的差分输入信号相对应的差分输出信号之间的电压差进行感测和放大，以产生相应的数据输出信号。
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公开(公告)号：CN111757030B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010098650.X
申请日：2020-02-18
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 针对执行菱形分选以处理图像数据的四单元图像传感器描述了系统和方法。图像传感器包括像素阵列和转换电路，其中像素阵列包括在行方向和列方向上排列的像素集，输出从像素集的第一像素集生成的第一信号，并且输出从像素集的第二像素集生成的第二信号。转换电路基于第一信号和第二信号执行分选，以生成第一分选信号。第一像素集和第二像素集中的每一个包括彼此相邻的像素传感器，并且第一像素集和第二像素集位于不同的行和不同的列。
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公开(公告)号：CN107426512B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201710236664.1
申请日：2017-04-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N5/372 , H04N5/3745
摘要： 一种图像传感器芯片，包括：内部电压生成器，用于使用在图像传感器芯片的第一端子处接收的外部电压来生成内部电压；温度传感器，用于生成温度电压；选择电路，用于输出外部电压、内部电压和温度电压中的一个；数字代码生成电路，用于使用选择电路的输出电压生成数字代码；以及第二端子，用于从图像传感器芯片输出数字代码。
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公开(公告)号：CN110708484A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911105012.X
申请日：2017-04-12
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种图像传感器芯片，包括：内部电压生成器，用于使用在图像传感器芯片的第一端子处接收的外部电压来生成内部电压；温度传感器，用于生成温度电压；选择电路，用于输出外部电压、内部电压和温度电压中的一个；数字代码生成电路，用于使用选择电路的输出电压生成数字代码；以及第二端子，用于从图像传感器芯片输出数字代码。
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公开(公告)号：CN107426512A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710236664.1
申请日：2017-04-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N5/372 , H04N5/3745
CPC分类号： H04N5/378 , H03M1/0845 , H03M1/12 , H03M1/181 , H03M1/56 , H03M5/02 , H03M7/30 , H04N5/3698 , H04N5/374 , H04N5/37455 , H04N5/372
摘要： 一种图像传感器芯片，包括：内部电压生成器，用于使用在图像传感器芯片的第一端子处接收的外部电压来生成内部电压；温度传感器，用于生成温度电压；选择电路，用于输出外部电压、内部电压和温度电压中的一个；数字代码生成电路，用于使用选择电路的输出电压生成数字代码；以及第二端子，用于从图像传感器芯片输出数字代码。
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公开(公告)号：CN102595063A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110399317.3
申请日：2011-12-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC分类号： H04N5/378 , H04N5/3745
摘要： 公开了一种具有负电容电路的读出放大器、图像传感器、图像处理设备和操作读出放大器的方法。读出放大器经由数据线对接收差分输入信号，并且使用差分单端放大器对与负电容电路加载的差分输入信号相对应的差分输出信号之间的电压差进行感测和放大，以产生相应的数据输出信号。
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公开(公告)号：CN118553753A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410196150.8
申请日：2024-02-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/088 , H04N25/79 , H04N25/76
摘要： 一种图像传感器包括：第一芯片，包括包含多个像素的像素阵列；以及第二芯片，包括配置为驱动像素阵列并处理从像素阵列输出的像素信号的外围电路，其中第一芯片和第二芯片堆叠，外围电路用多个场效应晶体管(FET)来实现，所述多个FET中的每个的至少一个沟道结构全部在同一方向上延伸。
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公开(公告)号：CN110708484B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201911105012.X
申请日：2017-04-12
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种图像传感器芯片，包括：内部电压生成器，用于使用在图像传感器芯片的第一端子处接收的外部电压来生成内部电压；温度传感器，用于生成温度电压；选择电路，用于输出外部电压、内部电压和温度电压中的一个；数字代码生成电路，用于使用选择电路的输出电压生成数字代码；以及第二端子，用于从图像传感器芯片输出数字代码。
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公开(公告)号：CN111757030A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010098650.X
申请日：2020-02-18
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 针对执行菱形分选以处理图像数据的四单元图像传感器描述了系统和方法。图像传感器包括像素阵列和转换电路，其中像素阵列包括在行方向和列方向上排列的像素集，输出从像素集的第一像素集生成的第一信号，并且输出从像素集的第二像素集生成的第二信号。转换电路基于第一信号和第二信号执行分选，以生成第一分选信号。第一像素集和第二像素集中的每一个包括彼此相邻的像素传感器，并且第一像素集和第二像素集位于不同的行和不同的列。
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