公开(公告)号：CN113299659A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202011538276.7

申请日：2020-12-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜信在 ,  李宇城 ,  李正吉 ,  H·崔 ,  韩赫

IPC分类号： H01L27/11582

摘要： 可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其包括单元阵列区和贯通电极区；电极堆叠件，其位于衬底上，并且包括电极；竖直结构，其在单元阵列区内穿过电极堆叠件；竖直护板结构，其位于延伸区内，并且围绕贯通电极区；以及绝缘层，其位于由竖直护板结构限定的周边内部，并且与位于电极同一水平。电极可以包括第一突起，其在平面图中在竖直护板结构之间突出。

公开(公告)号：CN110344026A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910071759.1

申请日：2019-01-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜信在 ,  韩东勋 ,  金度亨 ,  朴景旭 ,  裴钟容 ,  李先秀 ,  李寅载 ,  李全一 ,  林彩默

IPC分类号： C23C16/455

摘要： 提供了一种层沉积方法和层沉积设备。在层沉积方法中，将基底装载到工艺腔室中。将气体充入气体填充罐至预定充入压强。升高气体的压强至大于预定充入压强的压强。将气体导入工艺腔室中。

公开(公告)号：CN109216402A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810637195.9

申请日：2018-06-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜信在 ,  吴圭焕 ,  郑智允 ,  黄俊渊

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/141 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L27/24 ,  H01L45/122

摘要： 提供了可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件包括导电线、以及在导电线中的一个上包含可变电阻元件的存储单元。可变电阻存储器件包括在导电线之间的第一绝缘区。此外，可变电阻存储器件包括在导电线之间在第一绝缘区上的第二绝缘区。还提供了形成可变电阻存储器件的方法。

公开(公告)号：CN101271961B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200810083078.9

申请日：2008-03-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金度亨 ,  姜信在 ,  朴仁善 ,  林炫锡 ,  吴圭焕

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/0623 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/252 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： 本发明提供了形成相变材料层的方法，所述方法包括：在一温度下提供衬底和硫族化物目标，所述硫族化物目标包括锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)，在所述温度，碲挥发，而锑不挥发；以及，执行溅射处理以在所述衬底上形成包括硫族化物材料的所述相变材料层。还提供了使用所述相变材料层来制造相变存储器的方法。

公开(公告)号：CN102034928A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010505747.4

申请日：2010-09-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 林炫锡 ,  姜信在 ,  林泰洙 ,  李钟喆 ,  崔在亨

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

摘要： 一种相变存储器器件，包括：下电极、电连接到所述下电极的相变材料图案以及电连接到所述相变材料图案的上电极。所述下电极可以包括：第一结构，所述第一结构包括金属半导体化合物；在所述第一结构上的第二结构，所述第二结构包括金属氮化物材料，并且包括具有比上部更大的宽度的下部；以及第三结构，所述第三结构包括含元素X的金属氮化物材料，所述第三结构位于所述第二结构上，所述元素X包括选自硅、硼、铝、氧和碳的组中的至少一个。

公开(公告)号：CN109216402B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201810637195.9

申请日：2018-06-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜信在 ,  吴圭焕 ,  郑智允 ,  黄俊渊

IPC分类号： H10B63/00 ,  H10B63/10 ,  H10N70/20

摘要： 提供了可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件包括导电线、以及在导电线中的一个上包含可变电阻元件的存储单元。可变电阻存储器件包括在导电线之间的第一绝缘区。此外，可变电阻存储器件包括在导电线之间在第一绝缘区上的第二绝缘区。还提供了形成可变电阻存储器件的方法。

公开(公告)号：CN110344026B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201910071759.1

申请日：2019-01-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜信在 ,  韩东勋 ,  金度亨 ,  朴景旭 ,  裴钟容 ,  李先秀 ,  李寅载 ,  李全一 ,  林彩默

IPC分类号： C23C16/455

摘要： 提供了一种层沉积方法和层沉积设备。在层沉积方法中，将基底装载到工艺腔室中。将气体充入气体填充罐至预定充入压强。升高气体的压强至大于预定充入压强的压强。将气体导入工艺腔室中。

公开(公告)号：CN101271961A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810083078.9

申请日：2008-03-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金度亨 ,  姜信在 ,  朴仁善 ,  林炫锡 ,  吴圭焕

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/0623 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/252 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： 本发明提供了形成相变材料层的方法，所述方法包括：在一温度下提供衬底和硫族化物目标，所述硫族化物目标包括锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)，在所述温度，碲挥发，而锑不挥发；以及，执行溅射处理以在所述衬底上形成包括硫族化物材料的所述相变材料层。还提供了使用所述相变材料层来制造相变存储器的方法。

公开(公告)号：CN105322089B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201510459661.5

申请日：2015-07-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜信在 ,  朴钟撤 ,  裴丙才 ,  权载奭 ,  申铉受

IPC分类号： H01L43/00 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/15

摘要： 本发明提供了一种制造磁存储器器件的方法和磁存储器器件。所述方法可包括：在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；在第二磁性层上形成掩模图案，以暴露出第二磁性层的一部分；在掩模图案的侧壁和第二磁性层的所述部分上形成封盖绝缘层；通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。

公开(公告)号：CN105322089A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510459661.5

申请日：2015-07-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜信在 ,  朴钟撤 ,  裴丙才 ,  权载奭 ,  申铉受

IPC分类号： H01L43/00 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/15

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

摘要： 本发明提供了一种制造磁存储器器件的方法和磁存储器器件。所述方法可包括：在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；在第二磁性层上形成掩模图案，以暴露出第二磁性层的一部分；在掩模图案的侧壁和第二磁性层的所述部分上形成封盖绝缘层；通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。