公开(公告)号：CN1331230C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN02105217.4

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管，垂直和横向pnp双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度p型区包围，低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前，除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外，还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN100435319C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200510119987.X

申请日：2005-09-30

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： T·约翰松 ,  H·诺尔斯特伦

IPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8226 ,  H01L21/8228 ,  H01L27/082

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L27/0214 ,  H01L27/0237 ,  H01L27/0744 ,  H01L27/0821 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/735

摘要： 一种制备I2L电路中的方法，包括(i)在衬底中形成公共的横向双极晶体管的基极和垂直双极多集电极晶体管的发射极，公共的横向晶体管的集电极和垂直多集电极晶体管的基极，以及横向晶体管的发射极(10)；(ii)由第一淀积多晶层形成共集电极/基极的接触区(7’)和横向晶体管的发射极的接触区(7”)；(iii)形成电隔离共集电极/基极的多晶接触区(7’)的隔离结构(8)；以及(iv)由第二淀积多晶层形成共基极/发射极的接触区(11’)和垂直多集电极晶体管的多个集电极(11”)。

公开(公告)号：CN1209818C

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN02105216.6

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管，垂直和横向pnp双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度p型区包围，低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前，除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外，还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1201405C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02105218.2

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管，垂直和横向pnp双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度p型区包围，低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前，除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外，还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1381901A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02105218.2

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1790673A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510119987.X

申请日：2005-09-30

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： T·约翰松 ,  H·诺尔斯特伦

IPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8226 ,  H01L21/8228 ,  H01L27/082

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L27/0214 ,  H01L27/0237 ,  H01L27/0744 ,  H01L27/0821 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/735

摘要： 一种制备I2L电路中的方法，包括(i)在衬底中形成公共的横向双极晶体管的基极和垂直双极多集电极晶体管的发射极，公共的横向晶体管的集电极和垂直多集电极晶体管的基极，以及横向晶体管的发射极(10)；(ii)由第一淀积多晶层形成共集电极/基极的接触区(7’)和横向晶体管的发射极的接触区(7”)；(iii)形成电隔离共集电极/基极的多晶接触区(7’)的隔离结构(8)；以及(iv)由第二淀积多晶层形成共基极/发射极的接触区(11’)和垂直多集电极晶体管的多个集电极(11”)。

公开(公告)号：CN1381894A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02105217.4

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1151544C

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN99812687.X

申请日：1999-08-13

申请人： 乌尔苏拉·格吕茨迪克 ,  尤塔·谢雷尔

发明人： 哈姆特·格吕茨迪克 ,  杰奇姆·谢雷尔

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/74 ,  H01L21/8226 ,  H01L21/761 ,  H01L31/11

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8226 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/082

摘要： 本发明涉及应用一个p-掺杂的半导体基片生产可集成半导体元件，尤其是晶体管或逻辑门的方法。在半导体基片上首先涂覆一掩模，以确定一个由边沿限定界限的窗口。然后通过用能量进行离浮子注入在半导体基片中产生一个n-掺杂的槽，此能量对于在半导体基片的表面上保留一个p-掺杂的内部区域是足够的，并且n-掺杂槽的边缘区域抵达半导体基片的表面。然后形成晶体管或逻辑门的n-掺杂和/或p-掺杂区被带入半导体基片的p-掺杂内部区域。此方法的优点在于不再需要昂贵的外延和隔离过程。在n-掺杂的基片情况下所有的注入被相反形式的代替，即n代替p，并且反之p代替n。

公开(公告)号：CN1381893A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02105216.6

申请日：1997-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

摘要： 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1324495A

公开(公告)日：2001-11-28

申请号：CN99812687.X

申请日：1999-08-13

申请人： 乌尔苏拉·格吕茨迪克 ,  尤塔·谢雷尔

发明人： 哈姆特·格吕茨迪克 ,  杰奇姆·谢雷尔

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/74 ,  H01L21/8226 ,  H01L21/761 ,  H01L31/11

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8226 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/082

摘要： 本发明涉及应用一个p－掺杂的半导体基片生产可集成半导体元件,尤其是晶体管或逻辑门的方法。在半导体基片上首先涂覆一掩模,以确定一个由边沿限定界限的窗口。然后通过用能量进行离子注入在半导体基片中产生一个n－掺杂的槽,此能量对于在半导体基片的表面上保留一个p－掺杂的内部区域是足够的,并且n－掺杂槽的边缘区域抵达半导体基片的表面。然后形成晶体管或逻辑门的n－掺杂和/或p－掺杂区被带入半导体基片的p－掺杂内部区域。此方法的优点在于不再需要昂贵的外延和隔离过程。在n－掺杂的基片情况下所有的注入被相反形式的代替,即n代替p,并且反之p代替n。