公开(公告)号：CN1331230C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN02105217.4

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管，垂直和横向pnp双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度p型区包围，低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前，除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外，还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1179627A

公开(公告)日：1998-04-22

申请号：CN97119313.4

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金哲重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82

摘要： 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1381894A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02105217.4

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1381893A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02105216.6

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1209818C

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN02105216.6

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管，垂直和横向pnp双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度p型区包围，低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前，除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外，还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1201405C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02105218.2

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管，垂直和横向pnp双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度p型区包围，低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前，除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外，还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1381901A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02105218.2

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。