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公开(公告)号：CN101510553B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200910006369.2
申请日：2009-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/528 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：基板，其具有传感器阵列区域和外围电路区域；第一绝缘膜结构，其形成于外围电路区域上，该第一绝缘膜结构包括多个第一多层布线线路；以及第二绝缘膜结构，其形成于传感器阵列区域上，该第二绝缘膜结构包括多个第二多层布线线路。多个第一多层布线线路的最上层布线线路比多个第二多层布线线路的最上层布线线路高。第一绝缘膜结构包括各向同性蚀刻终止层，第二绝缘膜结构不包括各向同性蚀刻终止层。
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公开(公告)号：CN1154600A
公开(公告)日：1997-07-16
申请号：CN96118973.8
申请日：1996-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03F3/20
CPC classification number: H03F1/3276 , H03F1/3229 , H03F1/3252 , H03F2201/3212
Abstract: 一种采用预矫正系统和前馈系统要分开并消除互调失真的线性功率放大装置和方法。具有一个主功率放大器，包括：一个预矫正器，通过产生与输入的射频信号相应的谐波和将射频信号耦合到谐波中产生的预矫正信号，首次抑制在主功率放大器放大射频信号的过程中产生的互调信号；一个前馈器，通过消除输入的射频信号和主功率放大器的输出，提取互调信号失真，放大提取的互调信号失真，将互调信号与主功率放大器的输出耦合。
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公开(公告)号：CN118471993A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410002532.2
申请日：2024-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器及用于制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括：基底，包括有源区域和外围区域，有源区域包括多个光电转换像素，外围区域在有源区域周围延伸；透明窗，在基底上；壁结构，沿着基底的外围在外围区域上并且密封基底与透明窗之间的空间；平坦化绝缘层，在基底的外围区域的一部分和有源区域上；以及多个透镜图案，在平坦化绝缘层上。平坦化绝缘层包括第一透镜区域至第三透镜区域，并且透镜图案在第一透镜区域至第三透镜区域上具有不同的形状和/或以不同的间隔布置。
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公开(公告)号：CN1222029C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN01140989.4
申请日：2001-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金弘基
IPC: H01L21/70
CPC classification number: H01L28/84 , H01L27/10855 , H01L28/91
Abstract: 一种制造半导体装置的圆柱型电容器的方法，包括：在包括导电区的半导体基板上顺序形成第一绝缘层、第一刻蚀终止层、第二绝缘层和第二刻蚀终止层；刻蚀第二刻蚀终止层、第二绝缘层和第一刻蚀终止层的一部分而形成第二刻蚀终止层构图、第二绝缘层构图和第一刻蚀终止层构图，形成显露第一绝缘层一部分的表面的存储结孔；在存储结孔内壁上形成间隙壁；将第二刻蚀终止层构图和间隙壁用作掩膜刻蚀暴露的第一绝缘层部分而形成第一绝缘层构图，形成用于显露导电区的结接触孔；除去第二刻蚀终止层构图和间隙壁；在存储结孔和结接触孔的表面上形成底电极；在底电极上形成介电层和上电极。
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公开(公告)号：CN1101972C
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN95104394.3
申请日：1995-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G10H7/00
CPC classification number: H03G5/00
Abstract: 根据生物节律的变化对输出的音频信号的频率特性进行调节的装置。包括：用于键入生物节律参数的输入器；用于存储和选择对应于生物节律的变化的频率特性调节模式的ROM，用于判定当前生物节律并向ROM提供判定结果的控制器，该控制器还对应于来自ROM的控制模式输出控制信号；以及用于响应控制信号对音频信号的频率特性进行调节的频率特性调节器。该设备通过根据生物体节律调节输出音频信号的频率特性而改进了听觉满意度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1322009A
公开(公告)日：2001-11-14
申请号：CN00134841.8
申请日：2000-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , C08G77/62
Abstract: 公开了一种旋涂玻璃组合物(SOG)及利用该SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在表面不连续的半导体基片上涂布一种含有通式为－(SiH2NH)n－的全氢化聚硅氮烷的SOG组合物,通式中n表示一个正整,其重均分子量在约4,000－8,000范围,分子量分布在约3.0－4.0的范围,以形成一种平面的SOG层。通过SOG层的硬化,将该SOG层转化为具有平表面的氧化硅层。也公开了由该方法制成的一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN112117287A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010227364.9
申请日：2020-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括基底、网格结构和滤色器。基底包括限定像素区域的像素分离结构和针对每个像素区域的子像素区域。网格结构设置在基底上，并且包括设置在子像素区域之间的第一栅栏部分和设置在相邻的像素区域之间的第二栅栏部分。网格结构限定分别与子像素区域对应的开口。滤色器设置在由网格结构限定的开口中。每个滤色器具有平坦的顶表面，每个滤色器的平坦的顶表面平行于其底表面。
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公开(公告)号：CN109817650A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811254537.5
申请日：2018-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提出了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：基底，包括光电元件；第一滤色器，设置在基底上；第二滤色器，设置在基底上并且与第一滤色器相邻；覆盖膜，设置在第一滤色器和第二滤色器的侧壁之间；以及气隙，形成在覆盖膜中。
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公开(公告)号：CN102142448B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201010614957.7
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/378
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L23/564 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14632 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器。图像传感器包括：基板，光电转换器件形成在其中；在基板上的互连结构，互连结构包括多个金属间电介质层和安置在多个金属间电介质层中的多个金属互连，互连结构限定相应于光电转换器件对准的槽；吸湿阻挡层，共形地形成在互连结构的顶部上以及在槽中；和光导单元，形成在吸湿阻挡层上并包括填充槽的透光材料，其中吸湿阻挡层在槽的底部和两个侧部上以及在多个金属间电介质层的顶表面上以均匀厚度形成。
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