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公开(公告)号:CN110344026A
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201910071759.1
申请日:2019-01-25
申请人: 三星电子株式会社
发明人: 姜信在 , 韩东勋 , 金度亨 , 朴景旭 , 裴钟容 , 李先秀 , 李寅载 , 李全一 , 林彩默
IPC分类号: C23C16/455
摘要: 提供了一种层沉积方法和层沉积设备。在层沉积方法中,将基底装载到工艺腔室中。将气体充入气体填充罐至预定充入压强。升高气体的压强至大于预定充入压强的压强。将气体导入工艺腔室中。
公开(公告)号:CN110344026B
公开(公告)日:2023-01-24